| SS14 | Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. | 表面贴装肖特基整流二极管，反向电压：20V~200V，正向电流：1.0A， SMA 封装。 | | | 获取价格 |
| B5817W | Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. | 肖特基二极管 SOD123 Vr=20V Vr(RMS)=14V If=1A Ifsm=25A Pd=450mW Cj=120pF | | | 获取价格 |
| BRD5N50 | Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. | MOSFETs N-Channel TO252 Vdss=500V Id=5A Vgss=±30V Pd=2.5W | | | 获取价格 |
| BRD70N03 | Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. | N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：62.8A 功率(Pd)：62.5W | | | 获取价格 |
| BRCS3415MC | Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. | MOSFETs P-Channel SOT23-3 Vds=20V Vgs=±8V Id=4A Pd=1.5W | | | 获取价格 |
| BRCS3401MC | Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. | P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.2A 功率(Pd)：1.4W | | | 获取价格 |
| BRCS300P02ZJ | Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. | DFN 2*2B-6L 塑封封装 P 沟道 MOS 场效应管。 | | | 获取价格 |
| BR4953D-A | Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. | SOP-8 双P沟道 MOS 场效应管 Id:-3A RDS:85mΩ Vdss:-20V | | | 获取价格 |
| MJD350 | Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. | 通用三极管 PNP TO252 Vcbo=300V Vebo=5V Ic=500mA Pc=1.56W | | | 获取价格 |
| 2SB649AD-C | Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. | 通用三极管 TO252-3 Vcbo=180V Vceo=160V Vebo=5V Ic=1.5A Pc=1W | | | 获取价格 |
| BC817-40 | Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. | 三极管 NPN Ic=500mA Vceo=45V hfe=600 P=250mW SOT23-3 | | | 获取价格 |
| MMBTA42 | Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. | 通用三极管 NPN SOT23-3 Vcbo=300V Vebo=6V Ic=500mA Pc=350mW | | | 获取价格 |
| KTC4379-Y | Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. | 通用三极管 NPN SOT89-3 Vcbo=50V Vebo=5V Ic=2A Pc=500mW | | | 获取价格 |
| 2SA1797-Q | Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. | 通用三极管 PNP SOT89-3 Vcbo=50V Vebo=6V Ic=3A Pc=500mW | | | 获取价格 |
| 2SA1013T-0 | Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. | SOT-89 塑封封装 PNP 半导体三极管 | | | 获取价格 |
| MJE13003F1 | Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. | TO-92 NPN 通用三极管 800mA 5MHz | | | 获取价格 |
| DTA144EKA | Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. | 晶体管类型:1个PNP-预偏置;功率(Pd):200mW;集电极电流(Ic):100mA;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极截止电流(Icbo):-;集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):-;最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo):3V@2mA,300mV;最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc):500mV@100uA,5V;输出电压(VO(on)@Io/Ii):100mV@10mA,500uA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):-;输入电阻:47 | | | 获取价格 |
| DTA143ZKA | Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. | 晶体管类型:1个PNP-预偏置;功率(Pd):200mW;集电极电流(Ic):100mA;集射极击穿电压(Vceo):50V; | | | 获取价格 |
| 2SC945-P | Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):150mA;功率(Pd):250mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):150mV@100mA,10mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@1mA,6V;特征频率(fT):250MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| TL431-A | Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. | 电压基准类型:并联;输出类型:可调;输入电压:37V;输出电压:36V;输出电流:-;精度:-;温度系数:-;静态电流:-;最小阴极电流调节:80uA;噪声(0.1Hz-10Hz):-;噪声(10Hz-10kHz):-;动态阻抗:150mΩ;工作温度:-40℃~+125℃@(Ta); | | | 获取价格 |
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