找到“IB2405S”相关的规格书共1,792个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
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| BCP 51-16 H6433 | Infineon Technologies | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):-;集电极电流(Ic):-;功率(Pd):-;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):-;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):-;特征频率(fT):-; | 获取价格 | ||
| MMBT2907A | SHENZHEN GOODWORK ELECTRONIC CO.,LTD | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):-;集电极电流(Ic):-;功率(Pd):-;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):-;特征频率(fT):-; | 获取价格 | ||
| 44428-2405 | MOLEX6[MolexElectronicsLtd.] | 44428-2405 - 3.00mm (.118") Pitch Micro-Fit 3.0 BMI™ Header, Surface Mount Compatible, Dual Row, Right Angle, without Snap-in Plastic Peg PCB Lock, 24 Circuits, 0.38μm (15μ") Gold (Au) Selective Plating - Molex Electronics Ltd. | 获取价格 | ||
| KTC1006-AT--P | KEC CORPORATION | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):-;集电极电流(Ic):-;功率(Pd):-;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):-;特征频率(fT):-; | 获取价格 | ||
| S9012 | DOESHARE | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):-;集电极电流(Ic):-;功率(Pd):-;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):-;特征频率(fT):-; | 获取价格 | ||
| TLE2062CD | Texas Instruments | JFET输入放大器 放大器组数：2 增益带宽积(GBP)：2MHz 压摆率(SR)：3.4V/us 输入失调电压(Vos)：900uV 输入偏置电流(Ib)：4pA SOIC8_150MIL | 获取价格 | ||
| BFP 640F H6327 | Infineon Technologies | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):-;集电极电流(Ic):-;功率(Pd):-;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):-;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):-;特征频率(fT):-; | 获取价格 | ||
| BCR 148S H6433 | Infineon Technologies | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):-;集电极电流(Ic):-;功率(Pd):-;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):-;特征频率(fT):-; | 获取价格 | ||
| BCR 553 E6327 | Infineon Technologies | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):-;集电极电流(Ic):-;功率(Pd):-;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):-;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):-;特征频率(fT):-; | 获取价格 | ||
| BCR 523U E6433 | Infineon Technologies | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):-;集电极电流(Ic):-;功率(Pd):-;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):-;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):-;特征频率(fT):-; | 获取价格 | ||
| BFR 340L3 E6327 | Infineon Technologies | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):-;集电极电流(Ic):-;功率(Pd):-;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):-;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):-;特征频率(fT):-; | 获取价格 | ||
| BFP 640FESD H6327 | Infineon Technologies | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):-;集电极电流(Ic):-;功率(Pd):-;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):-;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):-;特征频率(fT):-; | 获取价格 | ||
| S9012 | SHENZHEN GOODWORK ELECTRONIC CO.,LTD | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):-;集电极电流(Ic):-;功率(Pd):-;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):-;特征频率(fT):-; | 获取价格 | ||
| UMZ1N | Rubycon Corporation | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):-;集电极电流(Ic):-;功率(Pd):-;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):-;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):-;特征频率(fT):-; | 获取价格 | ||
| MMBT3906-13-01-F | Diodes Incorporated | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):-;集电极电流(Ic):-;功率(Pd):-;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):-;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):-;特征频率(fT):-; | 获取价格 | ||
| S9012 | Shenzhen FuxinSemi Technology Co., Ltd | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):-;集电极电流(Ic):-;功率(Pd):-;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):-;特征频率(fT):-; | 获取价格 | ||
| C1815 | JSMICRO SEMICONDUCTOR | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):-;集电极电流(Ic):-;功率(Pd):-;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):-;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):-;特征频率(fT):-; | 获取价格 | ||
| FMMT489 | Taiwan shike Electronics co.,ltd | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):-;集电极电流(Ic):-;功率(Pd):-;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):-;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):-;特征频率(fT):-; | 获取价格 | ||
| BFR 380L3 E6327 | Infineon Technologies | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):-;集电极电流(Ic):-;功率(Pd):-;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):-;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):-;特征频率(fT):-; | 获取价格 | ||
| BFP 540FESD H6327 | Infineon Technologies | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):-;集电极电流(Ic):-;功率(Pd):-;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):-;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):-;特征频率(fT):-; | 获取价格 |
