找到“ID8156HB”相关的规格书共12,092个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| RUH3051M2 | Shenzhen City Ruichips Semiconductor Co., Ltd | MOSFETs PDFN3333 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=50A | 获取价格 | ||
| XL8574AT | XinLuDa Information Technology Co.,Ltd | I/O端口扩展器 SOP16_300MIL VD=2.5~6V ID=40μA | 获取价格 | ||
| EJ504A | MPD (Memory Protection Devices) | Power Barrel Connector Jack 2.10mm ID (0.083"), 5.50mm OD (0.217") Panel Mount | 获取价格 | ||
| FT232RL-REEL | Future Technology Devices International Ltd | 结合时钟发生器输出和FTDICHIP-ID TM安全加密狗 | 获取价格 | ||
| 2P1419 | Switchcraft Inc. | 2.46mm ID (0.097") Phone Plug Mono Connector Solder Eyelet(s) | 获取价格 | ||
| RCJ-013 | CUI Inc. | 3.20mm ID, 9.00mm OD (RCA) Phono (RCA) Jack Mono Connector Solder | 获取价格 | ||
| 5082-N100-ID000 | HP[Agilent(Hewlett-Packard)] | 5082-N100-ID000 - Low Current Seven Segment Displays - Agilent(Hewlett-Packard) | 获取价格 | ||
| 5082-A801-ID000 | HP[Agilent(Hewlett-Packard)] | 5082-A801-ID000 - Low Current Seven Segment Displays - Agilent(Hewlett-Packard) | 获取价格 | ||
| DMN5L06VAK-7 | Diodes Incorporated | 2N沟道 VDS=50V VGS=±20V ID=280mA P=250mW | 获取价格 | ||
| DMN61D9UW-7 | Diodes Incorporated | N沟道 VDS=60V VGS=±20V ID=340mA P=320mW | 获取价格 | ||
| APM4953KC-TRG | Anpec Electronics Corp | MOSFETs SOP8_150MIL Dual P-Channel VDSS=-30V ID=-4.9A | 获取价格 | ||
| SVF12N60F | Silan | N沟道 漏源电压(Vdss)：600V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：51W | 获取价格 | ||
| NCE65T360F | WUXI NCE POWER CO., Ltd. | N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：11.5A 功率(Pd)：32.6W | 获取价格 | ||
| WSR10N65F | Winsok power Semiconductor CO., LTD | N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：10A 功率(Pd)：39W | 获取价格 | ||
| 12N80L-TF2-T | Unisonic Technology Co., Ltd. | N沟道 漏源电压(Vdss)：800V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：51W | 获取价格 | ||
| NTMFS4C022NT1G | ON Semiconductor | MOSFETs SO8FL_5.15X6.15MM N-Channel VDSS=30V ID=136A | 获取价格 | ||
| NCEP01T18 | WUXI NCE POWER CO., Ltd. | N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：180A 功率(Pd)：300W | 获取价格 | ||
| IPA60R400CE | Infineon Technologies | VDS=600V ID=14.7A PD=31W N Channel TO-220FP MOSFETs ROHS | 获取价格 | ||
| IPP086N10N3 G | Infineon Technologies | N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：80A ,125W,42nC | 获取价格 | ||
| IPA50R280CE | Infineon Technologies | MOSFETs N-Channel VDS=500V ID=18.1A TO220FP | 获取价格 |
