找到“IR21091SPbF”相关的规格书共8,091个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| P6KE62CA | SEMBO ELECTRONICS | 极性:双向;反向截止电压(Vrwm):53V;击穿电压:58.9V;反向漏电流(Ir):1uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:7.1A;最大钳位电压:85V; | 获取价格 | ||
| P6KE200A | Leiditech Electronic | 极性:单向;反向截止电压(Vrwm):171V;击穿电压:190V;反向漏电流(Ir):1uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:2.2A;最大钳位电压:274V; | 获取价格 | ||
| B1D10120F | Shenzhen BASiC Semiconductor LTD., | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):1.2kV;平均整流电流(Io):30A;正向压降(Vf):1.46V@10A;反向电流(Ir):4.5uA@1.2kV; | 获取价格 | ||
| B1D10065F | Shenzhen BASiC Semiconductor LTD., | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):650V;平均整流电流(Io):32A;正向压降(Vf):1.43V@10A;反向电流(Ir):70uA@650V; | 获取价格 | ||
| ASD2065P2 | Anbon Semiconductor Co., Ltd. | 二极管配置:1对共阴极;直流反向耐压(Vr):650V;平均整流电流(Io):40A;正向压降(Vf):1.45V@10A;反向电流(Ir):10uA@650V; | 获取价格 | ||
| GBU810 | Anbon Semiconductor Co., Ltd. | 直流反向耐压(Vr):1kV;平均整流电流(Io):8A;正向压降(Vf):1.1V@4A;反向电流(Ir):10uA@1kV;正向浪涌电流(Ifsm):200A;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| GBU2008A | Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | 直流反向耐压(Vr):800V;平均整流电流(Io):3.5A;正向压降(Vf):1V@10A;反向电流(Ir):5uA@800V;正向浪涌电流(Ifsm):300A;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 1N5397-D1-0001 | Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):600V;平均整流电流(Io):1.5A;正向压降(Vf):1.1V@1.5A;反向电流(Ir):2.5uA@600V; | 获取价格 | ||
| D10JA100 | Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | 直流反向耐压(Vr):1kV;平均整流电流(Io):3.2A;正向压降(Vf):1V@5A;反向电流(Ir):5uA@1kV;正向浪涌电流(Ifsm):175A;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| D3UB60A | Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | 直流反向耐压(Vr):600V;平均整流电流(Io):3A;正向压降(Vf):1V@1.5A;反向电流(Ir):5uA@600V;正向浪涌电流(Ifsm):100A;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HBR10150U-220 | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 二极管配置:1对共阴极;直流反向耐压(Vr):150V;平均整流电流(Io):5A;正向压降(Vf):830mV@10A;反向电流(Ir):10uA@150V; | 获取价格 | ||
| HBR20200S-220HF | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 二极管配置:1对共阴极;直流反向耐压(Vr):200V;平均整流电流(Io):10A;正向压降(Vf):860mV@10A;反向电流(Ir):10uA@200V; | 获取价格 | ||
| HBR2045S-220HF | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 二极管配置:1对共阴极;直流反向耐压(Vr):45V;平均整流电流(Io):10A;正向压降(Vf):620mV@10A;反向电流(Ir):20uA@45V; | 获取价格 | ||
| HBR30100V-220 | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 二极管配置:1对共阴极;直流反向耐压(Vr):100V;平均整流电流(Io):15A;正向压降(Vf):710mV@15A;反向电流(Ir):50uA@100V; | 获取价格 | ||
| HBR20100V-220HF | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 二极管配置:1对共阴极;直流反向耐压(Vr):100V;平均整流电流(Io):10A;正向压降(Vf):730mV@15A;反向电流(Ir):50uA@100V; | 获取价格 | ||
| IDK10G65C5 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):650V;平均整流电流(Io):10A;正向压降(Vf):1.5V@10A;反向电流(Ir):500nA@650V; | 获取价格 | ||
| IDH08G65C5 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):650V;平均整流电流(Io):8A;正向压降(Vf):1.5V@8A;反向电流(Ir):400nA@650V; | 获取价格 | ||
| AIDW16S65C5 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):650V;平均整流电流(Io):16A;正向压降(Vf):1.5V@16A;反向电流(Ir):3uA@650V; | 获取价格 | ||
| IDL12G65C5 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):650V;平均整流电流(Io):12A;正向压降(Vf):1.5V@12A;反向电流(Ir):650nA@650V; | 获取价格 | ||
| BAR 65-03W E6327 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):30V;平均整流电流(Io):100mA;正向压降(Vf):930mV@100mA;反向电流(Ir):20nA@20V; | 获取价格 |
