找到“IR21091SPbF”相关的规格书共8,091个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
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| GLZ16C_R1_10001 | PANJIT SEMI CONDUCTOR | 二极管配置:独立式;稳压值(标称值):-;稳压值(范围):15.69V~16.51V;精度:-;功率:500mW;反向电流(Ir):200nA@12V;阻抗(Zzt):18Ω; | 获取价格 | ||
| SD05C | MDD辰达半导体 | Bi PD=350W VRWM=5V VBR=6V VC=18V IPP=17A IR=10uA CJ=200PF 个人消费电子、智能家居、监控门禁、车载电子 | 获取价格 | ||
| 1SS387 | Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd | 二极管配置：独立式 功率：150mW 直流反向耐压(Vr)：80V 平均整流电流(Io)：100mA 正向压降(Vf)：1.2V@100mA 反向电流(Ir)：500nA@80V | 获取价格 | ||
| ABS210 | Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | 直流反向耐压(Vr)：1kV 平均整流电流(Io)：2A 正向压降(Vf)：950mV@1A 反向电流(Ir)：5μA@1kV 正向浪涌电流(Ifsm)：45A 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) 1000V | 获取价格 | ||
| P6SMBJ18A_R1_00001 | PANJIT SEMI CONDUCTOR | 极性：单向 反向截止电压(Vrwm)：18V 击穿电压(最小值)：20V 击穿电压(最大值)：22.1V 反向漏电流(Ir)：1uA 峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs：20.5A 最大钳位电压：29.2V | 获取价格 | ||
| MMSZ5V1T1G | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：5.1V 稳压值(范围)：4.85V~5.36V 精度：±5% 功率：500mW 反向电流(Ir)：2uA@2V 阻抗(Zzt)：60Ω | 获取价格 | ||
| MM3Z2V7T1G | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：2.7V 稳压值(范围)：2.5V~2.9V 功率：300mW 反向电流(Ir)：20uA@1V 阻抗(Zzt)：100Ω | 获取价格 | ||
| 1N5388BRLG | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：200V 稳压值(范围)：190V~210V 精度：±5% 功率：5W 反向电流(Ir)：500nA@152V 阻抗(Zzt)：480Ω | 获取价格 | ||
| MMSZ3V9T1G | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：3.9V 稳压值(范围)：3.71V~4.1V 精度：±5% 功率：500mW 反向电流(Ir)：3uA@1V 阻抗(Zzt)：90Ω | 获取价格 | ||
| MM3Z15VT1G | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：15V 稳压值(范围)：14.3V~15.8V 功率：300mW 反向电流(Ir)：50nA@10.5V 阻抗(Zzt)：30Ω | 获取价格 | ||
| NSVBAS21HT1G | ON Semiconductor | 开关二极管（小信号） P：200mW Vr：250V Io：200mA Vf：1.25V@200mA Ir：100nA@200V trr：50ns -55℃~+150℃ | 获取价格 | ||
| SD36C | MDD辰达半导体 | Uni PD=350W VRWM=36V VBR=40V VC=75V IPP=5A IR=1uA CJ=35PF 个人消费电子、智能家居、监控门禁、车载电子 | 获取价格 | ||
| 1N5245B | ST(先科) | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：15V 稳压值(范围)：14.25V~15.75V 精度：±5% 功率：500mW 反向电流(Ir)：100nA@11V 阻抗(Zzt)：16Ω 15V 0.5W | 获取价格 | ||
| 1SMA4744A | Jingdao | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：15V 稳压值(范围)：13.8V~15.8V 功率：1W 反向电流(Ir)：5uA@11V 阻抗(Zzt)：14Ω 15V 1W | 获取价格 | ||
| BZT52C47 | Taiwan shike Electronics co.,ltd | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：47V 稳压值(范围)：44V~50V 精度：±5% 功率：500mW 反向电流(Ir)：2uA@36V 阻抗(Zzt)：150Ω | 获取价格 | ||
| ESD0504TL | MDD辰达半导体 | Uni PD=60W VRWM=5V VBR=6V VC=12V IPP=1A IR=1uA CJ=0.6PF 个人消费电子、智能家居、监控门禁、车载电子 | 获取价格 | ||
| 1SS226 | CHINA BASE ELECTRONIC TECHNOLOGY LIMITED | 极管配置：1对串联式 功率：150mW 直流反向耐压(Vr)：80V 平均整流电流(Io)：300mA 正向压降(Vf)：1.2V@100mA 反向电流(Ir)：500nA@80V | 获取价格 | ||
| K210 | SHENZHEN GOODWORK ELECTRONIC CO.,LTD | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：100V 平均整流电流(Io)：2A 正向压降(Vf)：850mV@2A 反向电流(Ir)：200uA@100V | 获取价格 | ||
| MMBZ12VAL | MDD辰达半导体 | Bi PD=40W VRWM=8.5V VBR=12V VC=17V IPP=2.35A IR=0.2uA CJ=-PF 个人消费电子、智能家居、监控门禁、车载电子 | 获取价格 | ||
| 1N4148W | Luguang Electronics Technology Co., Ltd. | 功率：350mW 直流反向耐压(Vr)：75V 平均整流电流(Io)：150mA 正向压降(Vf)：1.25V@150mA 反向电流(Ir)：2.5uA@75V 反向恢复时间(trr)：4ns | 获取价格 |
