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US1MWTaiwan shike Electronics co.,ltd二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):1kV 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1.7V@1A 反向电流(Ir):5μA@1kV 反向恢复时间(trr):75ns 工作温度:-55℃~+150℃@(Tj)获取价格
1N4148WFoshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd.二极管配置:独立式 功率:400mW 直流反向耐压(Vr):75V 平均整流电流(Io):150mA 正向压降(Vf):1V@10mA 反向电流(Ir):5uA@75V 反向恢复时间(trr):8ns获取价格
1N4148WJSMICRO SEMICONDUCTOR二极管配置:独立式 功率:400mW 直流反向耐压(Vr):100V 平均整流电流(Io):300mA 正向压降(Vf):1.25V@150mA 反向电流(Ir):1uA@75V 反向恢复时间(trr):8ns获取价格
1N4448WTCHINA BASE ELECTRONIC TECHNOLOGY LIMITED二极管配置:独立式 功率:150mW 直流反向耐压(Vr):80V 平均整流电流(Io):125mA 正向压降(Vf):1.25V@150mA 反向电流(Ir):100nA@80V 反向恢复时间(trr):4ns获取价格
ES3GFJingdao二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):400V 平均整流电流(Io):3A 正向压降(Vf):1.25V@3A 反向电流(Ir):5μA@400V 反向恢复时间(trr):35ns 工作温度(最小值):-55℃@(Tj) 工作温度(最大值):+150℃@(Tj)获取价格
FR103WJingdao二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):200V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1.3V@1A 反向电流(Ir):5μA@200V 反向恢复时间(trr):150ns 工作温度(最小值):-55℃@(Tj) 工作温度(最大值):+150℃@(Tj) 200V,1A,VF=1.3V@1A获取价格
1N4148WJingdao二极管配置:独立式 功率:400mW 正向压降(Vf):1.25V 150mA 直流反向耐压(Vr):100V 工作温度(最大值):+150℃ (Tj) 平均整流电流(Io):300mA 反向电流(Ir):1μA 75V 反向恢复时间(trr):8ns获取价格
ES1006FL_R1_00001PANJIT SEMI CONDUCTOR二极管配置:独立式 正向压降(Vf):1.7V 1A 直流反向耐压(Vr):600V 工作温度(最大值):+150℃ (Tj) 平均整流电流(Io):1A 反向电流(Ir):500nA 600V 反向恢复时间(trr):35ns 工作温度(最小值):-55℃ (Tj)获取价格
RS2M-SMBSHENZHEN GOODWORK ELECTRONIC CO.,LTD二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):1kV 平均整流电流(Io):2A 正向压降(Vf):1.3V 2A 反向电流(Ir):5μA 1kV 反向恢复时间(trr):500ns 工作温度(最小值):-65℃ (Tj) 工作温度(最大值):+150℃ (Tj)获取价格
ES2J-SMBSHENZHEN GOODWORK ELECTRONIC CO.,LTD二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):600V 平均整流电流(Io):2A 正向压降(Vf):1.7V@2A 反向电流(Ir):5μA@600V 反向恢复时间(trr):35ns 工作温度:-65℃~+150℃@(Tj)获取价格
SMBJ180ABrightking极性:单向 反向截止电压(Vrwm):180V 击穿电压(最小值):201V 击穿电压(最大值):222V 反向漏电流(Ir):1μA 峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:2.1A 最大钳位电压:292V 峰值脉冲功率(Ppp)@10/1000μs:600W VRWM=180V获取价格
SMAJ9.0CABrightking极性:双向 反向截止电压(Vrwm):9V 击穿电压(最小值):10V 击穿电压(最大值):11.1V 反向漏电流(Ir):10μA 峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:26A 最大钳位电压:15.4V 峰值脉冲功率(Ppp)@10/1000μs:400W获取价格
SMAJ440ABrightking极性:单向 反向截止电压(Vrwm):440V 击穿电压(最小值):492V 击穿电压(最大值):543V 反向漏电流(Ir):1μA 峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:0.6A 最大钳位电压:713V 峰值脉冲功率(Ppp)@10/1000μs:400W获取价格
1N4148WTSLKORMICRO Electronics Co., Ltd二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):80V 平均整流电流(Io):100mA 正向压降(Vf):1.25V@100mA 反向电流(Ir):100nA@80V 反向恢复时间(trr):4ns获取价格
1N4148WTTech Public Electronics Co.,Ltd.二极管配置:独立式 功率:200mW 直流反向耐压(Vr):75V 平均整流电流(Io):150mA 正向压降(Vf):1V@10mA 反向电流(Ir):5uA@75V 反向恢复时间(trr):4ns获取价格
BAS521BXNexperia二极管配置:独立式 功率:380mW 直流反向耐压(Vr):250V 平均整流电流(Io):250mA 正向压降(Vf):1.25V@200mA 反向电流(Ir):100nA@200V 反向恢复时间(trr):50ns 工作温度:+150℃@(Tj)获取价格
BAS521BFNexperia二极管配置:独立式 功率:380mW 直流反向耐压(Vr):250V 平均整流电流(Io):250mA 正向压降(Vf):1.25V@200mA 反向电流(Ir):100nA@200V 反向恢复时间(trr):50ns 工作温度:+150℃@(Tj)获取价格
BAS21JFNexperia二极管配置:独立式 功率:550mW 直流反向耐压(Vr):300V 平均整流电流(Io):250mA 正向压降(Vf):1.1V@100mA 反向电流(Ir):150nA@250V 反向恢复时间(trr):50ns 工作温度:+150℃@(Tj)获取价格
BAS16THRNexperia二极管配置:独立式 功率:300mW 直流反向耐压(Vr):100V 平均整流电流(Io):215mA 正向压降(Vf):1.25V@150mA 反向电流(Ir):500nA@80V 反向恢复时间(trr):4ns获取价格
1N4148WTGuangdong Hottech Co. Ltd.二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):90V 平均整流电流(Io):100mA 正向压降(Vf):1.25V@100mA 反向电流(Ir):100nA@80V 反向恢复时间(trr):4ns获取价格