找到“IR21091SPbF”相关的规格书共8,091个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| ES1JF | SHENZHEN GOODWORK ELECTRONIC CO.,LTD | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：600V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.65V@1A 反向电流(Ir)：5μA@600V 反向恢复时间(trr)：35ns 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| 1N4448WT | Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd | 二极管配置：独立式 功率：150mW 直流反向耐压(Vr)：75V 平均整流电流(Io)：250mA 正向压降(Vf)：1.25V@150mA 反向电流(Ir)：1uA@75V 反向恢复时间(trr)：4ns | 获取价格 | ||
| ES1G | Jingdao | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：400V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.25V@ 1A 反向电流(Ir)：5μA@ 400V 反向恢复时间(trr)：35ns 工作温度(最小值)：-55℃@ (Tj) 工作温度(最大值)：+150℃@ (Tj) | 获取价格 | ||
| SMBJ220A | Brightking | 极性：单向 反向截止电压(Vrwm)：220V 击穿电压(最小值)：246V 击穿电压(最大值)：272V 反向漏电流(Ir)：1μA 峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs：1.7A 最大钳位电压：356V 峰值脉冲功率(Ppp)@10/1000μs：600W VRWM=220V,单向 | 获取价格 | ||
| 1N4148W | CHINA BASE ELECTRONIC TECHNOLOGY LIMITED | 二极管配置：独立式 功率：400mW 直流反向耐压(Vr)：75V 平均整流电流(Io)：150mA 正向压降(Vf)：1.25V@150mA 反向电流(Ir)：1μA@75V 反向恢复时间(trr)：4ns | 获取价格 | ||
| 1N4148WX-TP | Micro Commercial Components | 功率：200mW 直流反向耐压(Vr)：100V 平均整流电流(Io)：150mA 正向压降(Vf)：1V@50mA 反向电流(Ir)：1uA@75V 反向恢复时间(trr)：4ns 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| BAS21GWX | Nexperia | 二极管配置：独立式 功率：380mW 直流反向耐压(Vr)：250V 平均整流电流(Io)：225mA 正向压降(Vf)：1.25V@200mA 反向电流(Ir)：100nA@200V 反向恢复时间(trr)：50ns 工作温度：+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| 1SS355 | Guangdong Hottech Co. Ltd. | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：80V 平均整流电流(Io)：100mA 正向压降(Vf)：1.2V@100mA 反向电流(Ir)：100nA@80V 反向恢复时间(trr)：4ns | 获取价格 | ||
| RHRG30120 | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：1.2kV 平均整流电流(Io)：30A 正向压降(Vf)：3.2V@30A 反向电流(Ir)：250uA@1.2kV 反向恢复时间(trr)：85ns 工作温度：-65℃~+175℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| BAV70W-7-F | Diodes Incorporated | 二极管配置：1对共阴极 功率：200mW 直流反向耐压(Vr)：75V 平均整流电流(Io)：150mA 正向压降(Vf)：1.25V@150mA 反向电流(Ir)：2.5uA@75V 反向恢复时间(trr)：4ns 工作温度：-65℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| MMBD914-7-F | Diodes Incorporated | 二极管配置：独立式 功率：350mW 直流反向耐压(Vr)：75V 平均整流电流(Io)：200mA 正向压降(Vf)：1.25V@150mA 反向电流(Ir)：1uA@75V 反向恢复时间(trr)：4ns 工作温度：-65℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| BAV23CVL | Nexperia | 二极管配置：1对共阴极 功率：250mW 直流反向耐压(Vr)：200V 平均整流电流(Io)：225mA 正向压降(Vf)：1.25V@200mA 反向电流(Ir)：100nA@200V 反向恢复时间(trr)：50ns | 获取价格 | ||
| BAS321JF | Nexperia | 二极管配置：独立式 功率：660mW 直流反向耐压(Vr)：200V 平均整流电流(Io)：250mA 正向压降(Vf)：1.25V@200mA 反向电流(Ir)：100nA@200V 反向恢复时间(trr)：50ns | 获取价格 | ||
| BAS321JX | Nexperia | 二极管配置：独立式 功率：660mW 直流反向耐压(Vr)：200V 平均整流电流(Io)：250mA 正向压降(Vf)：1.25V@200mA 反向电流(Ir)：100nA@200V 反向恢复时间(trr)：50ns | 获取价格 | ||
| BAS116GWX | Nexperia | 二极管配置：独立式 功率：600mW 直流反向耐压(Vr)：75V 平均整流电流(Io)：215mA 正向压降(Vf)：1.25V@150mA 反向电流(Ir)：5nA@75V 反向恢复时间(trr)：800ns | 获取价格 | ||
| BAS21THR | Nexperia | 二极管配置：独立式 功率：300mW 直流反向耐压(Vr)：200V 平均整流电流(Io)：200mA 正向压降(Vf)：1.25V@200mA 反向电流(Ir)：100nA@200V 反向恢复时间(trr)：50ns | 获取价格 | ||
| BAS16GWX | Nexperia | 二极管配置：独立式 功率：357mW 直流反向耐压(Vr)：100V 平均整流电流(Io)：215mA 正向压降(Vf)：1.25V@150mA 反向电流(Ir)：500nA@80V 反向恢复时间(trr)：4ns | 获取价格 | ||
| MUR260RLG | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：600V 平均整流电流(Io)：2A 正向压降(Vf)：1.35V@2mA 反向电流(Ir)：5uA@600V 反向恢复时间(trr)：75ns 工作温度：-65℃~+175℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| MUR1540G | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：400V 平均整流电流(Io)：15A 正向压降(Vf)：1.25V@15A 反向电流(Ir)：10uA@400V 反向恢复时间(trr)：60ns 工作温度：-65℃~+175℃@(Tj) 开关型功率整流器 | 获取价格 | ||
| MMBD4148CC | MDD辰达半导体 | 二极管配置:1对共阴极;功率:350mW;直流反向耐压(Vr):100V;平均整流电流(Io):200mA;正向压降(Vf):1V@10mA;反向电流(Ir):5uA@75V;反向恢复时间(trr):4ns;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 |
