| 1 | 2080K | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):88W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.4mΩ@4.5V,30... | 下载 | FM |
| 2 | 2N3773T3BL | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):140V;集电极电流(Ic):16A;功率(Pd):150W;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压... | 下载 | Sourcechips |
| 3 | 2SD1815 | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):100V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):1μA;集电极-发射极饱和电压(... | 下载 | Rubycon Corporation |
| 4 | 2SB649AG-C-TN3-R | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):160V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):2W;集电极截止电流(Icbo):10uA;集电极-发射极饱和... | 下载 | Unisonic Technology Co., Ltd. |
| 5 | 2SA1012B | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):1.25W;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@500mA... | 下载 | Rubycon Corporation |
| 6 | 2SD669AG-C-TN3-R | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):160V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):2W;集电极截止电流(Icbo):10μA;集电极-发射极饱和... | 下载 | Unisonic Technology Co., Ltd. |
| 7 | 2SB1184 | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(V... | 下载 | Rubycon Corporation |
| 8 | 2SC4672G-A-AB3-R | | 下载 | Unisonic Technology Co., Ltd. |
| 9 | 2SD1664 | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):32V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):500nA;集电极-发射极饱... | 下载 | Rubycon Corporation |
| 10 | 2SA1797 | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱... | 下载 | Rubycon Corporation |
| 11 | 2SC5964-TD-E | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):3.5W;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压... | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
| 12 | 2SD965A | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):5A;功率(Pd):750mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱... | 下载 | Rubycon Corporation |
| 13 | 2SC4115 | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):20V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱... | 下载 | Rubycon Corporation |
| 14 | 2SC3647S-TD-E | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):100V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):500mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@100m... | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
| 15 | 2SB804 | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):2W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压... | 下载 | Taiwan shike Electronics co.,ltd |
| 16 | 2SC2883Y | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和... | 下载 | Taiwan shike Electronics co.,ltd |
| 17 | 2SC5053R | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):25V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和... | 下载 | Taiwan shike Electronics co.,ltd |
| 18 | 2SC3647T-TD-E | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):100V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):500mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@100m... | 下载 | Murata Manufacturing Co., Ltd. |
| 19 | 2SK2615(TE12L.F) | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):2A;功率(Pd):1.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):230mΩ@10V,1A;... | 下载 | TOSHIBA CORPORATION |
| 20 | 2SC4379YU | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压... | 下载 | ST(先科) |
