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序号器件名产品描述数据手册生厂商
1IP2368_BZ电池管理 QFN48_7X7MM_EP 4.5V~25V 7mA下载injoinic
2IMC1210ER3R3J3.3 µH 无屏蔽 鼓芯,绕线式 电感器 260 mA 1.2 欧姆最大 1210(3225 公制)下载Vishay Intertechnology, Inc.
3IMC1812RQ102K1 mH 无屏蔽 鼓芯,绕线式 电感器 30 mA 40 欧姆最大 1812(4532 公制)下载Vishay Intertechnology, Inc.
4IMP1117AS18X--T输出类型:固定;输出极性:正;最大输入电压:18V;输出电压:1.8V;输出电流:1A;电源纹波抑制比(PSRR):72dB@(120Hz);下载Electric Imp Inc.
5IRF9Z34NS-VB类型:P沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):35A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):48mΩ@10V,35A;阈值...下载VBsemi Electronics Co. Ltd
6IRFR3709Z下载Tech Public Electronics Co.,Ltd.
7IRF640NSPBF-VB类型:N沟道;漏源电压(Vdss):200V;连续漏极电流(Id):20A;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):90mΩ@10V,20A;下载VBsemi Electronics Co. Ltd
8IRFR014TRPBF-VB类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):18.2A;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):73mΩ@10V,18.2A;下载VBsemi Electronics Co. Ltd
9IRFR9024N类型:P沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):8.8A 功率(Pd):50W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):75mΩ@10V,5.3...下载JSMICRO SEMICONDUCTOR
10IRFL014TRPBF-VB下载VBsemi Electronics Co. Ltd
11IRFR3709ZTRRPBF-VB下载VBsemi Electronics Co. Ltd
12iW3658-06F下载Dialog Semiconductor lnc.
13IRFR3708TRPBF-VB类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):80A;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5mΩ@10V,80A;下载VBsemi Electronics Co. Ltd
14IP3232AG电池管理 DFN10_3X3MM_EP下载injoinic
15IXTM5N100APOWER MOSFET TO-3下载IXYS Integrated Circuits Division
16IPB530N15N3 G类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;...下载Infineon Technologies
17IPB80N06S2L-07类型:N沟道;漏源电压(Vdss):55V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):210W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.7mΩ@10V,60...下载Infineon Technologies
18IRLML2502类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):3.6A;功率(Pd):1W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):50mΩ@4.5V,3A;...下载HUASHUO SEMICONDUCTOR
19IRLML6401GTRPBF-VB类型:P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):5A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):43mΩ@4.5V,5A;阈值电...下载VBsemi Electronics Co. Ltd
20IL1117C-1.5下载IK Semicon Co., Ltd.