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序号器件名产品描述数据手册生厂商
1IKB06N60T下载Infineon Technologies
2IPB100N04S4-H2类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;...下载Infineon Technologies
3IRFR430ATRPBF漏源电压(Vdss):500V;连续漏极电流(Id)(25°C 时):5A;栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA;漏源导通电阻:1.7Ω @ 3A,10V;最大...下载Infineon Technologies
4IM2132-VB类型:P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):5A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):43mΩ@4.5V,5A;阈值电...下载VBsemi Electronics Co. Ltd
5IRF5805TRPBF-VB类型:P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):4.8A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):49mΩ@10V,4.8A;...下载VBsemi Electronics Co. Ltd
6IP6503S-2.4A下载injoinic
7IQS127D-00200-TSR1 CH. CAPACITIVE TOUCH SENSOR WI下载Azoteq (Pty) Ltd
8IPP040N08NF2S下载Infineon Technologies
9IPA029N06NM5S类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;下载Infineon Technologies
10IPP040N06N类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):90A;功率(Pd):188W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4mΩ@10V,90A;...下载Infineon Technologies
11IW600-00-ST3下载Dialog Semiconductor lnc.
12IRLR3110ZPBF-VB类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):85A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.5mΩ@10V,85A;...下载VBsemi Electronics Co. Ltd
13IRFR5305TRPBF-VB类型:P沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):50A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):20mΩ@10V,50A;阈值...下载VBsemi Electronics Co. Ltd
14IPD090N03L GMosfet, N Channel, 30V, 40A, To-252; Channel Type:n Channel; Drain Source Voltage ...下载Infineon Technologies
15IKD06N60RA下载Infineon Technologies
16IPD60R800CE类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;...下载Infineon Technologies
17IRF540NSTRPBFMOSFETs N沟道 耐压:100V 电流:33A TO-263-2下载JSMICRO SEMICONDUCTOR
18IHLP7575GZER330M5133 µH 屏蔽 模制 电感器 10.2 A 27 毫欧最大 非标准下载Vishay Intertechnology, Inc.
19IHLP1212AZEVR22M5A220 nH 屏蔽 模制 电感器 7.72 A 14.87 毫欧最大 非标准下载Vishay Intertechnology, Inc.
20IHDM1008BCEV2R2M3A2.2 µH 无屏蔽 鼓芯,绕线式 电感器 70 A 0.4 毫欧最大 非标准下载Vishay Intertechnology, Inc.