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找到通过新的PD-1076和PD-1276系列,Trinamic利用NEMA23和NEMA24驱动器完成了PANdrive智能电机一体化系列。具有集成控制器的PANdrive电机一体化智能解决方案可轻松连接数字和物理世界。这些驱动器配备了Trinamic的最新驱动技术,如无噪声电流控制模式StealthChop、第二代无传感器负载检测StallGuard,以及与负载相关的电流控制CoolStep。PD-1276配有磁性SensOstep编码器,可以可靠地检测步进或位置损失相关的规格书共232,546
型号厂商描述数据手册替代料参考价格
LBZX84C6V2LT3GLeshan Radio Co., Ltd.乐山无线电 SOT-23 Pd: 225mW Zzk: -Ω获取价格
AO3421EVBsemi Electronics Co. LtdP通道30 V(D-S)MOSFET SOT23 VDS=30V ID=5.6A PD=2.5W获取价格
AO3407TWGMCSOT23 P通道VDS=30V ID=4.1A PD=350mW获取价格
AO3402TWGMCSOT23 N沟道MOSFETS VDS=30V ID=4A PD=0.35W获取价格
AO3415Guangdong Hottech Co. Ltd.低压MOSFET(P通道)SOT23 VDS=20V ID=4A PD=1.5W获取价格
AO3404Guangdong Hottech Co. Ltd.低压MOSFET(N通道)SOT23 VDS=30V PD=1.4W ID=5A获取价格
257-216-23-8PDGLENAIR[Glenair,Inc.] 257-216-23-8PD - Jam Nut Mount Hermetic Receptacles - Glenair, Inc.获取价格
HSBA20N15SHUASHUO SEMICONDUCTORN沟道 漏源电压(Vdss):150V 连续漏极电流(Id):23A 功率(Pd):72.6W获取价格
LMSZ5227BT3GLeshan Radio Co., Ltd.乐山无线电 SOD−123 Pd: 500mW Zzk: 24Ω获取价格
NCE0224KWUXI NCE POWER CO., Ltd.N沟道 漏源电压(Vdss):200V 连续漏极电流(Id):24A 功率(Pd):150W获取价格
SMAJ24AMicrodiode Electronics (Shenzhen)Co.,LtdPD=400W,VRM=24V,VBR=26.7~29.5V,VC=38.9V 获取价格
PD67124MDC-GGGGMICROSEMI[MicrosemiCorporation] PD67124MDC-GGGG - 24-Channel PoE AF and AT DIMM - Microsemi Corporation获取价格
PD67108MAC-GGGGMICROSEMI[MicrosemiCorporation] PD67108MAC-GGGG - 24-Channel PoE AF and AT DIMM - Microsemi Corporation获取价格
PD001-CADR24P-TEC[P-tecCorporation] PD001-CADR24 - Single Digit Mini 7 Segment 0.3” Display - P-tec Corporation获取价格
FS8855-24PDETC1[ListofUnclassifedManufacturers] FS8855-24PD - 500mA LDO Linear Regulator - List of Unclassifed Manufacturers获取价格
FS8853-24PDETC[ListofUnclassifedManufacturers] FS8853-24PD - 300mA LDO Linear Regulator - List of Unclassifed Manufacturers获取价格
T1076PULSE[PulseATechnitrolCompany] T1076 - TELECOMMUNICATIONS PRODUCTS - Pulse A Technitrol Company获取价格
MAX1276MAXIM[MaximIntegratedProducts] MAX1276 - 1.8Msps, Single-Supply, Low-Power, True- Differential, 12-Bit ADCs with Internal Reference - Maxim Integrated Products获取价格
CY7C1276V18-400BZICYPRESS[CypressSemiconductor] CY7C1276V18-400BZI - 36-Mbit QDR™-II SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) - Cypress Semiconductor获取价格
CY7C1276KV18CYPRESS[CypressSemiconductor] CY7C1276KV18 - 36-Mbit QDR® II SRAM 4-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) - Cypress Semiconductor获取价格