找到“TLV2442ID”相关的规格书共8,844个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| APT1204R7BFLLG | Microsemi | MOS管 N-channel Id=3.5A VDS=1200V TO247-3 | 获取价格 | ||
| IRFP250NPBF | Infineon Technologies | MOSFETs N-Channel VDS=200V ID=30A TO247AC | 获取价格 | ||
| PSMN2R0-30YLE,115 | Nexperia | MOS管 N-channel Id=100A VDS=30V SOT669 | 获取价格 | ||
| SI7450DP-T1-E3 | Vishay Intertechnology, Inc. | MOSFETs N-Channel VDS=200V ID=3.2A PowerPAK® SO-8 | 获取价格 | ||
| DMN30H4D0L-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH VDS=300V ID=0.25A VGS=±20V SOT23 | 获取价格 | ||
| IRFU024NPBF | Infineon Technologies | MOS管 N-channel Id=17A VDS=55V I-Pak | 获取价格 | ||
| DMN66D0LT-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH VDS=60V ID=115mA VGS=±20V SOT-523 | 获取价格 | ||
| DMP3050LVT-7 | Diodes Incorporated | P沟道增强型MOSFET VDS=30V ID=4.5A PD=1.6W TSOT26 | 获取价格 | ||
| IRFP4368PBF | Infineon Technologies | MOS管 N-channel Id=0.35A VDS=75V TO-247AC | 获取价格 | ||
| IRFP264PBF | Vishay Intertechnology, Inc. | MOSFETs N-Channel VDS=250V RDS=75mΩ ID=38A P=280W | 获取价格 | ||
| ZVN4206A | Diodes Incorporated | 通孔 N channel VDS=60V VGS=±20V ID=600mW TO-92 | 获取价格 | ||
| IRFR3710ZTRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs DPAK VDSS=100V RDS(on)=18mΩ ID=42A | 获取价格 | ||
| CSD13381F4 | Texas Instruments | N沟道 漏源电压(Vdss)：12V 连续漏极电流(Id)：2.1A 功率(Pd)：500mW | 获取价格 | ||
| ZVN4525GTA | Diodes Incorporated | 250V N沟道增强型MOSFET SOT223 ID=310mA VGS=±40V | 获取价格 | ||
| AO3400 | JSMICRO SEMICONDUCTOR | N沟道 VDS=30V VGS=±12V ID=5.8A P=350mW | 获取价格 | ||
| NCE3009S | WUXI NCE POWER CO., Ltd. | N沟道 VDS=30V VGS=±20V ID=9A P=2.5W | 获取价格 | ||
| L2SK3018WT1G | Leshan Radio Co., Ltd. | MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=100A RDS(ON)=5Ω SC70 | 获取价格 | ||
| NTR4003N | SLKORMICRO Electronics Co., Ltd | N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：560mA 功率(Pd)：690mW | 获取价格 | ||
| JMTL3400A | JieJie Microelectronics Co., Ltd. | N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.8A 功率(Pd)：1.36W | 获取价格 | ||
| NCE3007S | WUXI NCE POWER CO., Ltd. | P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.1A 功率(Pd)：1.3W | 获取价格 |
