找到“UGN3140UA”相关的规格书共5,828个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| 1N4148WS | BORN Semiconductor (Shenzhen) Co. Ltd. | 功率：200mW 直流反向耐压(Vr)：71V 平均整流电流(Io)：150mA 正向压降(Vf)：1.25V@150mA 反向电流(Ir)：1uA@75V 反向恢复时间(trr)：4ns | 获取价格 | ||
| SMF33A_R1_00001 | PANJIT SEMI CONDUCTOR | 极性：单向 反向截止电压(Vrwm)：33V 击穿电压(最小值)：36.7V 击穿电压(最大值)：40.6V 反向漏电流(Ir)：1uA 峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs：3.8A 最大钳位电压：53.3V | 获取价格 | ||
| SL2301 | SLKORMICRO Electronics Co., Ltd | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.8A 功率(Pd)：400mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：112mΩ@4.5V,2.8A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@250uA | 获取价格 | ||
| SL2302S | SLKORMICRO Electronics Co., Ltd | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.6A 功率(Pd)：900mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：85mΩ@4.5V,2.6A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA | 获取价格 | ||
| US1M | Jingdao | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：1kV 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.65V@1A 反向电流(Ir)：5uA@1kV 反向恢复时间(trr)：75ns | 获取价格 | ||
| SL3407 | SLKORMICRO Electronics Co., Ltd | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.1A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：65mΩ@10V,4.1A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250uA | 获取价格 | ||
| SL2300 | SLKORMICRO Electronics Co., Ltd | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：4.2A 功率(Pd)：1.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：30mΩ@4.5V,4.2A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@250uA | 获取价格 | ||
| SC8205S | FM | 类型：2个N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：25mΩ@10V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA | 获取价格 | ||
| MMSZ5241BS-7-F | Diodes Incorporated | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：11V 稳压值(范围)：10.45V~11.55V 功率：200mW 反向电流(Ir)：2uA@8.4V 阻抗(Zzt)：22Ω | 获取价格 | ||
| SMF8.0A | WPMTEK TECHNOLOGY INCORPORATED CO. | TVS二极管 单向 反向断态电压 V(RWM)：8V 反向漏电流 IR @V(RWM)：25uA@8V 钳位电压（VC@ Ipp）：9.83V 击穿电压 V(BR) @IT：8.89V 封装/外壳：SOD-123FL | 获取价格 | ||
| PMF170XP,115 | Nexperia | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：1A 功率(Pd)：290mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：200mΩ@4.5V,1A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.15V@250uA | 获取价格 | ||
| 1N4148WS | SICHUAN BLUE COLOUR ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD. | 功率：200mW 直流反向耐压(Vr)：75V 平均整流电流(Io)：150mA 正向压降(Vf)：1.25V@150mA 反向电流(Ir)：1uA@75V 反向恢复时间(trr)：4ns | 获取价格 | ||
| SS3H10-E3--57T | Vishay Intertechnology, Inc. | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：100V 平均整流电流(Io)：3A 正向压降(Vf)：800mV@3A 反向电流(Ir)：20uA@100V | 获取价格 | ||
| HER208 | MDD辰达半导体 | 直流反向耐压(Vr)：1kV 平均整流电流(Io)：2A 正向压降(Vf)：1.7V@2A 反向电流(Ir)：5uA@1kV 反向恢复时间(trr)：70ns 工作温度：-65℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| TS2264A(MSOP-8) | Trusignal Microelectronics | 6.5MHz 轨到轨 5V/us Iq=580uA(per amp) Vos=3.5mV(Max) 双通道 产品性能媲美TI的OPA2374、ST的TSV912、MicroChip的MCP6282等 | 获取价格 | ||
| ZXMP6A17E6TA | Diodes Incorporated | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：1.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：125mΩ@10V,2.3A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@250uA | 获取价格 | ||
| 1SMB5931B-13 | Diodes Incorporated | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：18V 稳压值(范围)：17.1V~18.9V 精度：±5% 功率：550mW 反向电流(Ir)：1uA@13.7V 阻抗(Zzt)：12Ω | 获取价格 | ||
| 1SMB5942BT3G | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：51V 稳压值(范围)：48.45V~53.55V 精度：±5% 功率：550mW 反向电流(Ir)：1uA@38.8V 阻抗(Zzt)：70Ω | 获取价格 | ||
| 1SMB5937BT3G | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：33V 稳压值(范围)：31.35V~34.65V 精度：±5% 功率：550mW 反向电流(Ir)：1uA@25.1V 阻抗(Zzt)：33Ω | 获取价格 | ||
| BZT52C2V4-7-F | Diodes Incorporated | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：2.4V 稳压值(范围)：2.2V~2.6V 功率：370mW 反向电流(Ir)：50uA@1V 阻抗(Zzt)：100Ω | 获取价格 |
