找到“UGN3140UA”相关的规格书共5,828个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| RS2A | MDD辰达半导体 | 二极管配置:-;直流反向耐压(Vr):50V;平均整流电流(Io):2A;正向压降(Vf):1.3V@2A;反向电流(Ir):5uA@50V;反向恢复时间(trr):150ns;工作温度:-50℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| KBPC608 | MDD辰达半导体 | 直流反向耐压(Vr):800V;平均整流电流(Io):3A;正向压降(Vf):1V@3A;反向电流(Ir):10uA@800V;正向浪涌电流(Ifsm):125A;工作温度:-55℃~+125℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| SMF100CA | JSMICRO SEMICONDUCTOR | 极性:双向;反向截止电压(Vrwm):100V;击穿电压(最小值):111V;击穿电压(最大值):123V;反向漏电流(Ir):1uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:1.2A;最大钳位电压:162V; | 获取价格 | ||
| P6KE480CA/B | Brightking | 极性:双向;反向截止电压(Vrwm):408V;击穿电压:456V;反向漏电流(Ir):1uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:900mA;最大钳位电压:658V; | 获取价格 | ||
| P6KE51A/B | Brightking | 极性:单向;反向截止电压(Vrwm):43.6V;击穿电压:48.5V;反向漏电流(Ir):1uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:8.7A;最大钳位电压:70.1V; | 获取价格 | ||
| SA5.0CA/B | Brightking | 极性:双向;反向截止电压(Vrwm):5V;击穿电压:6.4V;反向漏电流(Ir):600uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:55.4A;最大钳位电压:9.2V; | 获取价格 | ||
| P6KE100CA/B | Brightking | 极性:双向;反向截止电压(Vrwm):85.5V;击穿电压:95V;反向漏电流(Ir):1uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:4.5A;最大钳位电压:137V; | 获取价格 | ||
| P6KE16CA/B | Brightking | 极性:双向;反向截止电压(Vrwm):13.6V;击穿电压:15.2V;反向漏电流(Ir):1uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:27.1A;最大钳位电压:22.5V; | 获取价格 | ||
| P6KE75CA/B | Brightking | 极性:双向;反向截止电压(Vrwm):64.1V;击穿电压:71.3V;反向漏电流(Ir):1uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:5.9A;最大钳位电压:103V; | 获取价格 | ||
| P6KE250CA/B | Brightking | 极性:双向;反向截止电压(Vrwm):214V;击穿电压:237V;反向漏电流(Ir):1uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:1.8A;最大钳位电压:344V; | 获取价格 | ||
| P6KE68A | Createk Microelectronics | 极性:单向;反向截止电压(Vrwm):58.1V;击穿电压:64.6V;反向漏电流(Ir):1uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:6.5A;最大钳位电压:92V; | 获取价格 | ||
| P6KE110CA | Createk Microelectronics | 极性:双向;反向截止电压(Vrwm):94V;击穿电压:105V;反向漏电流(Ir):1uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:3.9A;最大钳位电压:152V; | 获取价格 | ||
| SAC45/B | Brightking | 极性:-;反向截止电压(Vrwm):45V;击穿电压:50V;反向漏电流(Ir):1uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:6.8A;最大钳位电压:77V; | 获取价格 | ||
| SPX3819M5-L-5-0(MS) | Mason semiconductor | 超低功耗1.5ua，最高工作电压24v，电流最大500ma，广泛用于各类便携式手持设备，智能穿戴，电子测量仪器，医疗电子等 | 获取价格 | ||
| SMT12N60 | Shenzhen HuaKe Semiconductor Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):12A;功率(Pd):145W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):800mΩ@10V,6A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| HFS13N50U | SemiHow Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):500V;连续漏极电流(Id):13A;功率(Pd):41W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):480mΩ@10V,6.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| HFS5N60U | SemiHow Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):4.5A;功率(Pd):44W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.5Ω@10V,2.25A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| HFS10N60U | SemiHow Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):9.5A;功率(Pd):50W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):800mΩ@10V,4.75A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| B1D10065KF | Shenzhen BASiC Semiconductor LTD., | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):650V;平均整流电流(Io):24A;正向压降(Vf):1.48V@10A;反向电流(Ir):70uA@650V; | 获取价格 | ||
| HY1603P | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):62A;功率(Pd):36W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.5mΩ@10V,31A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA; | 获取价格 |
