找到“UGN3140UA”相关的规格书共5,828个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
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| US1ML | DIYI ELECTRONIC | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):1kV;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):1.7V@1A;反向电流(Ir):5uA@1kV;反向恢复时间(trr):75ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BAV70WT1G | ON Semiconductor | 二极管配置：1对共阴极 功率：300mW 直流反向耐压(Vr)：100V 平均整流电流(Io)：200mA 正向压降(Vf)：1.25V@150mA 反向电流(Ir)：1uA@100V 反向恢复时间(trr)：6ns 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| 1.5KE33CA | EIC | 极性：双向 反向截止电压(Vrwm)：28.2V 击穿电压(最小值)：31.4V 击穿电压(最大值)：34.7V 反向漏电流(Ir)：1uA 最大钳位电压：45.7V 峰值脉冲功率(Ppp)@10/1000μs：1.5kW | 获取价格 | ||
| RHRG75120 | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：1.2kV 平均整流电流(Io)：75A 正向压降(Vf)：3.2V@75A 反向电流(Ir)：250uA@1.2kV 反向恢复时间(trr)：100ns 工作温度：-65℃~+175℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| MUR1100EG | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：1kV 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.75V@1A 反向电流(Ir)：10uA@1kV 反向恢复时间(trr)：100ns 工作温度：-65℃~+175℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| SMMSD4148T1G | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 功率：200mW 直流反向耐压(Vr)：100V 平均整流电流(Io)：200mA 正向压降(Vf)：1V@10mA 反向电流(Ir)：5uA@75V 反向恢复时间(trr)：4ns 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| 1N4448WS | Jingdao | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：75V 平均整流电流(Io)：250mA 正向压降(Vf)：1.25V@150mA 反向电流(Ir)：2.5uA@75V 反向恢复时间(trr)：4ns | 获取价格 | ||
| 2N7002KC | Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | N沟道增强型场效应晶体管 60V 300mA 1.9Ω@10V,300mA 300mW 1.5V@250uA 2pF@30V N Channel 27pF@30V 1.65nC@10V -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23 | 获取价格 | ||
| 1N4148W | Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. | 二极管配置：独立式 功率：400mW 直流反向耐压(Vr)：75V 平均整流电流(Io)：150mA 正向压降(Vf)：1V@10mA 反向电流(Ir)：5uA@75V 反向恢复时间(trr)：8ns | 获取价格 | ||
| 1N4148W | JSMICRO SEMICONDUCTOR | 二极管配置：独立式 功率：400mW 直流反向耐压(Vr)：100V 平均整流电流(Io)：300mA 正向压降(Vf)：1.25V@150mA 反向电流(Ir)：1uA@75V 反向恢复时间(trr)：8ns | 获取价格 | ||
| 1N4148WT | Tech Public Electronics Co.,Ltd. | 二极管配置：独立式 功率：200mW 直流反向耐压(Vr)：75V 平均整流电流(Io)：150mA 正向压降(Vf)：1V@10mA 反向电流(Ir)：5uA@75V 反向恢复时间(trr)：4ns | 获取价格 | ||
| 2N7002EM3T5G | Tech Public Electronics Co.,Ltd. | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：350mA 功率(Pd)：150mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.5Ω@4.5V,200mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.85V@250uA 输入电容(Ciss@Vds)：42pF@10V 工作温度：+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| AO7407 | Tech Public Electronics Co.,Ltd. | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：290mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：100mΩ@4.5V,2.3A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：700mV@250uA 输入电容(Ciss@Vds)：640pF@8V 反向传输电容(Crss@Vds)：82pF@8V 工作温度：+125℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| HER104 | MDD辰达半导体 | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：300V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.3V@1A 反向电流(Ir)：5uA@300V 反向恢复时间(trr)：50ns 工作温度：-65℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| BAS16TW-7-F | Diodes Incorporated | 二极管配置：独立式 功率：200mW 直流反向耐压(Vr)：75V 平均整流电流(Io)：150mA 正向压降(Vf)：1.25V@150mA 反向电流(Ir)：1uA@75V 反向恢复时间(trr)：4ns 工作温度：-65℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| NTTFS4929NTWG | ON Semiconductor | N沟道 , 30V , 34A , 22.3W , 8.8mΩ@10V,10A , 1.6V@250uA , 8.8nC@4.5V , 920pF@15V , 175pF@15V , -55℃~+150℃@(Tj) , | 获取价格 | ||
| MUR480ERLG | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：800V 平均整流电流(Io)：4A 正向压降(Vf)：1.85V@4A 反向电流(Ir)：25uA@400V 反向恢复时间(trr)：100ns 工作温度：-65℃~+175℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| FR157G | Changzhou Galaxy microelectronics Limited | 二极管配置:-;直流反向耐压(Vr):1kV;平均整流电流(Io):1.5A;正向压降(Vf):1.3V@1.5A;反向电流(Ir):5uA@1kV;反向恢复时间(trr):500ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| ES5CC | Jingdao | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):150V;平均整流电流(Io):5A;正向压降(Vf):1V@5A;反向电流(Ir):5uA@150V;反向恢复时间(trr):35ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SC4226-T1 | NEC Electronics | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):12V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):150mW;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):-;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):70@3mA,7V;特征频率(fT):4.5GHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 |
