找到“UGN3140UA”相关的规格书共5,828个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| KL2501M-W | Kinglight | 晶体管光耦（DC)，电流传输比130~260%，正向电压1.2V,反向电流10uA，Min击穿电压80V，Max暗电流100nA，隔离电压5000V，总消耗功率200mW，上升时间3us，下降时间5us，工作温度-55~+110℃，DIP4（尺寸6.5x4.59x3.5mm），M脚-铜线 | 获取价格 | ||
| BU406 | Inchange Semiconductor Company Limited | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):200V;集电极电流(Ic):7A;功率(Pd):2W;集电极截止电流(Icbo):5uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1V@5A,500mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):50@1A,5V;特征频率(fT):10MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SC5200 | MINOS | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):230V;集电极电流(Ic):15A;功率(Pd):150W;集电极截止电流(Icbo):5uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):3V@8A,800mA;特征频率(fT):30MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| ES3G | Rubycon Corporation | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):400V;平均整流电流(Io):3A;正向压降(Vf):1.25V@3A;反向电流(Ir):1uA@400V;反向恢复时间(trr):35ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| KIA08TB70DD | KIA | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):700V;平均整流电流(Io):8A;正向压降(Vf):1.8V@8A;反向电流(Ir):25uA@600V;反向恢复时间(trr):30ns;工作温度:-65℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 1N4148W | Tak Cheong Electronics(Holdings)Co.,Ltd. | 二极管配置：独立式 功率：400mW 直流反向耐压(Vr)：75V 平均整流电流(Io)：150mA 正向压降(Vf)：1V@10mA 反向电流(Ir)：5uA@75V 反向恢复时间(trr)：4ns | 获取价格 | ||
| YJL2312A | Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | N沟道增强型场效应晶体管 20V 6.8A 13.5mΩ@4.5V,6.8A 1.2W 620mV@250uA 75pF@10V N Channel 900pF@10V 9.2nC@4.5V -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23-3L | 获取价格 | ||
| 1N4148 | GOOD-ARK | 二极管配置：独立式 功率：500mW 直流反向耐压(Vr)：75V 平均整流电流(Io)：150mA 正向压降(Vf)：1V@10mA 反向电流(Ir)：5uA@75V 反向恢复时间(trr)：4ns | 获取价格 | ||
| PMBD7100,215 | Nexperia | 二极管配置：1对共阴极 功率：250mW 直流反向耐压(Vr)：100V 平均整流电流(Io)：215mA 正向压降(Vf)：1.25V@150mA 反向电流(Ir)：2.5uA@100V 反向恢复时间(trr)：4ns 工作温度：+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| YJL3404A | Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | N沟道增强型场效应晶体管 30V 5.6A 21mΩ@10V,5.6A 1.2W 1.5V@250uA 68pF@15V N Channel 490pF@15V 5.2nC@10V -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23-3L | 获取价格 | ||
| 1N4148W | BORN Semiconductor (Shenzhen) Co. Ltd. | 二极管配置：独立式 功率：500mW 直流反向耐压(Vr)：75V 平均整流电流(Io)：150mA 正向压降(Vf)：1.25V@100mA 反向电流(Ir)：5uA@75V 反向恢复时间(trr)：4ns | 获取价格 | ||
| MURB1620CTRT4G | ON Semiconductor | 二极管配置：1对共阳极 直流反向耐压(Vr)：200V 平均整流电流(Io)：8A 正向压降(Vf)：1.2V@8A 反向电流(Ir)：5uA@200V 反向恢复时间(trr)：85ns 工作温度：-65℃~+175℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| BAV70LT1G | ON Semiconductor | 二极管配置：1对共阴极 功率：300mW 直流反向耐压(Vr)：100V 平均整流电流(Io)：200mA 正向压降(Vf)：1.25V@150mA 反向电流(Ir)：1uA@100V 反向恢复时间(trr)：6ns 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| 1N4148WS-E3-08 | Vishay Intertechnology, Inc. | 功率：200mW 直流反向耐压(Vr)：100V 平均整流电流(Io)：150mA 正向压降(Vf)：1.2V@100mA 反向电流(Ir)：100uA@100V 反向恢复时间(trr)：4ns 工作温度：+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| BAS16-7-F | Diodes Incorporated | 二极管配置：独立式 功率：350mW 直流反向耐压(Vr)：75V 平均整流电流(Io)：200mA 正向压降(Vf)：1.25V@150mA 反向电流(Ir)：1uA@75V 反向恢复时间(trr)：4ns 工作温度：-65℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| MMBD914LT3G | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 功率：300mW 直流反向耐压(Vr)：100V 平均整流电流(Io)：200mA 正向压降(Vf)：1V@10mA 反向电流(Ir)：5uA@75V 反向恢复时间(trr)：4ns 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| MMBD914LT1G | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 功率：300mW 直流反向耐压(Vr)：100V 平均整流电流(Io)：200mA 正向压降(Vf)：1V@10mA 反向电流(Ir)：5uA@75V 反向恢复时间(trr)：4ns 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| SMF10A | JSMICRO SEMICONDUCTOR | 极性:单向;反向截止电压(Vrwm):10V;击穿电压(最小值):11.1V;击穿电压(最大值):12.3V;反向漏电流(Ir):2.5uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:11.8A;最大钳位电压:17V; | 获取价格 | ||
| OPA504ASOT236 | AnalogySemi | 通道 1 静态电流/通道(uA) 0.57 输入偏置电流(pA) 0.1 失调电压(uV) 210 失调电压漂移(uV/℃) 1.2 共模抑制比(dB) 95 供电电压(V) 1.6-5.5 带宽(MHz) 0.011 压摆率(V/uS) 0.003 增益(dB) 120 噪声谱密度(nV/rtHz) 214 IN/OUT -40℃~125℃· | 获取价格 | ||
| ASDM30P30CTD | Ascend Frequency Devices | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):30A;功率(Pd):17W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):15mΩ@10V,9A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):15nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 |
