找到“VGS-25-XX”相关的规格书共376,084个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| CS4N60A3R | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):75W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.5Ω@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| CS460FA9H | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):500V;连续漏极电流(Id):20A;功率(Pd):85W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):300mΩ@10V,10A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| CS16N06AE-G | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):16A;功率(Pd):3.1W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):10mΩ@10V,8A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA; | 获取价格 | ||
| AO5404E-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):700mA;功率(Pd):400mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):270mΩ@4.5V,1A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250uA; | 获取价格 | ||
| GT025N06AT | Goford Semiconductor Co.,Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):170A;功率(Pd):215W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.6mΩ;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.6V; | 获取价格 | ||
| HD30N03 | HL | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):20A;功率(Pd):1.8W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):19mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA; | 获取价格 | ||
| HF13N50 | HL | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):500V;连续漏极电流(Id):13A;功率(Pd):48W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):480mΩ@10V,6.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| HF10N60 | HL | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):9.5A;功率(Pd):50W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):800mΩ@10V,4.75A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| BSC014N03MS G | Infineon Technologies | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):30A;功率(Pd):2.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.4mΩ@10V,30A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250uA; | 获取价格 | ||
| BSZ300N15NS5 | Infineon Technologies | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):150V;连续漏极电流(Id):32A;功率(Pd):62.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@10V,16A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4.6V@32uA; | 获取价格 | ||
| BSC0925ND | Infineon Technologies | 类型:2个N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):15A;功率(Pd):2.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250uA; | 获取价格 | ||
| BSC0500NSI | Infineon Technologies | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):100A;功率(Pd):69W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.3mΩ@10V,30A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250uA; | 获取价格 | ||
| BUK9M12-60EX | Rubycon Corporation | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):54A;功率(Pd):79W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):11mΩ@10V,15A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.1V@1mA; | 获取价格 | ||
| BUK7M33-60E,115 | Rubycon Corporation | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):24A;功率(Pd):44W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):33mΩ@10V,5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@1mA; | 获取价格 | ||
| 2N7002BKM,315 | Rubycon Corporation | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):450mA;功率(Pd):360mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.6Ω@10V,500mA;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.1V@250uA; | 获取价格 | ||
| BUK9637-100E,118 | Rubycon Corporation | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):31A;功率(Pd):96W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):36mΩ@10V,10A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.1V@1mA; | 获取价格 | ||
| BUK7K35-60EX | Rubycon Corporation | 类型:2个N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):20.7A;功率(Pd):38W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@10V,5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@1mA; | 获取价格 | ||
| BSS8402DW-13-F | Diodes Incorporated | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):50V;连续漏极电流(Id):130mA;功率(Pd):200mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2Ω@5V,1mA;阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@1mA; | 获取价格 | ||
| FDT86113LZ | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):3.3A;功率(Pd):2.2W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):100mΩ@10V,3.3A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA; | 获取价格 | ||
| FDS6892A | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:2个N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):7.5A;功率(Pd):900mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):18mΩ@4.5V,7.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA; | 获取价格 |
