找到“X9319US8IZ”相关的规格书共5,198个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
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| SL3120R | SLKORMICRO Electronics Co., Ltd | 通道数:2;输入类型:DC;共模瞬变抗扰度CMTI:20kV/us;传播延迟tpLH/tpHL:255ns,195ns;电源电压:15V~30V;工作温度:-40℃~+100℃; | 获取价格 | ||
| LRC8804FDT1G | Leshan Radio Co., Ltd. | 反向截止电压(Vrwm):5V;击穿电压(VBR):6V;反向漏电流(IR):1uA;峰值脉冲电流(Ipp)@8/20us:75A;钳位电压(Vc)@Ipp:8.5V;结电容(Cj)@1MHz:0.25pF; | 获取价格 | ||
| TLE2062CD | Texas Instruments | JFET输入放大器 放大器组数：2 增益带宽积(GBP)：2MHz 压摆率(SR)：3.4V/us 输入失调电压(Vos)：900uV 输入偏置电流(Ib)：4pA SOIC8_150MIL | 获取价格 | ||
| RN49A2,LF(CT | TOSHIBA CORPORATION | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 200mW Surface Mount US6 | 获取价格 | ||
| PJDLC05_R1_00001 | PANJIT SEMI CONDUCTOR | 截止电压(Vrwm)：5V (最大值) 峰值脉冲电流(8/20us)：1A 极性：双向 最大钳位电压：9.8V - 击穿电压(最小值)：6V VBR=6V,Vc=9.8V,Ipp=1A | 获取价格 | ||
| LESD9D3.3CT5G | Leshan Radio Co., Ltd. | 反向关断电压（典型值）：3.3V (Max) 击穿电压（最小值）：5A 峰值脉冲电流（10/1000us）：11.2A 极性：Bidirectional 箝位电压：14.1V | 获取价格 | ||
| SENC23T3V2B | ElecSuper | 反向关断电压（典型值）:3.3V(Max) 击穿电压（最小值）:4.5V 箝位电压:8.5V 峰值脉冲电流:24A (8/20us) 极性:Bidirectional | 获取价格 | ||
| 5.0SMDJ16A | WPMTEK TECHNOLOGY INCORPORATED CO. | 反向关断电压（典型值）：16V 击穿电压（最小值）：17.8V 峰值脉冲电流（10/1000us）：193A 极性：Unidirectional 箝位电压：26V SMC(DO-214AB) | 获取价格 | ||
| TS2264A(MSOP-8) | Trusignal Microelectronics | 6.5MHz 轨到轨 5V/us Iq=580uA(per amp) Vos=3.5mV(Max) 双通道 产品性能媲美TI的OPA2374、ST的TSV912、MicroChip的MCP6282等 | 获取价格 | ||
| SAC6.0/B | Brightking | 单向TVS 6V截止 41A峰值脉冲 反向截止电压(Vrwm):6V 最大钳位电压:11.2V 峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000us:41A 击穿电压:7.9V | 获取价格 | ||
| FOD8342TR2 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 通道数:1;隔离电压:5kV;输入类型:DC;共模瞬变抗扰度CMTI:20kV/us;传播延迟tpLH/tpHL:210ns,210ns;电源电压:10V~30V;工作温度:-40℃~+100℃; | 获取价格 | ||
| FOD4216SD | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 可控硅类型:双向可控硅;正向电压:1.28V;正向电流:30mA;断态峰值电压(Vdrm):600V;静态dv/dt:10000V/us;输出电流(It(rms)):-; | 获取价格 | ||
| HCPL2630 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 通道数:2;隔离电压:2.5kV;输入类型:DC;共模瞬变抗扰度CMTI:10kV/us;数据速率:10Mbit/s;传播延迟tpLH/tpHL:75ns,75ns;电源电压:4.5V~5.5V;工作温度:-40℃~+85℃; | 获取价格 | ||
| FODM3022R2-NF098 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 可控硅类型:双向可控硅;正向电压:1.2V;正向电流:60mA;断态峰值电压(Vdrm):400V;静态dv/dt:10V/us;输出电流(It(rms)):70mA; | 获取价格 | ||
| MC33174DR2G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 运放类型:General Purpose;放大器组数:4;增益带宽积（GBP）:1.8MHz;压摆率（SR）:2.1 V/us;电源电压:3V ~ 44V, ±1.5V ~ 22V;各通道供电电流:220uA; | 获取价格 | ||
| CT3021(S)(T1) | CT Micro | 可控硅类型:双向可控硅;正向电压:1.5V;正向电流:60mA;断态峰值电压(Vdrm):400V;静态dv/dt:100V/us;输出电流(It(rms)):-; | 获取价格 | ||
| TLP525G(F | TOSHIBA CORPORATION | 可控硅类型:双向可控硅;正向电压:1.15V;正向电流:50mA;断态峰值电压(Vdrm):400V;静态dv/dt:500V/us;输出电流(It(rms)):100mA; | 获取价格 | ||
| LM358N | Shenzhen Xinbole Electronics Co., Ltd. | 双路运算放大器，输入偏置电流 Iib(Typ)50nA，增益带宽积GBW(Typ) 1MHZ，失调电压 VOS（Max)5mV，转换速率Slew rate(V/us)0.6，工作电压（Vcc）(v)3-32V | 获取价格 | ||
| LMV358ADTR | Shenzhen Xinbole Electronics Co., Ltd. | 低压Rail to rail CMOS双运放，工作电压（Vcc）(v) 2.3-5.5V，增益带宽积GBW(Typ) 1MHZ，失调电压 VOS（Max) 1mV，转换速率Slew rate(V/us)0.8，输入偏置电流 Iib(Typ) 1PA | 获取价格 | ||
| LM2904DTR | Shenzhen Xinbole Electronics Co., Ltd. | 双路运算放大器，输入偏置电流 Iib(Typ)45nA，增益带宽积GBW(Typ) 1MHZ，失调电压 VOS（Max)5mV，转换速率Slew rate(V/us)0.6，工作电压（Vcc）(v)3-32V | 获取价格 |
