找到“X9319US8IZ”相关的规格书共5,198个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| SENC3D12V1U | ElecSuper | 反向关断电压（典型值）:12V(Max) 击穿电压（最小值）:13.3V 箝位电压:33V 峰值脉冲电流:12A (8/20us) 极性:Unidirectional | 获取价格 | ||
| PDCSD15CW | Jiangsu xingeno Electronic Technology Co., Ltd | 截止电压(Vrwm)：15V (最大值) 峰值脉冲电流(8/20us)：10A 极性：双向 最大钳位电压：25V 击穿电压(最小值)：16.5V | 获取价格 | ||
| PDCSM12 | Jiangsu xingeno Electronic Technology Co., Ltd | 截止电压(Vrwm)：12V (最大值) 峰值脉冲电流(8/20us)：13A 极性：单向 最大钳位电压：27V 击穿电压(最小值)：13.3V | 获取价格 | ||
| PDCSD12 | Jiangsu xingeno Electronic Technology Co., Ltd | 截止电压(Vrwm)：12V (最大值) 峰值脉冲电流(8/20us)：13A 极性：单向 最大钳位电压：24V 击穿电压(最小值)：13.3V | 获取价格 | ||
| SENC3D3V1U | ElecSuper | 反向关断电压（典型值）:3.3V(Max) 击穿电压（最小值）:4.5V 箝位电压:19V 峰值脉冲电流:24A (8/20us) 极性:Unidirectional | 获取价格 | ||
| SENC3D36V1U | ElecSuper | 反向关断电压（典型值）:36V(Max) 击穿电压（最小值）:45V 箝位电压:50V 峰值脉冲电流:3A (8/20us) 极性:Unidirectional | 获取价格 | ||
| SJD12C60L01 | Brightking | 反向关断电压（典型值）：60V 击穿电压（最小值）：66.7V 峰值脉冲电流（10/1000us）：2.1A 极性：Bidirectional 箝位电压：96.8V | 获取价格 | ||
| SENC2F12V1BA | ElecSuper | 反向关断电压（典型值）:12V(Max) 击穿电压（最小值）:13.5V 箝位电压:16V 峰值脉冲电流:6A (8/20us) 极性:Bidirectional | 获取价格 | ||
| 5.0SMDJ22CA | WPMTEK TECHNOLOGY INCORPORATED CO. | 反向关断电压（典型值）：22V 击穿电压（最小值）：24.4V 峰值脉冲电流（10/1000us）：141A 极性：Bidirectional 箝位电压：35.5V SMC(DO-214AB) | 获取价格 | ||
| 5.0SMDJ30A | WPMTEK TECHNOLOGY INCORPORATED CO. | 反向关断电压（典型值）：30V 击穿电压（最小值）：33.3V 峰值脉冲电流（10/1000us）：103A 极性：Unidirectional 箝位电压：48.4V SMC(DO-214AB) | 获取价格 | ||
| FOD8342TR2V | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 通道数:1;隔离电压:5kV;输入类型:DC;共模瞬变抗扰度CMTI:20kV/us;传播延迟tpLH/tpHL:210ns,210ns;电源电压:10V~30V;工作温度:-40℃~+100℃; | 获取价格 | ||
| NE5532DTR | Shenzhen Xinbole Electronics Co., Ltd. | 高性能低噪声双运算放大器，静态功耗Iq(Typ)8mA，工作电压（Vcc）(v)±2.5~±15V，增益带宽积GBW(Typ)(MHZ)10M ，失调电压 VOS（Max)5mV，转换速率Slew rate(V/us)0.9 | 获取价格 | ||
| DP0080SB | DC | 反向截止电压(Vdrm):6V;反向漏电流(Idrm):5uA;开关电压(Vs):25V;维持电流(Ih):50mA;通态电压(Vt):4V;通态电流(It):2.2A;峰值脉冲电流-Ipp(10/1000us):80A;断态电容(Co):100pF; | 获取价格 | ||
| BAW 78D H6327 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;功率:1W;直流反向耐压(Vr):400V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):2V@2A;反向电流(Ir):1uA@400V;反向恢复时间(trr):1us;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BAS45A,113 | Rubycon Corporation | 二极管配置:独立式;功率:300mW;直流反向耐压(Vr):125V;平均整流电流(Io):250mA;正向压降(Vf):1V@100mA;反向电流(Ir):1nA@125V;反向恢复时间(trr):1.5us;工作温度:+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FOD4116SV | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 可控硅类型:双向可控硅;过零电路:有;输出通道数:1;正向压降:1.25V;正向电流:30mA;断态峰值电压(Vdrm):600V;静态dv/dt:10000V/us;输出电流(It(rms)):-;隔离电压(rms):5kV;工作温度:-55℃~+100℃; | 获取价格 | ||
| P3100SA | Semiware Semiconductor Inc. | 反向截止电压(Vdrm):275V;反向漏电流(Idrm):5uA;开关电压(Vs):350V;维持电流(Ih):150mA;通态电压(Vt):4V;通态电流(It):2.2A;峰值脉冲电流-Ipp(10/1000us):45A;断态电容(Co):30pF; | 获取价格 | ||
| BEP3500SC | BORN Semiconductor (Shenzhen) Co. Ltd. | 反向截止电压(Vdrm):320V;反向漏电流(Idrm):5uA;开关电压(Vs):400V;维持电流(Ih):120mA;通态电压(Vt):4V;通态电流(It):2.2A;峰值脉冲电流-Ipp(10/1000us):-;断态电容(Co):65pF; | 获取价格 | ||
| P2600SB | Semiware Semiconductor Inc. | 反向截止电压(Vdrm):220V;反向漏电流(Idrm):5uA;开关电压(Vs):300V;维持电流(Ih):120mA;通态电压(Vt):4V;通态电流(It):2.2A;峰值脉冲电流-Ipp(10/1000us):80A;断态电容(Co):80pF; | 获取价格 | ||
| P4200SC | Semiware Semiconductor Inc. | 反向截止电压(Vdrm):390V;反向漏电流(Idrm):5uA;开关电压(Vs):500V;维持电流(Ih):50mA;通态电压(Vt):4V;通态电流(It):2.2A;峰值脉冲电流-Ipp(10/1000us):100A;断态电容(Co):70pF; | 获取价格 |
