找到“bgf108l”相关的规格书共4,615个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| N25Q128A11TSF40F | NUMONYX[NumonyxB.V] | N25Q128A11TSF40F - 128-Mbit, 1.8 V, multiple I/O, 4-Kbyte subsector erase on boot sectors, XiP enabled, serial flash memory with 108 MHz SPI bus interface - Numonyx B.V | 获取价格 | ||
| N25Q128A11TF840G | NUMONYX[NumonyxB.V] | N25Q128A11TF840G - 128-Mbit, 1.8 V, multiple I/O, 4-Kbyte subsector erase on boot sectors, XiP enabled, serial flash memory with 108 MHz SPI bus interface - Numonyx B.V | 获取价格 | ||
| N25Q128A11ESF40G | NUMONYX[NumonyxB.V] | N25Q128A11ESF40G - 128-Mbit, 1.8 V, multiple I/O, 4-Kbyte subsector erase on boot sectors, XiP enabled, serial flash memory with 108 MHz SPI bus interface - Numonyx B.V | 获取价格 | ||
| N25Q128A11EF840G | NUMONYX[NumonyxB.V] | N25Q128A11EF840G - 128-Mbit, 1.8 V, multiple I/O, 4-Kbyte subsector erase on boot sectors, XiP enabled, serial flash memory with 108 MHz SPI bus interface - Numonyx B.V | 获取价格 | ||
| N25Q128A11BSF40F | NUMONYX[NumonyxB.V] | N25Q128A11BSF40F - 128-Mbit, 1.8 V, multiple I/O, 4-Kbyte subsector erase on boot sectors, XiP enabled, serial flash memory with 108 MHz SPI bus interface - Numonyx B.V | 获取价格 | ||
| GD32F107ZGT6 | Gigadevice | CPU内核:ARM Cortex-M3;CPU最大主频:108MHz;程序存储容量:1MB;程序存储器类型:FLASH;RAM总容量:96KB;GPIO端口数量:112; | 获取价格 | ||
| GD32F103CBT6 | Gigadevice | 32位MCU微控制器 2.6V~3.6V LQFP48_7X7MM CPU内核：ARM Cortex-M3 CPU最大主频：108MHz 程序存储容量：128KB 程序存储器类型：FLASH RAM总容量：20KB GPIO端口数量：37 | 获取价格 | ||
| GT22L16K1Y40-D | Shanghai Gaotong Semiconductor Co., Ltd | 字符集:BIG5/GB2312/JIS0208/KSC5601/UNICODE;点阵大小:5x7~16;时钟频率:108MHz;工作电压:2.7V~3.6V;工作电流:12mA;待机电流:2uA~13uA;工作温度:-40℃~+85℃; | 获取价格 | ||
| CR7N65A4K | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):7A;功率(Pd):108W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.2Ω@10V,3.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):24nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.08nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):3.2pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| ASDM60N80KQ-R | Ascend Frequency Devices | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):108W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6mΩ@10V,30A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):90nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):3.36nF@30V;反向传输电容(Crss@Vds):209pF@30V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| GD32F350R8T6 | Gigadevice | CPU内核:ARM Cortex-M4;CPU最大主频:108MHz;工作电压范围:2.6V~3.6V;内部振荡器:有;外部时钟频率范围:4MHz~32MHz;程序 FLASH容量:64KB;RAM总容量:16KB;EEPROM/数据 FLASH容量:-;GPIO端口数量:55;ADC(单元数/通道数/位数):1@x16ch/12bit;DAC(单元数/通道数/位数):1@x12bit;(E)PWM(单元数/通道数/位数):1@x16bit;8位Timer数量:-;16位Timer数量:6;32位Time | 获取价格 | ||
| GD32F350C6T6 | Gigadevice | CPU内核:ARM Cortex-M4;CPU最大主频:108MHz;工作电压范围:-;内部振荡器:-;外部时钟频率范围:-;程序 FLASH容量:32KB;RAM总容量:6KB;EEPROM/数据 FLASH容量:-;GPIO端口数量:39;ADC(单元数/通道数/位数):1@x10ch/12bit;DAC(单元数/通道数/位数):1@x12bit;(E)PWM(单元数/通道数/位数):-;8位Timer数量:-;16位Timer数量:7;32位Timer数量:1;内部比较器数量:2;U(S)ART路数 | 获取价格 | ||
| GD32F350G6U6TR | Gigadevice | CPU内核:ARM Cortex-M4;CPU最大主频:108MHz;工作电压范围:2.6V~3.6V;内部振荡器:有;外部时钟频率范围:4MHz~32MHz;程序 FLASH容量:32KB;RAM总容量:6KB;EEPROM/数据 FLASH容量:-;GPIO端口数量:24;ADC(单元数/通道数/位数):1@x10ch/12bit;DAC(单元数/通道数/位数):1@x12bit;(E)PWM(单元数/通道数/位数):1@x16bit;8位Timer数量:-;16位Timer数量:6;32位Timer | 获取价格 | ||
| HD60P03 | HL | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):50A;功率(Pd):60W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):13mΩ@10V,15A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):30nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.7nF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):108pF@15V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FDV045P20L | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):1.15A;功率(Pd):1.6W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):86mΩ@4.5V,1.15A;阈值电压(Vgs(th)@Id):900mV@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):4.4nC@0~2.5V;输入电容(Ciss@Vds):812pF@10V;反向传输电容(Crss@Vds):108pF@10V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 |
