找到“bts650p”相关的规格书共6,180个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| CS4N65A3HD1-G | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):75W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2Ω@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):14.5nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):544pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):8.5pF@25V;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| GN10N65A4 | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):10A;功率(Pd):110W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):900mΩ@10V,3.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):21.3nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.42nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):7.4pF@25V;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HF5N65(BEB) | HL | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):5A;功率(Pd):33W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2Ω@10V,2.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250μA;栅极电荷(Qg@Vgs):15nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):600pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):11pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BCP54-16,135 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):650mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,2V;特征频率(fT):180MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BCP55,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):650mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):63@150mA,2V;特征频率(fT):180MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC860CW,135 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):200mW;集电极截止电流(Icbo):15nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):650mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):420@2mA,5V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FAM65V05DF1 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | FAM65V05DF1 是一款 650 V， 50 A， AEC 认证的智能功率模块，提供了全功能、高性能逆变器输出级，适用于混合和电动车辆。这些模块集成了优化的门极驱动器以及场截止沟槽 IGBT 和软恢复二极管，可最大程度减小 EMI 和损耗，同时还能提供多种保护功能，且具有 12cm2 的很小占位。FAM65V05DF1 提供了简化板设计、缩短开发时间和降低系统成本的绝佳机会。 | 获取价格 | ||
| BC858CLT3G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):225mW;集电极截止电流(Icbo):15nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):650mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):520@2mA,5V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| NCE65T360D | WUXI NCE POWER CO., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):11.5A;功率(Pd):101W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):290mΩ@10V,7A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):19nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):870pF@50V;反向传输电容(Crss@Vds):1.8pF@50V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BCP51-16,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):650mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,2V;特征频率(fT):145MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| TPM3415ES3 | Tech Public Electronics Co.,Ltd. | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):1.4W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):29mΩ@4.5V,4A;阈值电压(Vgs(th)@Id):650mV@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):10.2nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):1.1811nF@10V;反向传输电容(Crss@Vds):114.8pF@10V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| AP60P02D | Taiwan APM Technology Limited By Share Ltd | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):60A;功率(Pd):60W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8Ω@4.5V,10A;阈值电压(Vgs(th)@Id):650mV@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):63nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):1.6nF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):300pF@15V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HYG020N04NA1P | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):220A;功率(Pd):200W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.8mΩ@10V,60A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.7V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):134.2nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):5.755nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):650pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BCP51-16,135 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):650mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,2V;特征频率(fT):145MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC847BPDW1T3G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:1个NPN,1个PNP;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):380mW;集电极截止电流(Icbo):15nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@100mA,5mA；650mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):290@2mA,5V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC847PN | Rubycon Corporation | 晶体管类型：1个NPN,1个PNP 集射极击穿电压(Vceo)：45V 集电极电流(Ic)：100mA 功率(Pd)：200mW 集电极截止电流(Icbo)：15nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：600mV@100mA,5mA；650mV@100mA,5mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：200@2mA,5V；特征频率(fT) 100MHz工作温度 +150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| BCP69,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):20V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):650mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@2A,200mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):85@500mA,1V;特征频率(fT):140MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BCP54,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):650mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):63@150mA,2V;特征频率(fT):180MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BCP68-25,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):20V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):650mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@2A,200mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):160@500mA,1V;特征频率(fT):170MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| SVF5N65F | Silan | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):5A;功率(Pd):30W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.1Ω@10V,2.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):13.63nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):471pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):5.5pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 |
