找到“ft5526eez”相关的规格书共9,154个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| 2N6042G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transistor, Bipol, Npn, 100V, To-220-3; Transistor Polarity:pnp; Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:-100V; Transition Frequency Ft:-; Power Dissipation Pd:75W; Dc Collector Current:-8A; Dc Current Gain Hfe:100Hfe; Transistor Case Rohs Compliant: Yes | 获取价格 | ||
| BC516-D27Z | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Trans, Pnp, -30V, -1A, 0.625W, To-92; Transistor Polarity:pnp; Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:-30V; Transition Frequency Ft:200Mhz; Power Dissipation Pd:625Mw; Dc Collector Current:-1A; Dc Current Gain Hfe:30000Hfe; Transistor Rohs Compliant: Yes | 获取价格 | ||
| D45H8G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):10A;功率(Pd):2W;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1V@8A,400mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):40@4A,1V;特征频率(fT):40MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BU406TU | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):200V;集电极电流(Ic):7A;功率(Pd):60W;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1V@5A,500mA;特征频率(fT):10MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FJP13007H1TU-F080 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):8A;功率(Pd):80W;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):3V@8A,2A;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):5@5A,5V;特征频率(fT):4MHz;工作温度:-65℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FJA13009TU | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):12A;功率(Pd):130W;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):3V@12A,3A;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):6@8A,5V;特征频率(fT):4MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BCP68,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):20V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):650mW;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@2A,200mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):85@500mA,1V;特征频率(fT):170MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2N3773T3BL | Sourcechips | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):140V;集电极电流(Ic):16A;功率(Pd):150W;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):4V@16A,3.2A;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):15@8A,4V;特征频率(fT):-;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SB1184 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1V@2A,200mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@500mA,3V;特征频率(fT):70MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC850C,215 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):250mW;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):520@2mA,5V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| S9015 | YFW | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):200mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@100mA,10mA;特征频率(fT):150MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| TIP31CG | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):100V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):40W;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1.2V@3A,375mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):10@3A,4V;特征频率(fT):3MHz;工作温度:-65℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| TIP42C | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):100V;集电极电流(Ic):6A;功率(Pd):2W;集电极截止电流(Icbo):400uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1.5V@6A,600mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):15@3A,4V;特征频率(fT):3MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| TIP41CT1TL | Sourcechips | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):100V;集电极电流(Ic):6A;功率(Pd):65W;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1.5V@6A,600mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):15@3A,4V;特征频率(fT):3MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BU406DT9TL | Sourcechips | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):200V;集电极电流(Ic):7A;功率(Pd):65W;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1V@5A,800mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):70@2A,5V;特征频率(fT):30MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HR13003 | HL | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):480V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):1.25W;集电极截止电流(Icbo):100uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):800mV@200mA,40mA;特征频率(fT):5MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| KTB1151-Y-U--PH | KEC CORPORATION | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):5A;功率(Pd):1.5W;集电极截止电流(Icbo):10μA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):140mV@2A,200mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):160@2A,1V;特征频率(fT):-;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 3DD4243DM-126 | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):20W;集电极截止电流(Icbo):5uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1.1V@2A,400mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):22@200mA,5V;特征频率(fT):-;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 3DD4243DT-92 | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):5uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1.1V@2A,400mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):22@200mA,5V;特征频率(fT):-;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SB1424 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):20V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@2A,100mA;特征频率(fT):240MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 |
