找到“ft5526eez”相关的规格书共9,154个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| S9015W | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):200mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@100mA,10mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):300@1mA,5V;特征频率(fT):150MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC857W,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):200mW;集电极截止电流(Icbo):15nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):250mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):125@2mA,5V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SD1899 | Inchange Semiconductor Company Limited | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):10μA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):250mV@1.5A,150mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@600mA,2V;特征频率(fT):120MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SB649A | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):160V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):10μA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1V@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,5V;特征频率(fT):140MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2N4920G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):30W;集电极截止电流(Icbo):100uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@1A,100mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):30@500mA,1V;特征频率(fT):3MHz;工作温度:-65℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| KTC4375-Y-RTF--P | KEC CORPORATION | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):2V@2A,500mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@500mA,2V;特征频率(fT):120MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| KTA1663-Y-RTF--P | KEC CORPORATION | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):2V@1.5A,30mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@500mA,2V;特征频率(fT):120MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BCX55-16 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,2V;特征频率(fT):130MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BCX55-10 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):63@150mA,2V;特征频率(fT):130MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| KTA1666 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@1A,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@500mA,2V;特征频率(fT):120MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| KTA1666-Y | Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@1A,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@500mA,2V;特征频率(fT):120MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SB1132-Q | Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):32V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):500nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@100mA,3V;特征频率(fT):150MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| KTA1663 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):2V@1.5A,30mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):160@500mA,2V;特征频率(fT):120MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC869-16 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):20V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@1A,1A;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@500mA,1V;特征频率(fT):40MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BCX53 AH HD | Guangdong Hottech Co. Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):40@150mA,2V;特征频率(fT):150MHz;工作温度:-65℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SC4672 DKQ 120-270 HL | Guangdong Hottech Co. Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):350mV@1A,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@500mA,2V;特征频率(fT):210MHz;工作温度:-; | 获取价格 | ||
| 2SD2153 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):25V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):500nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@1A,20mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):820@500mA,6V;特征频率(fT):110MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SB1440 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@1A,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@200mA,2V;特征频率(fT):80MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| S8550 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):25V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):625mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@50mA,1V;特征频率(fT):150MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| S9013-TA | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):25V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):625mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):144@50mA,1V;特征频率(fT):150MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 |
