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| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
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| CSMN9FF-10 | L-COM | 优良型D-Sub模制线缆，DB9母头/母头，10.0ft/3.0m - CSMN9FF-10 L-com的CSMN系列D-sub 线缆组件价格实惠但性能卓越。整个线缆完全屏蔽，防止电磁干扰/射频干扰导致数据损坏。模制后壳提供了优越的应变消除，而坚固耐用的26 AWG导线可直线连接，有利于兼容性。金属翼形螺丝确保快速和简单的连接。以适度的最低要求提供自定义长度和管脚。 | 获取价格 | ||
| CSMN15MF-15 | L-COM | 豪华级模制D-Sub 线缆, DB15 公头 / DB15 母头,15.0 ft / 4.6 m - CSMN15MF-15 L-com的CSMN系列D-sub线缆组件以经济的价格提高可靠的性能。整个线缆完全屏蔽，防止数据免受EMI/RFI损坏。模制后壳提供了优越的应变消除，而坚固耐用的26AWG导线可直线连接，有利于兼容性。金属翼形螺丝确保快速和简单的连接。以适度的最低要求提供自定义长度和管脚。 | 获取价格 | ||
| CSMN25MF-25 | L-COM | 豪华级模制D-Sub 线缆, DB25 公头 / DB25 母头,25.0 ft / 7.6 m - CSMN25MF-25 L-com的CSMN系列D-sub线缆组件以经济的价格提高可靠的性能。整个线缆完全屏蔽，防止数据免受EMI/RFI损坏。模制后壳提供了优越的应变消除，而坚固耐用的26AWG导线可直线连接，有利于兼容性。金属翼形螺丝确保快速和简单的连接。以适度的最低要求提供自定义长度和管脚。 | 获取价格 | ||
| CSMN9MF-5 | L-COM | 豪华级模制D-Sub 线缆, DB9 公头 / DB9 母头, 5.0 ft / 1.5 m - CSMN9MF-5 L-com的CSMN系列D-sub线缆组件以经济的价格提高可靠的性能。整个线缆完全屏蔽，防止数据免受EMI/RFI损坏。模制后壳提供了优越的应变消除，而坚固耐用的26AWG导线可直线连接，有利于兼容性。金属翼形螺丝确保快速和简单的连接。以适度的最低要求提供自定义长度和管脚。 | 获取价格 | ||
| CSMN25MM-10 | L-COM | 豪华级模制D-Sub 线缆, DB25 公头 / DB25 公头,10.0 ft / 3 m - CSMN25MM-10 L-com的CSMN系列D-sub线缆组件以经济的价格提高可靠的性能。整个线缆完全屏蔽，防止数据免受EMI/RFI损坏。模制后壳提供了优越的应变消除，而坚固耐用的26AWG导线可直线连接，有利于兼容性。金属翼形螺丝确保快速和简单的连接。以适度的最低要求提供自定义长度和管脚。 | 获取价格 | ||
| CHD26MM-2.5 | L-COM | 豪华级模制D-Sub 线缆, HD26 公头 / HD26 公头, 2.5 ft / 0.75 m - CHD26MM-2.5 L-com高密度D-sub线缆组件的CHD26系列以经济的价格提供了超强的性能。整个线缆完全屏蔽，防止数据免受EMI/RFI损坏。模制后壳提供了优越的应变消除，而坚固耐用的26AWG导线可直线连接，有利于兼容性。金属翼形螺丝确保快速和简单的连接。以适度的最低要求提供自定义长度和管脚。 | 获取价格 | ||
| CHD15MM-5 | L-COM | 豪华级模制D-Sub 线缆, HD15 公头 / HD15 公头, 5.0 ft / 1.5 m - CHD15MM-5 L-com高密度D-sub线缆组件的CHD15系列以经济的价格提供了超强的性能。整个线缆完全屏蔽，防止数据免受EMI/RFI损坏。模制后壳提供了优越的应变消除，而坚固耐用的26AWG导线可直线连接，有利于兼容性。金属翼形螺丝确保快速和简单的连接。以适度的最低要求提供自定义长度和管脚。 | 获取价格 | ||
| CHD26MM-10 | L-COM | 豪华级模制D-Sub 线缆, HD26 公头 / HD26 公头, 10.0 ft / 3.0 m - CHD26MM-10 L-com高密度D-sub线缆组件的CHD26系列以经济的价格提供了超强的性能。整个线缆完全屏蔽，防止数据免受EMI/RFI损坏。模制后壳提供了优越的应变消除，而坚固耐用的26AWG导线可直线连接，有利于兼容性。金属翼形螺丝确保快速和简单的连接。以适度的最低要求提供自定义长度和管脚。 | 获取价格 | ||
| CCS58AB-5 | L-COM | RG58C同轴线缆, SMA 公头 / BNC 公头, 5.0 ft/1.5 m - CCS58AB-5 此系列结合其中最受欢迎的50欧姆接口与日益流行的RG58C/U同轴线缆。压接式连接器的连接过程确保了线缆接头的安全连接。BNC连接器的模制应变消除和SMA连接器的热缩应变消除确保线缆组件良好的抗弯曲性。我们备有6种常用长度的产品库存，可立即发货。 | 获取价格 | ||
| CSMN25FF-15 | L-COM | 优良型D-Sub模制线缆，DB25母头/母头，15.0ft/4.6m - CSMN25FF-15 L-com的CSMN系列D-sub 线缆组件价格实惠但性能卓越。整个线缆完全屏蔽，防止电磁干扰/射频干扰导致数据损坏。模制后壳提供了优越的应变消除，而坚固耐用的26 AWG导线可直线连接，有利于兼容性。金属翼形螺丝确保快速和简单的连接。以适度的最低要求提供自定义长度和管脚。 | 获取价格 | ||
| CSMN15MM-5 | L-COM | 豪华级模制D-Sub 线缆, DB15 公头 / DB15 公头,5.0 ft / 1.5 m - CSMN15MM-5 L-com的CSMN系列D-sub线缆组件以经济的价格提高可靠的性能。整个线缆完全屏蔽，防止数据免受EMI/RFI损坏。模制后壳提供了优越的应变消除，而坚固耐用的26AWG导线可直线连接，有利于兼容性。金属翼形螺丝确保快速和简单的连接。以适度的最低要求提供自定义长度和管脚。 | 获取价格 | ||
| CSMN25MM-2.5 | L-COM | 豪华级模制D-Sub 线缆, DB25 公头 / DB25 公头,25.0 ft / 7.6 m - CSMN25MM-2.5 L-com的CSMN系列D-sub线缆组件以经济的价格提高可靠的性能。整个线缆完全屏蔽，防止数据免受EMI/RFI损坏。模制后壳提供了优越的应变消除，而坚固耐用的26AWG导线可直线连接，有利于兼容性。金属翼形螺丝确保快速和简单的连接。以适度的最低要求提供自定义长度和管脚。 | 获取价格 | ||
| BC858BW | Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):200mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):650mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):220@2mA,5V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 3DD13003A-126 | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):450V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):20W;集电极截止电流(Icbo):100uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@1.5A,500mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):20@5mA,5V;特征频率(fT):4MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BCV 62B E6327 | Infineon Technologies | 晶体管类型:2个PNP;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):300mW;集电极截止电流(Icbo):15nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):250mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):290@2mA,5V;特征频率(fT):250MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC 817K-25 E6433 | Infineon Technologies | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):700mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):250@100mA,1V;特征频率(fT):170MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BCW 60FF E6327 | Infineon Technologies | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):32V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):330mW;集电极截止电流(Icbo):20nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@50mA,1.25mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):350@2mA,5V;特征频率(fT):250MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC 859C E6327 | Infineon Technologies | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):330mW;集电极截止电流(Icbo):15nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):250mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):520@2mA,5V;特征频率(fT):250MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC 850CW H6327 | Infineon Technologies | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):250mW;集电极截止电流(Icbo):15nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):520@2mA,5V;特征频率(fT):250MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC846PNH6327 | Infineon Technologies | 晶体管类型:1个NPN和1个PNP;集射极击穿电压(Vceo):65V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):250mW;集电极截止电流(Icbo):15nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):290@2mA,5V;特征频率(fT):250MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 |
