找到“hw650ep”相关的规格书共16,189个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| DM650/TM/C | STATUS | STATUS - DM650/TM/C - Temperature Indicator, Digital, DM650TM Series, RTD, Thermocouple, LCD, 6 Digit, Sensor Mount | 获取价格 | ||
| CDRH4D28CLDNP-220PC | Sumida America Components Inc. | 电感值:22uH;精度:±25%;额定电流:650mA;饱和电流(Isat):650mA; | 获取价格 | ||
| IPA65R650CE | Infineon Technologies | MOSFETs 10.1A 650mΩ@10V,2.1A 650V 3.5V@210uA N Channel 28W TO-220 | 获取价格 | ||
| PPC405EP-3GB200CZ | AMCC[AppliedMicroCircuitsCorporation] | PPC405EP-3GB200CZ - PowerPC 405EP Embedded Processor - Applied Micro Circuits Corporation | 获取价格 | ||
| 4379R-102HS | API Delevan Inc. | 1 µH 屏蔽 电感器 650 mA 90 毫欧最大 2-SMD | 获取价格 | ||
| 4379-102HS | API Delevan Inc. | 1 µH 屏蔽 电感器 650 mA 90 毫欧最大 2-SMD | 获取价格 | ||
| 4379-122HS | API Delevan Inc. | 1.2 µH 屏蔽 电感器 650 mA 90 毫欧最大 2-SMD | 获取价格 | ||
| LQP03TQ8N2J02D | Murata Manufacturing Co., Ltd. | FIXED IND 8.2NH 250MA 650 MOHM | 获取价格 | ||
| LQP03TQ1N9C02D | Murata Manufacturing Co., Ltd. | FIXED IND 1.9NH 650MA 100 MOHM | 获取价格 | ||
| TK560A65Y,S4X | TOSHIBA CORPORATION | 通孔 N 通道 650 V 7A（Tc） 30W TO-220SIS | 获取价格 | ||
| TK155E65Z,S1X | TOSHIBA CORPORATION | 通孔 N 通道 650 V 18A（Ta） 150W（Tc） TO-220 | 获取价格 | ||
| TK190E65Z,S1X | TOSHIBA CORPORATION | 通孔 N 通道 650 V 15A（Ta） 130W（Tc） TO-220 | 获取价格 | ||
| NXPSC166506Q | WeEn | 二极管 650 V 16A 通孔 TO-220AC | 获取价格 | ||
| VS-3C16CP07L-M3 | Vishay Intertechnology, Inc. | 二极管阵列 1 对共阴极 650 V 8A（DC） 通孔 TO-247-3 | 获取价格 | ||
| SCS312AMC | Rohm Semiconductor | 二极管 650 V 12A 通孔 TO-220FM | 获取价格 | ||
| RGW80TK65EGVC11 | Rohm Semiconductor | IGBT 沟槽型场截止 650 V 39 A 81 W 通孔 TO-3PFM | 获取价格 | ||
| RGW60TS65DGC11 | Rohm Semiconductor | IGBT 沟槽型场截止 650 V 60 A 178 W 通孔 TO-247N | 获取价格 | ||
| RGW40TK65DGVC11 | Rohm Semiconductor | IGBT 沟槽型场截止 650 V 27 A 61 W 通孔 TO-3PFM | 获取价格 | ||
| RGT20NL65GTL | Rohm Semiconductor | IGBT 沟槽型场截止 650 V 20 A 106 W 表面贴装型 TO-263AB | 获取价格 | ||
| RGT16NS65DGC9 | Rohm Semiconductor | IGBT 沟槽型场截止 650 V 16 A 94 W 通孔 TO-262 | 获取价格 |
