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BAS40-04-TPMicro Commercial Components肖特基二极管 一对串联 VR=40V IF=200mA IR=10nA CT=5pF SOT23获取价格
S3M-13-FDiodes Incorporated直流反向耐压(Vr):1kV 平均整流电流(Io):3A 正向压降(Vf):1.15V@3A 反向电流(Ir):10uA@1kV获取价格
S5J-E3--57TVishay Intertechnology, Inc.直流反向耐压(Vr):600V 平均整流电流(Io):5A 正向压降(Vf):1.15V@5A 反向电流(Ir):10uA@600V获取价格
S1G-E3--61TVishay Intertechnology, Inc.直流反向耐压(Vr):400V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1.1V@1A 反向电流(Ir):1uA@400V获取价格
1N4007-E3--54Vishay Intertechnology, Inc.直流反向耐压(Vr):1kV 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1.1V@1A 反向电流(Ir):5uA@1kV 1000V,1A,VF=1.1V@1A获取价格
S3KCJingdao二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):800V 平均整流电流(Io):3A 正向压降(Vf):1.1V@3A 反向电流(Ir):5μA@800V获取价格
1N4743AST(先科)二极管配置:独立式 稳压值(标称值):13V 精度:±5% 功率:1W 反向电流(Ir):5uA@9.9V 阻抗(Zzt):10Ω 13V 1W获取价格
ESD5Z5V0MDD辰达半导体Uni PD=174W VRWM=5V VBR=6.2V VC=18.6V IPP=9.4A IR=0.08uA CJ=80PF 获取价格
S1AJingdao二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):50V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1.1V@1A 反向电流(Ir):5μA@50V获取价格
ES3CCJingdao快/超快恢复二极管 VRRM=150V IF=3A IFSM=90A VF=1V IR=5μA Cj=40pF Trr=35ns获取价格
BZT52C4V7SQ-7-FDiodes Incorporated二极管配置:独立式 稳压值(标称值):4.7V 稳压值(范围):4.4V~5V 功率:200mW 反向电流(Ir):2μA@2V 阻抗(ZzK):500Ω获取价格
S3GBJingdao二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):400V 平均整流电流(Io):3A 正向压降(Vf):1V@3A 反向电流(Ir):5μA@400V获取价格
RB160M-40Luguang Electronics Technology Co., Ltd.直流反向耐压(Vr):40V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):550mV@1A 反向电流(Ir):10mA@40V获取价格
1N4751AST(先科)二极管配置:独立式 稳压值(标称值):30V 精度:±5% 功率:1W 反向电流(Ir):5μA@22.8V 阻抗(Zzt):40Ω 30V 1W获取价格
S5M_R1_00001PANJIT SEMI CONDUCTOR正向压降(Vf):1.1V 5A 直流反向耐压(Vr):1kV 平均整流电流(Io):5A 反向电流(Ir):10μA获取价格
1N5408Luguang Electronics Technology Co., Ltd.直流反向耐压(Vr):1kV 平均整流电流(Io):3A 正向压降(Vf):1V@3A 反向电流(Ir):5uA@1kV获取价格
SGP7AJingdao二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):1kV 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1.1V@1A 反向电流(Ir):5μA@1kV获取价格
S10MLuguang Electronics Technology Co., Ltd.IAV=10A Single IR=5uA@1kV VF=1.1V@10A VRRM=1kV SMC(DO-214AB) 二极管-通用ROHS获取价格
DF10SLuguang Electronics Technology Co., Ltd.IFSM=30A IR= 5uA@1kV VF=1.1V@1A IFAV=1A VRRM=1kV -55℃~+150℃@(Tj) DBS 桥式整流器ROHS获取价格
BAT54C-MSMason semiconductorIR=2uA@25V VRRM=30V Dual VF=1V@100mA IFM=200mA SOT-23 肖特基势垒二极管(SBD)ROHS获取价格