找到“ir7843”相关的规格书共7,864个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| S1BB-13-F | Diodes Incorporated | 直流反向耐压(Vr)：100V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.1V@1A 反向电流(Ir)：5uA@100V | 获取价格 | ||
| S1M-13-F | Diodes Incorporated | 直流反向耐压(Vr)：1kV 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.1V@1A 反向电流(Ir)：5uA@1kV 1000V,1A | 获取价格 | ||
| HSDL-4400%23031 | Lite-On Technology | Infrared (IR) Emitter 875nm 1.5V 100mA 1mW/sr @ 50mA 110° 2-SMD, Z-Bend | 获取价格 | ||
| IR1152SPBF | IRF[InternationalRectifier] | IR1152SPBF - FIXED 66kHz FREQUENCY, μPFC ONE CYCLE CONTROL PFC IC WITH BROWN-OUT PROTECTION - International Rectifier | 获取价格 | ||
| SFH4289 | ETC[ListofUnclassifedManufacturers] | SFH4289 - GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Geh®se mit Linse GaAlAs Infrared Emitter in SMT Package with lens - List of Unclassifed Manufacturers | 获取价格 | ||
| 1SMB5918BT3G | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：5.1V 稳压值(范围)：4.84V~5.36V 精度：±5% 功率：550mW 反向电流(Ir)：5uA@2V 阻抗(Zzt)：4Ω | 获取价格 | ||
| MRA4004T3G | ON Semiconductor | 直流反向耐压(Vr)：400V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.18V@2A 反向电流(Ir)：10uA@400V | 获取价格 | ||
| 1N5822 | ON Semiconductor | 直流反向耐压(Vr)：40V 平均整流电流(Io)：3A 正向压降(Vf)：950mV@3A 反向电流(Ir)：2mA@40V | 获取价格 | ||
| MMSZ5237BT1G | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：8.2V 稳压值(范围)：7.79V~8.61V 精度：±5% 功率：500mW 反向电流(Ir)：3uA@6.5V 阻抗(Zzt)：8Ω | 获取价格 | ||
| MMSZ5233BT1G | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：6V 稳压值(范围)：5.7V~6.3V 精度：±5% 功率：500mW 反向电流(Ir)：5uA@3.5V 阻抗(Zzt)：7Ω | 获取价格 | ||
| M4 GPP | MDD辰达半导体 | 二极管配置:-;直流反向耐压(Vr):400V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):1.1V@1A;反向电流(Ir):5uA@400V; | 获取价格 | ||
| S3A | MDD辰达半导体 | 二极管配置:-;直流反向耐压(Vr):50V;平均整流电流(Io):3A;正向压降(Vf):1.15V@3A;反向电流(Ir):10uA@50V; | 获取价格 | ||
| RST7275-1 | STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics] | RST7275-1 - 8-BIT, 56-PIN MCU FOR MONITORS, WITH UP TO 60K ROM, 2K RAM, ADC, TIMER, IR, SYNC, PWM/BRM, DDC/DMA, I2C & SCI - STMicroelectronics | 获取价格 | ||
| G401DS | Jingdao | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):100V;平均整流电流(Io):4A;正向压降(Vf):1.1V@4A;反向电流(Ir):5uA@100V; | 获取价格 | ||
| 6A10 | Goodwork Semiconductor Co.,Ltd. | 二极管配置:-;直流反向耐压(Vr):1kV;平均整流电流(Io):6A;正向压降(Vf):1V@6A;反向电流(Ir):10uA@1kV; | 获取价格 | ||
| 1N5399 | DIYI ELECTRONIC | 二极管配置:-;直流反向耐压(Vr):1kV;平均整流电流(Io):1.5A;正向压降(Vf):1.1V@1.5A;反向电流(Ir):5μA@1kV; | 获取价格 | ||
| 1N4007R | Chongqing Pingwei Technology (Group) Co., Ltd. | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):1kV;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):1.3V@3A;反向电流(Ir):5uA@1kV; | 获取价格 | ||
| IDD09SG60C | Infineon Technologies | 二极管配置:-;直流反向耐压(Vr):600V;平均整流电流(Io):9A;正向压降(Vf):1.8V@9A;反向电流(Ir):700nA@600V; | 获取价格 | ||
| IDD08SG60C | Infineon Technologies | 二极管配置:-;直流反向耐压(Vr):600V;平均整流电流(Io):8A;正向压降(Vf):1.8V@8A;反向电流(Ir):600nA@600V; | 获取价格 | ||
| BZX79-C11,143 | Rubycon Corporation | 二极管配置:独立式;稳压值(标称值):-;稳压值(范围):10.4V~11.6V;精度:±5%;功率:500mW;反向电流(Ir):100nA@8V;阻抗(Zzt):10Ω; | 获取价格 |
