找到“ir7843”相关的规格书共7,864个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| BZT52B30 | FORMOSA MICROSEMI CO. LTD | 二极管配置:独立式;稳压值(标称值):30V;稳压值(范围):29.4V~30.6V;精度:-;功率:350mW;反向电流(Ir):100nA@21V;阻抗(Zzt):80Ω; | 获取价格 | ||
| BZT52C27 | Taiwan shike Electronics co.,ltd | 二极管配置:独立式;稳压值(标称值):27V;稳压值(范围):25.1V~28.9V;精度:±5%;功率:500mW;反向电流(Ir):100nA@21V;阻抗(Zzt):70Ω; | 获取价格 | ||
| MMSZ5227B | Rubycon Corporation | 二极管配置:独立式;稳压值(标称值):3.6V;稳压值(范围):3.42V~3.78V;精度:-;功率:350mW;反向电流(Ir):15uA@1V;阻抗(Zzt):24Ω; | 获取价格 | ||
| BZT52C33 | Taiwan shike Electronics co.,ltd | 二极管配置:独立式;稳压值(标称值):33V;稳压值(范围):31V~35V;精度:±5%;功率:500mW;反向电流(Ir):100nA@25V;阻抗(Zzt):80Ω; | 获取价格 | ||
| MM1Z30 | Jingdao | 二极管配置:独立式;稳压值(标称值):30V;稳压值(范围):28V~32V;精度:±5%;功率:500mW;反向电流(Ir):100nA@23V;阻抗(Zzt):80Ω; | 获取价格 | ||
| MM1Z39 | Jingdao | 二极管配置:独立式;稳压值(标称值):39V;稳压值(范围):37V~41V;精度:±5%;功率:500mW;反向电流(Ir):2uA@30V;阻抗(Zzt):100Ω; | 获取价格 | ||
| MM1Z3V0 | JF | 二极管配置:独立式;稳压值(标称值):3V;稳压值(范围):2.8V~3.2V;精度:±5%;功率:500mW;反向电流(Ir):50uA@1V;阻抗(Zzt):120Ω; | 获取价格 | ||
| 1N5253B_AY_10001 | PANJIT SEMI CONDUCTOR | 二极管配置:独立式;稳压值(标称值):25V;稳压值(范围):23.75V~26.25V;精度:-;功率:500mW;反向电流(Ir):100nA@19V;阻抗(Zzt):35Ω; | 获取价格 | ||
| ST60P | ST(先科) | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):20V;平均整流电流(Io):50mA;正向压降(Vf):1V@4mA;反向电流(Ir):50uA@10V; | 获取价格 | ||
| 1N5259B | ST(先科) | 二极管配置:独立式;稳压值(标称值):39V;稳压值(范围):37.05V~40.95V;精度:±5%;功率:500mW;反向电流(Ir):100nA@30V;阻抗(Zzt):80Ω; | 获取价格 | ||
| UF2010 | SUNMATE electronic Co., LTD | 二极管配置:-;直流反向耐压(Vr):1kV;平均整流电流(Io):2A;正向压降(Vf):1.7V@2A;反向电流(Ir):5uA@1kV;反向恢复时间(trr):75ns;工作温度:-65℃~+125℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| VSMY2943SLX01 | Vishay Intertechnology, Inc. | 红外（IR） 发射器 940nm（920nm ~ 960nm） 1.4V 100mA 27mW/sr @ 100mA 56° 2-SMD，侧视图 | 获取价格 | ||
| BZV55C47 | GOOD-ARK | 二极管配置:独立式;稳压值(标称值):-;稳压值(范围):44V~50V;精度:-;功率:500mW;反向电流(Ir):50nA@33V;阻抗(Zzt):170Ω; | 获取价格 | ||
| GLZ39B_R1_10001 | PANJIT SEMI CONDUCTOR | 二极管配置:独立式;稳压值(标称值):-;稳压值(范围):35.36V~37.19V;精度:-;功率:500mW;反向电流(Ir):200nA@30V;阻抗(Zzt):85Ω; | 获取价格 | ||
| SMF10CA | Mason semiconductor | ESD抑制器/TVS二极管 双向 SOD123FL Ppk=200W Vrwm=10V Vbr=11.1V~12.3V Ir=2.5uA Vc=17V Ipp=11.8A | 获取价格 | ||
| BZT52-B6V8_R1_00001 | PANJIT SEMI CONDUCTOR | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：39V 稳压值(范围)：37.05V~40.95V 功率：410mW 反向电流(Ir)：100nA@29V 阻抗(Zzt)：90Ω | 获取价格 | ||
| 1N4148 | Luguang Electronics Technology Co., Ltd. | 功率：500mW 直流反向耐压(Vr)：75V 平均整流电流(Io)：150mA 正向压降(Vf)：1V@10mA 反向电流(Ir)：5uA@75V 反向恢复时间(trr)：4ns | 获取价格 | ||
| MTMD7885T38 | Marktech Optoelectronics | Infrared (IR), Visible Emitter 850nm (x2), 810nm (x2), 770nm (x2) 1.4V (x2), 1.55V (x2), 1.6V (x2) 100mA (x2), 100mA (x2), 50mA (x2) TO-5-8 Metal Can | 获取价格 | ||
| BZT52C16-7-F | Diodes Incorporated | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：16V 稳压值(范围)：15.3V~17.1V 功率：370mW 反向电流(Ir)：100nA@11.2V 阻抗(Zzt)：40Ω | 获取价格 | ||
| MM3Z20VT1G | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：20V 稳压值(范围)：18.8V~21.2V 功率：300mW 反向电流(Ir)：50nA@14V 阻抗(Zzt)：55Ω | 获取价格 |
