找到“ir7843”相关的规格书共7,864个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| 1N5388BRLG | ON Semiconductor | 二极管配置:独立式 稳压值(标称值):200V 稳压值(范围):190V~210V 精度:±5% 功率:5W 反向电流(Ir):500nA@152V 阻抗(Zzt):480Ω | 获取价格 | ||
| MMSZ3V9T1G | ON Semiconductor | 二极管配置:独立式 稳压值(标称值):3.9V 稳压值(范围):3.71V~4.1V 精度:±5% 功率:500mW 反向电流(Ir):3uA@1V 阻抗(Zzt):90Ω | 获取价格 | ||
| MM3Z15VT1G | ON Semiconductor | 二极管配置:独立式 稳压值(标称值):15V 稳压值(范围):14.3V~15.8V 功率:300mW 反向电流(Ir):50nA@10.5V 阻抗(Zzt):30Ω | 获取价格 | ||
| NSVBAS21HT1G | ON Semiconductor | 开关二极管(小信号) P:200mW Vr:250V Io:200mA Vf:1.25V@200mA Ir:100nA@200V trr:50ns -55℃~+150℃ | 获取价格 | ||
| SD36C | MDD辰达半导体 | Uni PD=350W VRWM=36V VBR=40V VC=75V IPP=5A IR=1uA CJ=35PF 个人消费电子、智能家居、监控门禁、车载电子 | 获取价格 | ||
| 1N5245B | ST(先科) | 二极管配置:独立式 稳压值(标称值):15V 稳压值(范围):14.25V~15.75V 精度:±5% 功率:500mW 反向电流(Ir):100nA@11V 阻抗(Zzt):16Ω 15V 0.5W | 获取价格 | ||
| 1SMA4744A | Jingdao | 二极管配置:独立式 稳压值(标称值):15V 稳压值(范围):13.8V~15.8V 功率:1W 反向电流(Ir):5uA@11V 阻抗(Zzt):14Ω 15V 1W | 获取价格 | ||
| BZT52C47 | Taiwan shike Electronics co.,ltd | 二极管配置:独立式 稳压值(标称值):47V 稳压值(范围):44V~50V 精度:±5% 功率:500mW 反向电流(Ir):2uA@36V 阻抗(Zzt):150Ω | 获取价格 | ||
| ESD0504TL | MDD辰达半导体 | Uni PD=60W VRWM=5V VBR=6V VC=12V IPP=1A IR=1uA CJ=0.6PF 个人消费电子、智能家居、监控门禁、车载电子 | 获取价格 | ||
| 1SS226 | CHINA BASE ELECTRONIC TECHNOLOGY LIMITED | 极管配置:1对串联式 功率:150mW 直流反向耐压(Vr):80V 平均整流电流(Io):300mA 正向压降(Vf):1.2V@100mA 反向电流(Ir):500nA@80V | 获取价格 | ||
| K210 | SHENZHEN GOODWORK ELECTRONIC CO.,LTD | 二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):100V 平均整流电流(Io):2A 正向压降(Vf):850mV@2A 反向电流(Ir):200uA@100V | 获取价格 | ||
| MMBZ12VAL | MDD辰达半导体 | Bi PD=40W VRWM=8.5V VBR=12V VC=17V IPP=2.35A IR=0.2uA CJ=-PF 个人消费电子、智能家居、监控门禁、车载电子 | 获取价格 | ||
| 1N4148W | Luguang Electronics Technology Co., Ltd. | 功率:350mW 直流反向耐压(Vr):75V 平均整流电流(Io):150mA 正向压降(Vf):1.25V@150mA 反向电流(Ir):2.5uA@75V 反向恢复时间(trr):4ns | 获取价格 | ||
| SMBJ18CA/TR13 | Brightking | 极性:双向 反向截止电压(Vrwm):18V 击穿电压(最小值):20V 击穿电压(最大值):22.1V 反向漏电流(Ir):1μA 峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:20.6A 最大钳位电压:29.2V | 获取价格 | ||
| KBP206 | Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | 直流反向耐压(Vr):600V 平均整流电流(Io):2A 正向压降(Vf):1.05V@1A 反向电流(Ir):10uA@600V 正向浪涌电流(Ifsm):45A | 获取价格 | ||
| 1SS184 | CHINA BASE ELECTRONIC TECHNOLOGY LIMITED | 二极管配置:1对共阴极 功率:350mW 直流反向耐压(Vr):80V 平均整流电流(Io):100mA 正向压降(Vf):1.2V@100mA 反向电流(Ir):500nA@80V | 获取价格 | ||
| 1SMA4747A | Luguang Electronics Technology Co., Ltd. | 二极管配置:独立式 稳压值(标称值):20V 稳压值(范围):19V~21V 精度:±5% 功率:1W 反向电流(Ir):5uA@15.2V 阻抗(Zzt):22Ω 20V | 获取价格 | ||
| RS1B_R1_00001 | PANJIT SEMI CONDUCTOR | 正向压降(Vf):1.3V 1A 直流反向耐压(Vr):100V 工作温度(最大值):+150℃ (Tj) 平均整流电流(Io):1A 反向电流(Ir):1μA 100V 反向恢复时间(trr):150ns | 获取价格 | ||
| ES2G_R1_00001 | PANJIT SEMI CONDUCTOR | 正向压降(Vf):1.25V 2A 直流反向耐压(Vr):400V 工作温度(最大值):+150℃ (Tj) 平均整流电流(Io):2A 反向电流(Ir):1μA 400V 反向恢复时间(trr):35ns | 获取价格 | ||
| FR107_AY_10001 | PANJIT SEMI CONDUCTOR | 正向压降(Vf):1.3V 1A 直流反向耐压(Vr):1kV 平均整流电流(Io):1A 工作温度(最大值):+175℃ (Tj) 反向电流(Ir):5μA 1kV 反向恢复时间(trr):500ns | 获取价格 |






