找到“ir7843”相关的规格书共7,864个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| E1J | DIYI ELECTRONIC | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):600V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):1.7V@1A;反向电流(Ir):5uA@600V;反向恢复时间(trr):35ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| SMBJ64CA | SUNMATE electronic Co., LTD | 极性：单向 反向截止电压(Vrwm)：64V 击穿电压(最小值)：64.4V 击穿电压(最大值)：74.1V 反向漏电流(Ir)：5.0μA 峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs：5.0A 最大钳位电压：93.6V 功率: 600W | 获取价格 | ||
| SMAJ17CA M2G | TAIWAN SEMICONDUCTOR | 极性:-;反向截止电压(Vrwm):17V;击穿电压(最小值):18.9V;击穿电压(最大值):-;反向漏电流(Ir):-;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:14.5A;最大钳位电压:27.6V;峰值脉冲功率(Ppp)@10/1000μs:400W; | 获取价格 | ||
| SMAJ15CA M2G | TAIWAN SEMICONDUCTOR | 极性:-;反向截止电压(Vrwm):15V;击穿电压(最小值):16.7V;击穿电压(最大值):-;反向漏电流(Ir):-;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:16.4A;最大钳位电压:24.4V;峰值脉冲功率(Ppp)@10/1000μs:400W; | 获取价格 | ||
| RS07B | Chongqing Pingwei Technology (Group) Co., Ltd. | 二极管配置:-;直流反向耐压(Vr):100V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):1.3V@1A;反向电流(Ir):10uA@100V;反向恢复时间(trr):150ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| TC1N4148W | T&C Technology | 二极管配置:独立式;功率:400mW;直流反向耐压(Vr):75V;平均整流电流(Io):150mA;正向压降(Vf):1V@10mA;反向电流(Ir):5μA@75V;反向恢复时间(trr):4ns;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 1N4148WT T4 | Rubycon Corporation | 二极管配置:独立式;功率:150mW;直流反向耐压(Vr):75V;平均整流电流(Io):150mA;正向压降(Vf):1.25V@150mA;反向电流(Ir):1uA@75V;反向恢复时间(trr):4ns;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BAS516 | Rubycon Corporation | 二极管配置:独立式;功率:150mW;直流反向耐压(Vr):75V;平均整流电流(Io):250mA;正向压降(Vf):1.25V@150mA;反向电流(Ir):1uA@75V;反向恢复时间(trr):4ns;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| SE1SS400 | SINO-IC | 二极管配置:-;功率:-;直流反向耐压(Vr):80V;平均整流电流(Io):100mA;正向压降(Vf):1.2V@100mA;反向电流(Ir):100nA@80V;反向恢复时间(trr):4ns;工作温度:+125℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| MUR460-B | SHENZHEN GOODWORK ELECTRONIC CO.,LTD | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):600V;平均整流电流(Io):4A;正向压降(Vf):1.85V@3A;反向电流(Ir):5uA@600V;反向恢复时间(trr):75ns;工作温度:-65℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FR305G | Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):600V;平均整流电流(Io):3A;正向压降(Vf):1.3V@3A;反向电流(Ir):2.5uA@600V;反向恢复时间(trr):250ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 1N4148WL | SHENZHEN GOODWORK ELECTRONIC CO.,LTD | 二极管配置:独立式;功率:400mW;直流反向耐压(Vr):100V;平均整流电流(Io):150mA;正向压降(Vf):1.25V@150mA;反向电流(Ir):1uA@150mA;反向恢复时间(trr):8ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HER107 | Changzhou Starsea Electronic Co., Ltd | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):800V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):1.7V@1A;反向电流(Ir):5uA@800V;反向恢复时间(trr):75ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FAS103-M | Anbon Semiconductor Co., Ltd. | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):200V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):1.3V@1A;反向电流(Ir):5uA@200V;反向恢复时间(trr):150ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| E1J | Luguang Electronics Technology Co., Ltd. | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):600V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):1.7V@1A;反向电流(Ir):5uA@600V;反向恢复时间(trr):35ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| SM712.TCT | KUU SEMICONDUCTOR | Peak Pulse Current ( tp =8/20μs ) (note1) IPP 17A，反向截断电压VRWM 7V+12V 反向漏泄电流IR=1μA，VC12V 17A=26V VC7V 17A=12V 结电容75PF SOT-23 | 获取价格 | ||
| FR156 | GOOD-ARK | 二极管配置:-;直流反向耐压(Vr):600V;平均整流电流(Io):1.5A;正向压降(Vf):1.3V@1.5A;反向电流(Ir):5uA@600V;反向恢复时间(trr):500ns;工作温度:-55℃~+125℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| MUR3060WTG | ON Semiconductor | 二极管配置：1对共阴极 直流反向耐压(Vr)：600V 平均整流电流(Io)：15A 正向压降(Vf)：1.7V@15A 反向电流(Ir)：10uA@400V 反向恢复时间(trr)：60ns 工作温度：-65℃~+175℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| PMBD7000,235 | Nexperia | 二极管配置：1对串联式 功率：250mW 直流反向耐压(Vr)：100V 平均整流电流(Io)：215mA 正向压降(Vf)：1.25V@150mA 反向电流(Ir)：500nA@100V 反向恢复时间(trr)：4ns 工作温度：+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| PMBD7000,215 | Nexperia | 二极管配置：1对串联式 功率：250mW 直流反向耐压(Vr)：100V 平均整流电流(Io)：215mA 正向压降(Vf)：1.25V@150mA 反向电流(Ir)：500nA@100V 反向恢复时间(trr)：4ns 工作温度：+150℃@(Tj) | 获取价格 |
