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PMBD914,215Nexperia二极管配置:独立式 功率:250mW 直流反向耐压(Vr):100V 平均整流电流(Io):215mA 正向压降(Vf):1.25V@150mA 反向电流(Ir):1uA@75V 反向恢复时间(trr):4ns 工作温度:+150℃@(Tj)获取价格
L1N4148FT1GLeshan Radio Co., Ltd.二极管配置:独立式 功率:400mW 直流反向耐压(Vr):100V 平均整流电流(Io):150mA 正向压降(Vf):1.25V@150mA 反向电流(Ir):1uA@75V 反向恢复时间(trr):8ns 工作温度:-55℃~+150℃@(Tj)获取价格
1N4148WYangjie Electronic Technology Co., Ltd.二极管配置:独立式 功率:400mW 直流反向耐压(Vr):100V 平均整流电流(Io):150mA 正向压降(Vf):1.25V@100mA 反向电流(Ir):1uA@75V 反向恢复时间(trr):4ns获取价格
1N4148WSSHENZHEN GOODWORK ELECTRONIC CO.,LTD二极管配置:独立式 功率:400mW 直流反向耐压(Vr):100V 平均整流电流(Io):150mA 正向压降(Vf):1.25V@150mA 反向电流(Ir):1uA@100V 反向恢复时间(trr):8ns获取价格
1SS355CHINA BASE ELECTRONIC TECHNOLOGY LIMITED二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):80V 平均整流电流(Io):100mA 正向压降(Vf):1.2V@100mA 反向电流(Ir):100nA@80V 反向恢复时间(trr):4ns获取价格
ES1JLFJingdao二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):600V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1.7V@1A 反向电流(Ir):5μA@600V 反向恢复时间(trr):35ns 工作温度(最小值):-55℃@(Tj) 工作温度(最大值):+150℃@(Tj)获取价格
ES3BCJingdao二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):100V 平均整流电流(Io):3A 正向压降(Vf):1V@3A 反向电流(Ir):5μA@100V 反向恢复时间(trr):35ns 工作温度(最小值):-55℃@(Tj) 工作温度(最大值):+150℃@(Tj)获取价格
US1KFJingdao二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):800V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1.65V@1A 反向电流(Ir):5μA@800V 反向恢复时间(trr):75ns 工作温度(最小值):-55℃@(Tj) 工作温度(最大值):+150℃@(Tj) 800V,1A,VF=1.65V@1A获取价格
ES5ACJingdao二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):50V 平均整流电流(Io):5A 正向压降(Vf):1V@5A 反向电流(Ir):5μA@50V 反向恢复时间(trr):35ns 工作温度(最小值):-55℃@(Tj) 工作温度(最大值):+150℃@(Tj)获取价格
ES2JFSHENZHEN GOODWORK ELECTRONIC CO.,LTD二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):600V 平均整流电流(Io):2A 正向压降(Vf):1.7V 2A 反向电流(Ir):5μA 600V 反向恢复时间(trr):35ns 工作温度(最小值):-65℃ (Tj) 工作温度(最大值):+150℃ (Tj)获取价格
ES1002FL_R1_00001PANJIT SEMI CONDUCTOR二极管配置:独立式 正向压降(Vf):950mV 1A 直流反向耐压(Vr):200V 工作温度(最大值):+150℃ (Tj) 平均整流电流(Io):1A 反向电流(Ir):500nA 200V 反向恢复时间(trr):35ns 工作温度(最小值):-55℃ (Tj)获取价格
1N4148WTBORN Semiconductor (Shenzhen) Co. Ltd.二极管配置:独立式 功率:500mW 直流反向耐压(Vr):75V 平均整流电流(Io):150mA 正向压降(Vf):1.25V@100mA 反向电流(Ir):5uA@75V 反向恢复时间(trr):4ns获取价格
SMCJ70ABrightking极性:单向 反向截止电压(Vrwm):70V 击穿电压(最小值):77.8V 击穿电压(最大值):86V 反向漏电流(Ir):1μA 峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:13.3A 最大钳位电压:113V 峰值脉冲功率(Ppp)@10/1000μs:1.5kW VRWM=70V 单向获取价格
SMCJ160CABrightking极性:双向 反向截止电压(Vrwm):160V 击穿电压(最小值):178V 击穿电压(最大值):197V 反向漏电流(Ir):1μA 峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:5.8A 最大钳位电压:259V 峰值脉冲功率(Ppp)@10/1000μs:1500W VR=160V,Vc=259V,Ipp=5.8A 双向获取价格
ES1DJingdao二极管配置:独立式 正向压降(Vf):1V 1A 直流反向耐压(Vr):200V 工作温度(最大值):+150℃ (Tj) 平均整流电流(Io):1A 反向电流(Ir):5μA 200V 反向恢复时间(trr):35ns 工作温度(最小值):-55℃ (Tj)获取价格
RS1MJingdao二极管配置:独立式 正向压降(Vf):1.3V 1A 直流反向耐压(Vr):1kV 工作温度(最大值):+150℃ (Tj) 平均整流电流(Io):1A 反向电流(Ir):5μA 1kV 反向恢复时间(trr):500ns 工作温度(最小值):-55℃ (Tj)获取价格
RS1JJingdao二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):600V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1.3V@ 1A 反向电流(Ir):5μA@ 600V 反向恢复时间(trr):250ns 工作温度(最小值):-55℃@ (Tj) 工作温度(最大值):+150℃@ (Tj)获取价格
RS1GJingdao二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):400V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1.3V@ 1A 反向电流(Ir):5μA@ 400V 反向恢复时间(trr):150ns 工作温度(最小值):-55℃@ (Tj) 工作温度(最大值):+150℃@ (Tj)获取价格
SMAJ26CABrightking极性:双向 反向截止电压(Vrwm):26V 击穿电压(最小值):28.9V 击穿电压(最大值):31.9V 反向漏电流(Ir):1μA 峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:9.5A 最大钳位电压:42.1V 峰值脉冲功率(Ppp)@10/1000μs:400W VRWM=26V,Vc=42.1V,Ipp=9.5A 双向获取价格
WPE0521PZWPMTEK TECHNOLOGY INCORPORATED CO.TVS二极管 极性:单向 反向断态电压V(RWM):5V 反向漏电流 IR @V(RWM):0.2uA 击穿电压 V(BR) @IT:6V 钳位电压(VC@ Ipp):12V 峰值脉冲电流IPP=8A 结电容值:12pF VESD±30kV 封装:DFN1006获取价格