找到“ir7843”相关的规格书共7,864个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| 1SS355 | Guangdong Hottech Co. Ltd. | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：80V 平均整流电流(Io)：100mA 正向压降(Vf)：1.2V@100mA 反向电流(Ir)：100nA@80V 反向恢复时间(trr)：4ns | 获取价格 | ||
| RHRG30120 | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：1.2kV 平均整流电流(Io)：30A 正向压降(Vf)：3.2V@30A 反向电流(Ir)：250uA@1.2kV 反向恢复时间(trr)：85ns 工作温度：-65℃~+175℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| BAV70W-7-F | Diodes Incorporated | 二极管配置：1对共阴极 功率：200mW 直流反向耐压(Vr)：75V 平均整流电流(Io)：150mA 正向压降(Vf)：1.25V@150mA 反向电流(Ir)：2.5uA@75V 反向恢复时间(trr)：4ns 工作温度：-65℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| MMBD914-7-F | Diodes Incorporated | 二极管配置：独立式 功率：350mW 直流反向耐压(Vr)：75V 平均整流电流(Io)：200mA 正向压降(Vf)：1.25V@150mA 反向电流(Ir)：1uA@75V 反向恢复时间(trr)：4ns 工作温度：-65℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| BAV23CVL | Nexperia | 二极管配置：1对共阴极 功率：250mW 直流反向耐压(Vr)：200V 平均整流电流(Io)：225mA 正向压降(Vf)：1.25V@200mA 反向电流(Ir)：100nA@200V 反向恢复时间(trr)：50ns | 获取价格 | ||
| BAS321JF | Nexperia | 二极管配置：独立式 功率：660mW 直流反向耐压(Vr)：200V 平均整流电流(Io)：250mA 正向压降(Vf)：1.25V@200mA 反向电流(Ir)：100nA@200V 反向恢复时间(trr)：50ns | 获取价格 | ||
| BAS321JX | Nexperia | 二极管配置：独立式 功率：660mW 直流反向耐压(Vr)：200V 平均整流电流(Io)：250mA 正向压降(Vf)：1.25V@200mA 反向电流(Ir)：100nA@200V 反向恢复时间(trr)：50ns | 获取价格 | ||
| BAS116GWX | Nexperia | 二极管配置：独立式 功率：600mW 直流反向耐压(Vr)：75V 平均整流电流(Io)：215mA 正向压降(Vf)：1.25V@150mA 反向电流(Ir)：5nA@75V 反向恢复时间(trr)：800ns | 获取价格 | ||
| BAS21THR | Nexperia | 二极管配置：独立式 功率：300mW 直流反向耐压(Vr)：200V 平均整流电流(Io)：200mA 正向压降(Vf)：1.25V@200mA 反向电流(Ir)：100nA@200V 反向恢复时间(trr)：50ns | 获取价格 | ||
| BAS16GWX | Nexperia | 二极管配置：独立式 功率：357mW 直流反向耐压(Vr)：100V 平均整流电流(Io)：215mA 正向压降(Vf)：1.25V@150mA 反向电流(Ir)：500nA@80V 反向恢复时间(trr)：4ns | 获取价格 | ||
| MUR260RLG | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：600V 平均整流电流(Io)：2A 正向压降(Vf)：1.35V@2mA 反向电流(Ir)：5uA@600V 反向恢复时间(trr)：75ns 工作温度：-65℃~+175℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| MUR1540G | ON Semiconductor | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：400V 平均整流电流(Io)：15A 正向压降(Vf)：1.25V@15A 反向电流(Ir)：10uA@400V 反向恢复时间(trr)：60ns 工作温度：-65℃~+175℃@(Tj) 开关型功率整流器 | 获取价格 | ||
| MMBD4148CC | MDD辰达半导体 | 二极管配置:1对共阴极;功率:350mW;直流反向耐压(Vr):100V;平均整流电流(Io):200mA;正向压降(Vf):1V@10mA;反向电流(Ir):5uA@75V;反向恢复时间(trr):4ns;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HSD24C | Guangdong Huixin Electronics Technology Co., Ltd. | 极性:双向;反向截止电压(Vrwm):24V;击穿电压:26V;反向漏电流(Ir):1uA;峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:-;最大钳位电压:52V;峰值脉冲功率(Ppp)@10/1000μs:350W@8/20us; | 获取价格 | ||
| H1DFS | Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):200V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):1V@1A;反向电流(Ir):5uA@200V;反向恢复时间(trr):50ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 30F120W-2472L | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):1.2kV;平均整流电流(Io):30A;正向压降(Vf):3V@30A;反向电流(Ir):100uA@1.2kV;反向恢复时间(trr):40ns;工作温度:-50℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 10F60UHF-220HF2L | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):600V;平均整流电流(Io):10A;正向压降(Vf):1.8V@10A;反向电流(Ir):50uA@600V;反向恢复时间(trr):21ns;工作温度:-50℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 20F40UHF-220HF2L | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):400V;平均整流电流(Io):20A;正向压降(Vf):1.7V@20A;反向电流(Ir):50uA@400V;反向恢复时间(trr):34ns;工作温度:-50℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| IDP45E60 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;功率:187W;直流反向耐压(Vr):600V;平均整流电流(Io):71A;正向压降(Vf):2V@45A;反向电流(Ir):50uA@600V;反向恢复时间(trr):140ns;工作温度:-40℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| IDP20E65D2 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;功率:120W;直流反向耐压(Vr):650V;平均整流电流(Io):40A;正向压降(Vf):2.2V@20A;反向电流(Ir):40uA@650V;反向恢复时间(trr):43ns;工作温度:-40℃~+175℃@(Tvj); | 获取价格 |
