找到“mv2101”相关的规格书共6,920个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| FDZ1905PZ | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:双P沟道(共漏);漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):1.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):700mV@250mA;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| CNY172SM | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 输入电压类型:DC;输出通道数:1;正向电压:1.15V;反向电压:6V;输出电流:50mA;接收端电压:70V;集射极饱和电压(Vce(sat)@Ic,IF):400mV@2.5mA,10mA;隔离电压(rms):4.17kV; | 获取价格 | ||
| H11AG1VM | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 输入电压类型:DC;输出通道数:1;正向电压:1.25V;反向电压:6V;输出电流:50mA;接收端电压:30V;集射极饱和电压(Vce(sat)@Ic,IF):400mV@0.5mA,2mA;隔离电压(rms):4.17kV; | 获取价格 | ||
| H11AG1SM | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 输入电压类型:DC;输出通道数:1;正向电压:1.25V;反向电压:6V;输出电流:50mA;接收端电压:30V;集射极饱和电压(Vce(sat)@Ic,IF):400mV@0.5mA,2mA;隔离电压(rms):4.17kV; | 获取价格 | ||
| HMHAA280R2V | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 输入电压类型:AC,DC;输出通道数:1;正向电压:1.4V;反向电压:6V;输出电流:50mA;接收端电压:80V;集射极饱和电压(Vce(sat)@Ic,IF):400mV@2.4mA,8mA;隔离电压(rms):3.75kV; | 获取价格 | ||
| BCP68,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):20V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):650mW;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@2A,200mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):85@500mA,1V;特征频率(fT):170MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC850C,215 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):250mW;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):520@2mA,5V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| S9015 | YFW | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):200mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@100mA,10mA;特征频率(fT):150MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| U1D | Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):200V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):920mV@1A;反向电流(Ir):5uA@200V;反向恢复时间(trr):25ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| SF34 | Goodwork Semiconductor Co.,Ltd. | 二极管配置:-;直流反向耐压(Vr):200V;平均整流电流(Io):3A;正向压降(Vf):950mV@3A;反向电流(Ir):5uA@200V;反向恢复时间(trr):35ns;工作温度:-65℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| SF34 | Chongqing Pingwei Technology (Group) Co., Ltd. | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):200V;平均整流电流(Io):3A;正向压降(Vf):950mV@3A;反向电流(Ir):5uA@200V;反向恢复时间(trr):35ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| TD814A-G | Lightning | 输入电压类型:AC,DC;输出通道数:1;正向电压:1.24V;反向电压:6V;输出电流:50mA;接收端电压:80V;集射极饱和电压(Vce(sat)@Ic,IF):60mV@1mA,20mA;隔离电压(rms):5kV; | 获取价格 | ||
| PDTC143TU,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:1个NPN-预偏置;功率(Pd):200mW;集电极电流(Ic):100mA;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极截止电流(Icbo):1uA;集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):100mV@5mA,250uA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@1mA,5V; | 获取价格 | ||
| HR13003 | HL | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):480V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):1.25W;集电极截止电流(Icbo):100uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):800mV@200mA,40mA;特征频率(fT):5MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| KTB1151-Y-U--PH | KEC CORPORATION | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):5A;功率(Pd):1.5W;集电极截止电流(Icbo):10μA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):140mV@2A,200mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):160@2A,1V;特征频率(fT):-;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| SAS14-M | Anbon Semiconductor Co., Ltd. | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):200V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):950mV@1A;反向电流(Ir):5uA@200V;反向恢复时间(trr):35ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SB1424 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):20V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@2A,100mA;特征频率(fT):240MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| A94 | HL | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):200mA;功率(Pd):625mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@50mA,5mA;特征频率(fT):50MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| SODSF14-SH | Leshan Radio Co., Ltd. | 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：200V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：950mV@1A 反向电流(Ir)：5uA@200V 反向恢复时间(trr)：35ns 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| YJL2301C | Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | P沟道增强型场效应晶体管 20V 3.4A 49mΩ@4.5V,3.4A 1W 620mV@250uA 65pF@10V P Channel 550pF@10V 4.3nC@4.5V -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23-3L | 获取价格 |
