找到“mv2101”相关的规格书共6,920个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| 2SA1419S-TD-E | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):160V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@500mA,50mA;特征频率(fT):120MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| DTC144EM3T5G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:1个NPN-预偏置;功率(Pd):260mW;集电极电流(Ic):100mA;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极截止电流(Icbo):500nA;集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):250mV@10mA,300uA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):80@5mA,10V; | 获取价格 | ||
| S9013 | SHENZHEN GOODWORK ELECTRONIC CO.,LTD | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):25V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):300mW;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;特征频率(fT):-;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| PUMD12,115 | Rubycon Corporation | +150℃@(Tj) 100@5mA,5V 100mV@5mA,0.25mA 10kΩ 4.7 180MHz 300mW 0.7V@100uA,5V 100mA 0.8V@1mA,0.3V 50V 100nA 1 NPN - Pre-Biased,1 PNP - Pre-Biased SOT-363 Digital Transistors ROHS | 获取价格 | ||
| PUMD20,115 | Rubycon Corporation | +150℃@(Tj) 30@20mA,5V 2.2kΩ 150mV@10mA,0.5mA 1 300mW 1.6V@20mA,0.3V 100mA 1.2V@1mA,5V 50V 100nA 1 NPN - Pre-Biased,1 PNP - Pre-Biased SOT-363 Digital Transistors ROHS | 获取价格 | ||
| B772 | YONGYUTAI | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@2A,200mA;特征频率(fT):50MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SB1132 | YONGYUTAI | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):32V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):50nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@500mA,50mA;特征频率(fT):150MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| MMBTA42 | YONGYUTAI | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):300V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):350mW;集电极截止电流(Icbo):80nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@30mA,3mA;特征频率(fT):50MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| KSC945CYTA | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):150mA;功率(Pd):250mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):150mV@100mA,10mA;特征频率(fT):300MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| SF14G | Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):200V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):950mV@1A;反向电流(Ir):5uA@200V;反向恢复时间(trr):35ns;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| SF24 | FORMOSA MICROSEMI CO. LTD | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):200V;平均整流电流(Io):2A;正向压降(Vf):950mV@2A;反向电流(Ir):5uA@200V;反向恢复时间(trr):35ns;工作温度:-65℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC857AW | Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):200mW;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):650mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):125@2mA,5V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 3DD4244DM | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):30W;集电极截止电流(Icbo):5μA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@1.5A,500mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):20@500mA,5V;特征频率(fT):-;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| CR08AS-12B | GUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD | 可控硅类型:双向可控硅;断态峰值电压(Vdrm):600V;通态RMS电流(It(rms)):1.26A;门极平均耗散功率(PG(AV)):100mW;通态峰值电压(Vtm):1.5V;门极触发电压(Vgt):800mV;保持电流(Ih):1.5mA;工作温度:-40℃~+125℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| DTC143ZE-MS | Mason semiconductor | 晶体管类型：1个NPN-预偏置 功率(Pd)：150mW 集电极电流(Ic)：100mA 集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极截止电流(Icbo)：100nA 集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：250mV@10mA,1mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：350@10mA,5V 输入电阻：4.7kΩ | 获取价格 | ||
| NE5532N（XBLW） | Shenzhen Xinbole Electronics Co., Ltd. | 高性能低噪声双运算放大器，静态功耗Iq(Typ)8mA，工作电压（Vcc）(v)±2.5~±15V，增益带宽积GBW(Typ)(MHZ)10M ，失调电压 VOS（Max)5mV，转换速率Slew rate(V/us)0.9 | 获取价格 | ||
| YJL2312A | Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | N沟道增强型场效应晶体管 20V 6.8A 13.5mΩ@4.5V,6.8A 1.2W 620mV@250uA 75pF@10V N Channel 900pF@10V 9.2nC@4.5V -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23-3L | 获取价格 | ||
| BC847C(1G) | ST(先科) | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：45V 集电极电流(Ic)：100mA 功率(Pd)：300mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：600mV@100mA,5mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：420@2mA,5V 特征频率(fT)：300MHz 工作温度：+150℃@(Tj) NPN | 获取价格 | ||
| WL2851E33-5/TR | Will Semiconductor Co. Ltd | 电源电压：4.75V~40V；输出范围：1.8V~5.7V；输出精度：<+/-2%；输出电流：150mA@(VIN-VOUT=2V)(类型）；PSRR：60dB@100Hz；退出电压：240mV@IOUT=30mA；静态电流：10μA@VIN=7V(Typ.) | 获取价格 | ||
| 2SC945G | Changzhou Galaxy microelectronics Limited | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):200mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):150mV@100mA,10mA;特征频率(fT):150MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 |
