找到“mv8733”相关的规格书共6,076个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| 2SD1628G-TD-E | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):20V;集电极电流(Ic):5A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@3A,60mA;特征频率(fT):120MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| B772 | WPMTEK TECHNOLOGY INCORPORATED CO. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@2A,200mA;特征频率(fT):50MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| S9013 | DOESHARE | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):25V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):300mW;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;特征频率(fT):-;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| M28S | Shenzhen UMW Semiconductor Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):20V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):200mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):550mV@600mA,20mA;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SA1036KFRAT146R | Rohm Semiconductor | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):32V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):200mW;集电极截止电流(Icbo):1μA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@300mA,30mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):-;特征频率(fT):200MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SA1037AKFRAT146R | Rohm Semiconductor | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):150mA;功率(Pd):200mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@50mA,5mA;特征频率(fT):140MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| SI2302 2.5A | YONGYUTAI | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):2.5A;功率(Pd):900mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):40mΩ@4.5V,2.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):750mV@250uA;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| XRP7665IDBTR-F | Diodes Incorporated | 功能类型:降压型;同步整流:是;输出类型:可调;输出通道数:1;拓扑结构:降压式;输入电压:4.5V~18V;输出电压:925mV~16V;输出电流(最大值):3A;开关频率:340kHz;工作温度:-40℃~+85℃@(TA); | 获取价格 | ||
| H7211-30M5R | Siproin | 输出类型:固定;输出极性:正;输出通道数:1;最大输入电压:6V;输出电压:3V;压差:220mV@(150mA);输出电流:300mA;电源纹波抑制比(PRSS):80dB@(217Hz),70dB@(10kHz); | 获取价格 | ||
| PDTA143EU,115 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:1个PNP-预偏置;功率(Pd):200mW;集电极电流(Ic):100mA;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极截止电流(Icbo):100nA;集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):150mV@10mA,500uA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):30@10mA,5V; | 获取价格 | ||
| MJE13003 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):1.25W;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@200mA,40mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):20@200mA,10V;特征频率(fT):5MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| KSD1691YSTU | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):5A;功率(Pd):1.3W;集电极截止电流(Icbo):10uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):100mV@2A,200mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):160@1A,2V;特征频率(fT):-;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| KSC1815YTA | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):150mA;功率(Pd):400mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):100mV@100mA,10mA;特征频率(fT):80MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| SL844 | SLKORMICRO Electronics Co., Ltd | 输入电压类型:AC,DC;输出通道数:4;正向电压:1.2V;反向电压:6V;输出电流:50mA;接收端电压:80V;集射极饱和电压(Vce(sat)@Ic,IF):100mV@1mA,20mA;隔离电压(rms):5kV; | 获取价格 | ||
| OR-357B-S-TP-G | ShenZhen Orient Technology Co.,Ltd. | 输入电压类型:DC;输出通道数:1;正向电压:1.2V;反向电压:6V;输出电流:50mA;接收端电压:35V;集射极饱和电压(Vce(sat)@Ic,IF):200mV@1mA,20mA;隔离电压(rms):3.75kV; | 获取价格 | ||
| BCP68,115 | Nexperia | SOT223-3L晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：20V 集电极电流(Ic)：2A 功率(Pd)：650mW 集电极截止电流(Icbo)：100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：600mV@2A,200mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：85@500mA,1V | 获取价格 | ||
| YJL2301G | Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | P沟道增强型场效应晶体管 15V 2A 82mΩ@4.5V,1.5A 700mW 620mV@250uA 29pF@10V P Channel 260pF@10V 3.9nC@4.5V -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23-3L | 获取价格 | ||
| LMBTH10LT1G | Leshan Radio Co., Ltd. | 甚高频/超高频晶体管 100uA 25V 300mW 60@4mA,10V 50mA 650MHz 500mV@4mA,400uA NPN -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23-3L | 获取价格 | ||
| ES1002FL_R1_00001 | PANJIT SEMI CONDUCTOR | 二极管配置：独立式 正向压降(Vf)：950mV 1A 直流反向耐压(Vr)：200V 工作温度(最大值)：+150℃ (Tj) 平均整流电流(Io)：1A 反向电流(Ir)：500nA 200V 反向恢复时间(trr)：35ns 工作温度(最小值)：-55℃ (Tj) | 获取价格 | ||
| BCX70H,215 | Nexperia | SOT23-3晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：45V 集电极电流(Ic)：100mA 功率(Pd)：250mW 集电极截止电流(Icbo)：20nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：550mV@50mA,1.25mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：180@2mA,5V | 获取价格 |
