找到“mv8733”相关的规格书共6,076个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| TPCJ2101 | Tech Public Electronics Co.,Ltd. | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：1.4A 功率(Pd)：290mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：100mΩ@4.5V,1A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：700mV@250uA 输入电容(Ciss@Vds)：640pF@8V 反向传输电容(Crss@Vds)：82pF@8V 工作温度：+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| TPDMP2160UW | Tech Public Electronics Co.,Ltd. | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：290mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：100mΩ@4.5V,2.3A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：700mV@250uA 输入电容(Ciss@Vds)：640pF@8V 反向传输电容(Crss@Vds)：82pF@8V 工作温度：+125℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| FZT953 | GUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):100V;集电极电流(Ic):5A;功率(Pd):3W;集电极截止电流(Icbo):50nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):420mV@4A,400mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@1A,1V;特征频率(fT):125MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| PT10MV11-224A2020-E-S | Amphenol Corporation | AMPHENOL PIHER SENSORS AND CONTROLS - PT10MV11-224A2020-E-S - Trimmer Potentiometer, Vertical Adj, 220 kohm, 1 Turns, Through Hole, PT-10 Series, 150 mW, ± 20% - Trimmer Potentiometer, Vertical Adj, 220 kohm, 1 Turns, Through Hole, PT-10 Series, 150 mW, ± 20% | 获取价格 | ||
| MIC29302WU(MS) | Mason semiconductor | 线性稳压器(LDO)@@DC-DC开关电源 最大工作电压26V,低压差、大电流、电流反接和过载过热保护且精度高的电压调节器电路。满载条件（3A）下，输入输出压差仅370mV（典型值）、地端电流仅37mA（典型值）。广泛应用于电源设备，线性电源及开关电源等 | 获取价格 | ||
| 2SA733G-CS | Changzhou Galaxy microelectronics Limited | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):250mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):180mV@100mA,10mA;特征频率(fT):180MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| C2383B | Guangzhou Feihong Semiconductor Co., Ltd. | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):160V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):900mW;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;特征频率(fT):140MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2N5551A | Guangzhou Feihong Semiconductor Co., Ltd. | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):160V;集电极电流(Ic):600mA;功率(Pd):625mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):90mV@50mA,5mA;特征频率(fT):110MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC848CW | Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):200mW;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):420@2mA,5V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FDN337N | Shenzhen FuxinSemi Technology Co., Ltd | N Channel Mosfet, 30V, 2.2A, Super Sot-3; Channel Type:n Channel; Drain Source Voltage Vds:30V; Continuous Drain Current Id:2.2A; Transistor Mounting:surface Mount; Rds(On) Test Voltage:4.5V; Gate Source Threshold Voltage Max:700Mv Rohs Compliant: Yes | 获取价格 | ||
| BCV 62B E6433 | Infineon Technologies | 晶体管类型:2个PNP;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):300mW;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):250mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):290@2mA,5V;特征频率(fT):250MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BCX 55 H6327 | Infineon Technologies | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):2W;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):40@150mA,2V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BCP 53-16 H6327 | Infineon Technologies | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):2W;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):160@150mA,2V;特征频率(fT):125MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BCX 53 H6327 | Infineon Technologies | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):2W;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):40@150mA,2V;特征频率(fT):125MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC 856U E6327 | Infineon Technologies | 晶体管类型:2个PNP;集射极击穿电压(Vceo):65V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):250mW;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):250mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):290@2mA,5V;特征频率(fT):250MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BCP 54-16 H6433 | Infineon Technologies | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):2W;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):160@150mA,2V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BCX 53-16 H6433 | Infineon Technologies | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):2W;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):160@150mA,2V;特征频率(fT):125MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BCX 52-16 H6433 | Infineon Technologies | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):2W;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):160@150mA,2V;特征频率(fT):125MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC 846S H6727 | Infineon Technologies | 晶体管类型:2个NPN;集射极击穿电压(Vceo):65V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):250mW;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):290@2mA,5V;特征频率(fT):250MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 74AUP2G08GXX | Rubycon Corporation | 逻辑电路的归属系列:74AUP;逻辑类型:与门;通道数:2;电源电压:800mV~3.6V;静态电流(最大值):500nA;灌电流(IOL):4mA;拉电流(IOH):4mA;最大传播延迟:6.2ns@3.3V,30pF; | 获取价格 |
