找到“mv8733”相关的规格书共6,076个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| MMBTSC945P(CR) | ST(先科) | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极电流(Ic)：150mA 功率(Pd)：200mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：300mV@100mA,10mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：200@1mA,6V 特征频率(fT)：300MHz 工作温度：+150℃@(Tj) NPN,Vceo=50V,Ic=150mA,hfe=200~400 | 获取价格 | ||
| BC846B | Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：65V 集电极电流(Ic)：100mA 功率(Pd)：200mW 集电极截止电流(Icbo)：100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：500mV@100mA,5mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：200@2mA,5V 特征频率(fT)：100MHz 工作温度：+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| 2SD1624 | Taiwan shike Electronics co.,ltd | 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：32 100mA,2V 集电极截止电流(Icbo)：1μA 功率(Pd)：2.5W 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：500mV 2A,0.2A 集射极击穿电压(Vceo)：30V 特征频率(fT)：50MHz 工作温度(最大值)：+150℃ (Tj) 集电极电流(Ic)：3A 工作温度(最小值)：- 晶体管类型：NPN | 获取价格 | ||
| MMBT2222A | TWGMC | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：40V 集电极电流(Ic)：600mA 功率(Pd)：300mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：300mV@150mA,15mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@150mA,10V 特征频率(fT)：300MHz 工作温度：+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| 2SC1623 L5 | Guangdong Hottech Co. Ltd. | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极电流(Ic)：100mA 功率(Pd)：200mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：300mV@100mA,10mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：135@1mA,6V 特征频率(fT)：250MHz 工作温度：+150℃@(Tj) L5(135~270) | 获取价格 | ||
| TPNTK3134NT1G | Tech Public Electronics Co.,Ltd. | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：950mA 功率(Pd)：150mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：200mΩ@4.5V,550mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：650mV@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：1.15nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：50pF@10V 反向传输电容(Crss@Vds)：8pF@10V 工作温度：+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| BC807-40 | Guangdong Hottech Co. Ltd. | 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：45V 集电极电流(Ic)：500mA 功率(Pd)：300mW 集电极截止电流(Icbo)：100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：700mV@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：250@100mA,1V 特征频率(fT)：100MHz 工作温度：+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| MMBTA92,215 | Nexperia | 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：300V 集电极电流(Ic)：100mA 功率(Pd)：250mW 集电极截止电流(Icbo)：250nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：500mV@20mA,2mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：25@1mA,10V 特征频率(fT)：50MHz 工作温度：+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| ATM1205PSI | Agertech | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):12V;连续漏极电流(Id):1.7A;功率(Pd):470mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):75mΩ@4.5V,1.7A;阈值电压(Vgs(th)@Id):750mV@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):8.7nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):618pF@10V;反向传输电容(Crss@Vds):134pF@10V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC858BW | Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):200mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):650mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):220@2mA,5V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 3DD13003A-126 | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):450V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):20W;集电极截止电流(Icbo):100uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@1.5A,500mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):20@5mA,5V;特征频率(fT):4MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BCV 62B E6327 | Infineon Technologies | 晶体管类型:2个PNP;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):300mW;集电极截止电流(Icbo):15nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):250mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):290@2mA,5V;特征频率(fT):250MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC 817K-25 E6433 | Infineon Technologies | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):700mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):250@100mA,1V;特征频率(fT):170MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BCW 60FF E6327 | Infineon Technologies | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):32V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):330mW;集电极截止电流(Icbo):20nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@50mA,1.25mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):350@2mA,5V;特征频率(fT):250MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC 859C E6327 | Infineon Technologies | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):330mW;集电极截止电流(Icbo):15nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):250mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):520@2mA,5V;特征频率(fT):250MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC 850CW H6327 | Infineon Technologies | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):250mW;集电极截止电流(Icbo):15nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):520@2mA,5V;特征频率(fT):250MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC846PNH6327 | Infineon Technologies | 晶体管类型:1个NPN和1个PNP;集射极击穿电压(Vceo):65V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):250mW;集电极截止电流(Icbo):15nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):290@2mA,5V;特征频率(fT):250MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BCW 67B E6327 | Infineon Technologies | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):32V;集电极电流(Ic):800mA;功率(Pd):330mW;集电极截止电流(Icbo):20nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):700mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):250@100mA,1V;特征频率(fT):200MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC56-10PASX | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):420mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):63@150mA,2V;特征频率(fT):180MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC816-25WX | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):200mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):400mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):160@100mA,1V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 |
