找到“pd532a”相关的规格书共12,397个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| NCE30P12S | WUXI NCE POWER CO., Ltd. | P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：3W | 获取价格 | ||
| IRFI4212H-117P | Infineon Technologies | MOSFETs VDS=100V ID=11A PD=18W 2 N-Channel TO220F-5 | 获取价格 | ||
| IRFP4868PBF | Infineon Technologies | MOSFETs N-Channel Vdss=300V Id=70A Pd=517W TO247AC-3 | 获取价格 | ||
| RDR005N25TL | Rohm Semiconductor | N沟道 漏源电压(Vdss)：250V 连续漏极电流(Id)：0.5A 功率(Pd)：1W | 获取价格 | ||
| NCE60P25K | WUXI NCE POWER CO., Ltd. | P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：25A 功率(Pd)：90W | 获取价格 | ||
| NCE2333Y | WUXI NCE POWER CO., Ltd. | P沟道 漏源电压(Vdss)：12V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1.8W | 获取价格 | ||
| UP3855G-AA3-R | Unisonic Technology Co., Ltd. | 通用三极管 PNP Vceo：140V Ic：4A Pd：1.6W | 获取价格 | ||
| LMBT3906TT1G | Leshan Radio Co., Ltd. | 通用三极管 PNP SC89 Ic=200mA PD=200mW | 获取价格 | ||
| BZV55C12 L1G | TAIWAN SEMICONDUCTOR | 台半 MINI MELF Zzk： 90Ω Pd: 500mW Izk: 1mA | 获取价格 | ||
| BZV55C39 L0G | TAIWAN SEMICONDUCTOR | 台半 MINI MELF Zzk： 500Ω Pd: 500mW Izk: 0.5mA | 获取价格 | ||
| BZV55C36 L0G | TAIWAN SEMICONDUCTOR | 台半 MINI MELF Zzk： 220Ω Pd: 500mW Izk: 1mA | 获取价格 | ||
| BZV55C24 L0G | TAIWAN SEMICONDUCTOR | 台半 MINI MELF Zzk： 220Ω Pd: 500mW Izk: 1mA | 获取价格 | ||
| BZV55C20 L0G | TAIWAN SEMICONDUCTOR | 台半 MINI MELF Zzk： 220Ω Pd: 500mW Izk: 1mA | 获取价格 | ||
| BZV55C13 L0G | TAIWAN SEMICONDUCTOR | 台半 MINI MELF Zzk： 110Ω Pd: 500mW Izk: 1mA | 获取价格 | ||
| LP3407LT1G | Leshan Radio Co., Ltd. | P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.1A 功率(Pd)：1.4W | 获取价格 | ||
| WPM2341-3/TR | Will Semiconductor Co. Ltd | MOSFETs P-Channel VDS=20V ID=3.5A PD=750mW SOT23 | 获取价格 | ||
| SMBJ14A | MDD辰达半导体 | PD=600W，VRM=14V，VBR=15.6～17.2V，VC=23.2V | 获取价格 | ||
| HSL6107 | HUASHUO SEMICONDUCTOR | P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：1.5W | 获取价格 | ||
| HSM0228 | HUASHUO SEMICONDUCTOR | 2个N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：1.5W | 获取价格 | ||
| AO3402A | Shenzhen UMW Semiconductor Co., Ltd. | N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：350mW | 获取价格 |
