找到“ua7908ckter”相关的规格书共5,775个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| AS4435S | Anbon Semiconductor Co., Ltd. | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):11A;功率(Pd):3.1W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):20mΩ@10V,9.1A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA; | 获取价格 | ||
| D6JA80 | Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | 直流反向耐压(Vr):800V;平均整流电流(Io):6A;正向压降(Vf):1V@3A;反向电流(Ir):5uA@800V;正向浪涌电流(Ifsm):175A;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HBR20100-220 | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 二极管配置:1对共阴极;直流反向耐压(Vr):100V;平均整流电流(Io):10A;正向压降(Vf):780mV@10A;反向电流(Ir):10uA@100V; | 获取价格 | ||
| HBR3045-220 | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 二极管配置:1对共阴极;直流反向耐压(Vr):45V;平均整流电流(Io):15A;正向压降(Vf):640mV@15A;反向电流(Ir):50uA@45V; | 获取价格 | ||
| 1H05 | HL | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):5A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):234mΩ@10V,5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.8V@250uA; | 获取价格 | ||
| HF25N50 | HL | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):500V;连续漏极电流(Id):25A;功率(Pd):173W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):300mΩ@10V,12.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| HA20N50 | HL | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):500V;连续漏极电流(Id):20A;功率(Pd):110W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):340mΩ@10V,10A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| HF20N50 | HL | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):500V;连续漏极电流(Id):20A;功率(Pd):98W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):340mΩ@10V,10A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | 获取价格 | ||
| IAUC100N04S6N015 | Infineon Technologies | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):100A;功率(Pd):100W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.55mΩ@10V,50A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@150uA; | 获取价格 | ||
| IDH12G65C6 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):650V;平均整流电流(Io):27A;正向压降(Vf):1.25V@12A;反向电流(Ir):1.2uA@420V; | 获取价格 | ||
| IDH05G120C5 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):1.2kV;平均整流电流(Io):19.1A;正向压降(Vf):1.5V@5A;反向电流(Ir):2.5uA@1.2kV; | 获取价格 | ||
| IDK16G120C5 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):1.2kV;平均整流电流(Io):40A;正向压降(Vf):1.65V@16A;反向电流(Ir):5.5uA@1.2kV; | 获取价格 | ||
| IDH20G120C5 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):1.2kV;平均整流电流(Io):56A;正向压降(Vf):1.5V@20A;反向电流(Ir):8.5uA@1.2kV; | 获取价格 | ||
| BSC120N03MS G | Infineon Technologies | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):11A;功率(Pd):2.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):12mΩ@10V,30A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250uA; | 获取价格 | ||
| BSC070N10LS5 | Infineon Technologies | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):79A;功率(Pd):83W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.3V@49uA; | 获取价格 | ||
| AIDW30S65C5 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):650V;平均整流电流(Io):30A;正向压降(Vf):1.5V@30A;反向电流(Ir):5uA@650V; | 获取价格 | ||
| IDK05G120C5 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):1.2kV;平均整流电流(Io):19.1A;正向压降(Vf):1.5V@5A;反向电流(Ir):2.5uA@1.2kV; | 获取价格 | ||
| BSL308PE H6327 | Infineon Technologies | 类型:2个P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):2A;功率(Pd):500mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):80mΩ@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@11uA; | 获取价格 | ||
| BAS 3005A-02V H6327 | Infineon Technologies | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):30V;平均整流电流(Io):500mA;正向压降(Vf):450mV@500mA;反向电流(Ir):300uA@30V; | 获取价格 | ||
| BSC018N04LS G | Infineon Technologies | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):100A;功率(Pd):2.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.5mΩ@4.5V,50A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@85uA; | 获取价格 |
