找到“ua7908ckter”相关的规格书共5,775个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| HYG092N10LS1C2 | HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):60A;功率(Pd):62.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.8mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.6V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):25nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):2.348nF@50V;反向传输电容(Crss@Vds):12.4pF@50V;工作温度:+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 7580D | FM | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):75V;连续漏极电流(Id):86A;功率(Pd):147W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):115nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):5.053nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):145pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| CS4N65A3HD1-G | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):75W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2Ω@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):14.5nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):544pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):8.5pF@25V;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| GN10N65A4 | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):10A;功率(Pd):110W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):900mΩ@10V,3.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):21.3nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.42nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):7.4pF@25V;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 3DD13005GRD | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 晶体管类型:NPN(集电极发射极结二极管);集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):4A;功率(Pd):50W;集电极截止电流(Icbo):100uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):250mV@2A,500mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):15@1A,5V;特征频率(fT):5MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| CS5N60FA9HD | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):5A;功率(Pd):30W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.8Ω@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):14.5nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):544pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):8.5pF@25V;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 3DD13005C7D | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 晶体管类型:1个NPN,1个PNP;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):4A;功率(Pd):50W;集电极截止电流(Icbo):100uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@2A,500mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):15@1A,5V;特征频率(fT):5MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| ATM2302BNSA | Agertech | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):3A;功率(Pd):700mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):85mΩ@4.5V,3A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.1V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):2.9nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):280pF@10V;反向传输电容(Crss@Vds):29pF@10V;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 3DD13005ED-126S | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):4A;功率(Pd):40W;集电极截止电流(Icbo):100uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1V@2A,400mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):20@500mA,10V;特征频率(fT):4MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 3DD4242DM-126 | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):20W;集电极截止电流(Icbo):5uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@500mA,100mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):22@100mA,10V;特征频率(fT):4MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HP120N04(BGG) | HL | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):120A;功率(Pd):147W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.5mΩ@10V,60A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.7V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):91nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):4.061nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):227pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SB1216S-E | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):100V;集电极电流(Ic):4A;功率(Pd):20W;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):150mV@2A,200mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):140@500mA,5V;特征频率(fT):180MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FQPF10N60C | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):9.5A;功率(Pd):50W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):600mΩ@10V,4.75A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):44nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.57nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):18pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FQA13N50CF | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):500V;连续漏极电流(Id):15A;功率(Pd):218W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):430mΩ@10V,7.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):43nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.58nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):20pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SD1816S-H | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):100V;集电极电流(Ic):4A;功率(Pd):20W;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):150mV@2A,200mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):140@500mA,5V;特征频率(fT):180MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SA1552S-TL-E | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):160V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):15W;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):130mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):140@100mA,5V;特征频率(fT):120MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FQPF9P25YDTU | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):250V;连续漏极电流(Id):6A;功率(Pd):50W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):480mΩ@10V,3A;阈值电压(Vgs(th)@Id):5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):29nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):910pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):27pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HUF75344P3 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):55V;连续漏极电流(Id):75A;功率(Pd):285W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.5mΩ@10V,75A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):175nC@0~20V;输入电容(Ciss@Vds):3.2nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):310pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HUF75332P3 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):55V;连续漏极电流(Id):60A;功率(Pd):145W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):16mΩ@10V,60A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):70nC@20V;输入电容(Ciss@Vds):1.3nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):115pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FDB9509L-F085 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):16.1A;功率(Pd):3.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.4mΩ@10V,80A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.7V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):22nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):3.4nF@20V;反向传输电容(Crss@Vds):39pF@20V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 |
