找到“ua7908ckter”相关的规格书共5,775个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| 3DD4612DT-92 | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):450V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@500mA,100mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):22@100mA,10V;特征频率(fT):4MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HD7N50E(BHB) | HL | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):530V;连续漏极电流(Id):7A;功率(Pd):45W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.05Ω@10V,3.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):15.5nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):750pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):11.5pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HD40N04(ADE) | HL | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):40A;功率(Pd):50W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):10.5mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.7V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):23.5nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):944pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):70pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| HD60N08(AGF) | HL | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):60A;功率(Pd):85W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):13mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):36nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):2.498nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):80pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FQPF5P20RDTU | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):200V;连续漏极电流(Id):3.4A;功率(Pd):38W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.1Ω@10V,1.7A;阈值电压(Vgs(th)@Id):5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):10nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):330pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):12pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FJE3303H1TU | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):20W;集电极截止电流(Icbo):10uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):3V@1.5A,500mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):8@500mA,2V;特征频率(fT):4MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SA2126-TL-H | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):15W;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):260mV@2A,100mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@100mA,2V;特征频率(fT):390MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SA2126-TL-E | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):15W;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):260mV@2A,100mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@100mA,2V;特征频率(fT):390MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FDMS86550ET60 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):245A;功率(Pd):187W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.4mΩ@10V,32A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3.3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):90nC@8V;输入电容(Ciss@Vds):8.235nF@30V;反向传输电容(Crss@Vds):70pF@30V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FDMS86252L | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):150V;连续漏极电流(Id):12A;功率(Pd):50W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):46mΩ@10V,4.4A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):15nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.335nF@75V;反向传输电容(Crss@Vds):3pF@75V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SC6094-TD-E | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):3.5W;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):90mV@1A,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):300@100mA,2V;特征频率(fT):390MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BD435G | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):32V;集电极电流(Ic):4A;功率(Pd):36W;集电极截止电流(Icbo):100uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@2A,200mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):85@500mA,1V;特征频率(fT):3MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SB1124S-TD-E | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):190mV@2A,100mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):140@100mA,2V;特征频率(fT):150MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FDMS8888 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):51A;功率(Pd):42W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):80mΩ@10V,13.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.9V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):13nC@0~5V;输入电容(Ciss@Vds):1.195nF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):161pF@15V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FDMS86181E | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):124A;功率(Pd):125W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.3mΩ@10V,44A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3.1V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):27nC@6V;输入电容(Ciss@Vds):2.945nF@50V;反向传输电容(Crss@Vds):20pF@50V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SD1624S-TD-H | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):500mW;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):190mV@2A,100mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):140@100mA,2V;特征频率(fT):150MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FJA4213RTU | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):250V;集电极电流(Ic):17A;功率(Pd):130W;集电极截止电流(Icbo):5uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):400mV@8A,800mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):55@1A,5V;特征频率(fT):30MHz;工作温度:-50℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FDME910PZT | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):8A;功率(Pd):2.1W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):20mΩ@4.5V,8A;阈值电压(Vgs(th)@Id):600mV@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):15nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):1.586nF@10V;反向传输电容(Crss@Vds):218pF@10V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FQU11P06TU | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):9.4A;功率(Pd):38W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):150mΩ@10V,4.7A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):13nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):420pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):45pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FDMS86105 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):26A;功率(Pd):48W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):27mΩ@10V,6A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.8V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):4.2nC@0~5V;输入电容(Ciss@Vds):483pF@50V;反向传输电容(Crss@Vds):5pF@50V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 |
