| SR2200 | MDD辰达半导体 | 直流反向耐压(Vr)：200V 平均整流电流(Io)：2A 正向压降(Vf)：950mV@2A 反向电流(Ir)：200μA | | | 获取价格 |
| SR260 | MDD辰达半导体 | 直流反向耐压(Vr)：60V 平均整流电流(Io)：2A 正向压降(Vf)：700mV@2A 停产 | | | 获取价格 |
| DHE1M | MDD辰达半导体 | 快/超快恢复二极管 1kV 1A 1.7V@1A 75ns SOD123FL | | | 获取价格 |
| SS36B | MDD辰达半导体 | 肖特基二极管 VR=60V IF=3A VF=0.70V IR=500uA | | | 获取价格 |
| RS1M-SMA | MDD辰达半导体 | VR=1000V IF=1A 15pF trr=500ns | | | 获取价格 |
| S1G-SMA | MDD辰达半导体 | 表面安装通用整流器SMA 400V 4A 15pF | | | 获取价格 |
| MB6S | MDD辰达半导体 | 桥式整流器/整流桥 600V 30A MBS 晶圆46mil（非标准版） | | | 获取价格 |
| MB6F | MDD辰达半导体 | 桥式整流器/整流桥 VRM=600V，IO=1A，VF=1.1V，IR=5uA | | | 获取价格 |
| MB10S | MDD辰达半导体 | 桥式整流器/整流桥 VRM=1000V，IO=1.0A，IFSM=30A，VF=1.0V，IR=5uA | | | 获取价格 |
| SS54BF | MDD辰达半导体 | 肖特基二极管 VR=40V IF=5A VF=0.55V IR=1000uA | | | 获取价格 |
| 1N5404 | MDD辰达半导体 | 整流二极管 VR=400V IF=3A VF=1.2V IR=5uA | | | 获取价格 |
| MMBT5551 | MDD辰达半导体 | NPN IC（集电极最大电流）=600mA PD（最大功率）=350mW 应用：通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
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| MMBD4148SE | MDD辰达半导体 | VR=100V IF=0.2A VF=1.0V IR=100uA trr=4nS
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| BAV99 | MDD辰达半导体 | 开关二极管（小信号） VR=70V IF=200mA VF=1.25V IR=2.5uA | | | 获取价格 |
| 1N4148WT | MDD辰达半导体 | 开关二极管（小信号） VR=100V IF=125mA VF=1.25V IR=1uA Trr=4ns | | | 获取价格 |
| P6KE6.8CA | MDD辰达半导体 | ESD抑制器/TVS二极管 VRWM=5.8V VBR(Min)=6.45V VC=10.5V@Ipp=57.1A PD=600W DO-15 | | | 获取价格 |
| P6KE200A | MDD辰达半导体 | ESD抑制器/TVS二极管 VRWM=171V VBR(Min)=190V VC=274V@Ipp=2.2A PD=600W DO-15 | | | 获取价格 |
| SMAJ28A-SMA | MDD辰达半导体 | 表面安装瞬态电压抑制器SMA 400W | | | 获取价格 |
| SMCJ6.5CA | MDD辰达半导体 | PD=1500W，VRM=6.5V，VBR=7.22～7.98V，VC=11.2V
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| SMCJ6.0A | MDD辰达半导体 | ESD抑制器/TVS二极管 PD=1500W，VRM=6.0V，VBR=6.67～7.37V，VC=10.3V | | | 获取价格 |
