| FHD9540B | Guangzhou Feihong Semiconductor Co., Ltd. | FHD9540B | | | 获取价格 |
| TIP122D | Guangzhou Feihong Semiconductor Co., Ltd. | TIP122D | | | 获取价格 |
| FHF7N65A | Guangzhou Feihong Semiconductor Co., Ltd. | FHF7N65A | | | 获取价格 |
| FHD80N07C | Guangzhou Feihong Semiconductor Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):63V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):59.4W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8.5mΩ@10V,33A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA; | | | 获取价格 |
| C945AF | Guangzhou Feihong Semiconductor Co., Ltd. | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):52V;集电极电流(Ic):150mA;功率(Pd):400mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@100mA,10mA;特征频率(fT):-;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| C9012A | Guangzhou Feihong Semiconductor Co., Ltd. | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):20V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):450mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@100mA,5mA;特征频率(fT):-;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| C2383A | Guangzhou Feihong Semiconductor Co., Ltd. | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):160V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):900mW;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1.5V@500mA,50mA;特征频率(fT):20MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| FHS80N08B | Guangzhou Feihong Semiconductor Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):110W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9.5mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | | | 获取价格 |
| FHA150N06C | Guangzhou Feihong Semiconductor Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):55V;连续漏极电流(Id):150A;功率(Pd):290W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):11.5mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | | | 获取价格 |
| FHA20N65A | Guangzhou Feihong Semiconductor Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):20A;功率(Pd):250W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):400mΩ@10V,10A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | | | 获取价格 |
| FHF13N50C | Guangzhou Feihong Semiconductor Co., Ltd. | FHF13N50C | | | 获取价格 |
| S8550DA | Guangzhou Feihong Semiconductor Co., Ltd. | S8550DA | | | 获取价格 |
| TIP127C | Guangzhou Feihong Semiconductor Co., Ltd. | TIP127C | | | 获取价格 |
| FHD70N03A | Guangzhou Feihong Semiconductor Co., Ltd. | FHD70N03A | | | 获取价格 |
| FHF4N60A | Guangzhou Feihong Semiconductor Co., Ltd. | FHF4N60A | | | 获取价格 |
| FHA80F40A | Guangzhou Feihong Semiconductor Co., Ltd. | 二极管配置:1对共阴极;直流反向耐压(Vr):400V;平均整流电流(Io):40A;正向压降(Vf):1V@40A;反向电流(Ir):50uA@400V;反向恢复时间(trr):50ns;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| FHP150N03C | Guangzhou Feihong Semiconductor Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):26V;连续漏极电流(Id):150A;功率(Pd):125W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA; | | | 获取价格 |
| E13003DA | Guangzhou Feihong Semiconductor Co., Ltd. | 晶体管类型:-;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):1.5W;集电极截止电流(Icbo):1μA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@1A,200mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):15@500mA,5V;特征频率(fT):5MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| FHD4N65D | Guangzhou Feihong Semiconductor Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):49W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.8Ω@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | | | 获取价格 |
| FHU4N60A | Guangzhou Feihong Semiconductor Co., Ltd. | | | | 获取价格 |
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