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型号厂商描述数据手册替代料参考价格
HD40N03HL获取价格
HD100N03(BAF)HL获取价格
HB840U(CHA)HL类型:N沟道;漏源电压(Vdss):520V;连续漏极电流(Id):8A;功率(Pd):135W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):750mΩ@10V,4A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):25nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):20pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);获取价格
HD100N02HL类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):100A;功率(Pd):87W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.9mΩ@4.5V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):700mV@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):32nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):2.8nF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):265pF@15V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj);获取价格
HD60N03HLHD60N03获取价格
HD7N50HL获取价格
HD830UHLN沟道,550V,5A,1.3Ω@10V获取价格
HD70N08HLN沟道,80V,70A,10mΩ@10V获取价格
HD1H15AHLN沟道,100V,15A,105mΩ@10V获取价格
HD830HL类型:N沟道;漏源电压(Vdss):550V;连续漏极电流(Id):5A;功率(Pd):3.13W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.5Ω@10V,2.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250uA;获取价格
HR13003HL晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):480V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):1.25W;集电极截止电流(Icbo):100uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):800mV@200mA,40mA;特征频率(fT):5MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);获取价格
A94HL晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):200mA;功率(Pd):625mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@50mA,5mA;特征频率(fT):50MHz;工作温度:+150℃@(Tj);获取价格
C945HLTO-92塑料封装晶体管获取价格
HB3510PHL类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):50A;功率(Pd):83W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):38mΩ@10V,15A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;获取价格
HB100N08(CEE)HL类型:N沟道;漏源电压(Vdss):82V;连续漏极电流(Id):100A;功率(Pd):147W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.5mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):115nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):5.053nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):145pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj);获取价格
HD60N75HL类型:N沟道;漏源电压(Vdss):75V;连续漏极电流(Id):60A;功率(Pd):3.75W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):16mΩ@10V,30A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;获取价格
HD60P03(AFE)HL类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-;获取价格
1N4004HL直流反向耐压(Vr):400V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1.1V@1A 反向电流(Ir):5uA@400V获取价格
HA210N06HLHA210N06获取价格
HER303HL二极管配置:-;直流反向耐压(Vr):200V;平均整流电流(Io):3A;正向压降(Vf):1V@3A;反向电流(Ir):10uA@200V;获取价格