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型号厂商描述数据手册替代料参考价格
HP100N03HL获取价格
HU60N03HL类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):60A;功率(Pd):2W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):14mΩ@10V,30A;获取价格
HF16N50HL获取价格
HD50N06(BAF)HL类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):50A;功率(Pd):120W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):12mΩ@10V,25A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):40nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.6nF@20V;反向传输电容(Crss@Vds):90pF@20V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);获取价格
HP8N60HL获取价格
HL20N04HL类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):20A;功率(Pd):38W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):14mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):20nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):840pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):60pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj);获取价格
HF10N80HL类型:N沟道;漏源电压(Vdss):800V;连续漏极电流(Id):10A;功率(Pd):65W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):800mΩ@10V,5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):83nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.979nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):53pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);获取价格
HD7N50HL获取价格
HD830UHLN沟道,550V,5A,1.3Ω@10V获取价格
HD70N08HLN沟道,80V,70A,10mΩ@10V获取价格
HD1H15AHLN沟道,100V,15A,105mΩ@10V获取价格
HD830HL类型:N沟道;漏源电压(Vdss):550V;连续漏极电流(Id):5A;功率(Pd):3.13W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.5Ω@10V,2.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250uA;获取价格
HR13003HL晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):480V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):1.25W;集电极截止电流(Icbo):100uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):800mV@200mA,40mA;特征频率(fT):5MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);获取价格
A94HL晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):200mA;功率(Pd):625mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@50mA,5mA;特征频率(fT):50MHz;工作温度:+150℃@(Tj);获取价格
C945HLTO-92塑料封装晶体管获取价格
HD7N50E(BHB)HL类型:N沟道;漏源电压(Vdss):530V;连续漏极电流(Id):7A;功率(Pd):45W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.05Ω@10V,3.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):15.5nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):750pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):11.5pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);获取价格
D965HL通用三极管 TO-92-3获取价格
D965HL通用三极管 SOT89-3获取价格
1H05HL类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):5A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):234mΩ@10V,5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.8V@250uA;获取价格
HP120N04HL获取价格