| A733 T | HL | | | | 获取价格 |
| HD60P03 | HL | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):50A;功率(Pd):60W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):13mΩ@10V,15A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):30nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.7nF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):108pF@15V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| HB3710P | HL | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):70A;功率(Pd):200W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):20mΩ@10V,35A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | | | 获取价格 |
| HD40N03 | HL | | | | 获取价格 |
| HD100N03(BAF) | HL | | | | 获取价格 |
| HB840U(CHA) | HL | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):520V;连续漏极电流(Id):8A;功率(Pd):135W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):750mΩ@10V,4A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):25nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):20pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| HD100N02 | HL | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):100A;功率(Pd):87W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.9mΩ@4.5V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):700mV@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):32nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):2.8nF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):265pF@15V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| HD60N03 | HL | | | | 获取价格 |
| HDF1060N(HEO) | HL | | | | 获取价格 |
| HF2N60 | HL | | | | 获取价格 |
| HD30N06 | HL | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | | | 获取价格 |
| HN13003 | HL | | | | 获取价格 |
| HDF560N | HL | 二极管配置:独立式;直流反向耐压(Vr):700V;平均整流电流(Io):5A;正向压降(Vf):2.1V@5A;反向电流(Ir):5uA@700V;反向恢复时间(trr):35ns;工作温度:-50℃~+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| HD30N03 | HL | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):20A;功率(Pd):1.8W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):19mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA; | | | 获取价格 |
| HF13N50 | HL | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):500V;连续漏极电流(Id):13A;功率(Pd):48W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):480mΩ@10V,6.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | | | 获取价格 |
| HF10N60 | HL | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):9.5A;功率(Pd):50W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):800mΩ@10V,4.75A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250uA; | | | 获取价格 |
| HDF1060N | HL | | | | 获取价格 |
| HP15N10 | HL | | | | 获取价格 |
| 2N5551 C | HL | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):160V;集电极电流(Ic):600mA;功率(Pd):625mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@50mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):150@10mA,5V;特征频率(fT):80MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| HU4N65 | HL | | | | 获取价格 |
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