| A733 T | HL | | | | 获取价格 |
| HD60P03 | HL | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):50A;功率(Pd):60W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):13mΩ@10V,15A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):30nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):1.7nF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):108pF@15V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| HB3710P | HL | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):70A;功率(Pd):200W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):20mΩ@10V,35A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | | | 获取价格 |
| HD7N50 | HL | | | | 获取价格 |
| HD830U | HL | N沟道,550V,5A,1.3Ω@10V | | | 获取价格 |
| HD70N08 | HL | N沟道,80V,70A,10mΩ@10V | | | 获取价格 |
| HD1H15A | HL | N沟道,100V,15A,105mΩ@10V | | | 获取价格 |
| HD830 | HL | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):550V;连续漏极电流(Id):5A;功率(Pd):3.13W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.5Ω@10V,2.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250uA; | | | 获取价格 |
| HR13003 | HL | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):480V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):1.25W;集电极截止电流(Icbo):100uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):800mV@200mA,40mA;特征频率(fT):5MHz;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| A94 | HL | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):200mA;功率(Pd):625mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@50mA,5mA;特征频率(fT):50MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| C945 | HL | TO-92塑料封装晶体管 | | | 获取价格 |
| HD7N50E(BHB) | HL | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):530V;连续漏极电流(Id):7A;功率(Pd):45W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.05Ω@10V,3.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):15.5nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):750pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):11.5pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| D965 | HL | 通用三极管 TO-92-3 | | | 获取价格 |
| D965 | HL | 通用三极管 SOT89-3 | | | 获取价格 |
| 1H05 | HL | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):5A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):234mΩ@10V,5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.8V@250uA; | | | 获取价格 |
| HP120N04 | HL | | | | 获取价格 |
| HD840U(CHA) | HL | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | | | 获取价格 |
| 1N4148W(T4) | HL | | | | 获取价格 |
| 13001 T | HL | | | | 获取价格 |
| HF25N50 | HL | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):500V;连续漏极电流(Id):25A;功率(Pd):173W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):300mΩ@10V,12.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA; | | | 获取价格 |
