| SVF2N60RDTR | Silan | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):2A;功率(Pd):34W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.7Ω@10V,1A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):8.92nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):250pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):2.7pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| SD6832 | Silan | 内置650V功率场效应管，电源适配器芯片。10W左右适用。 | | | 获取价格 |
| SVF4N90F | Silan | MOS管 N-Channel VDS=900V VGS=±30V ID=4A RDS(ON)=3.5Ω@2A,10V TO220F | | | 获取价格 |
| 1N4007 | SILAN[SilanMicroelectronicsJoint-stock] | 1N4007 - GENERAL PURPOSE SILICON RECTIFIER VOLTAGE RANGE 50 TO 1000 Volts Current 1 Ampere - Silan Microelectronics Joint-stock | | | 获取价格 |
| 1N4005 | SILAN[SilanMicroelectronicsJoint-stock] | 1N4005 - GENERAL PURPOSE SILICON RECTIFIER VOLTAGE RANGE 50 TO 1000 Volts Current 1 Ampere - Silan Microelectronics Joint-stock | | | 获取价格 |
| SDH8665Q | Silan | 内置高压功率MOSFET的多重模式开关电源控制器 EHSOP5 | | | 获取价格 |
| SVS11N65FJD2 | Silan | SVS11N65FJD2 | | | 获取价格 |
| SVF4N60RD-TR | Silan | SVF4N60RD-TR | | | 获取价格 |
| SVF4N65CAF | Silan | SVF4N65CAF | | | 获取价格 |
| SBD10L45BT3 | Silan | SBD10L45BT3 | | | 获取价格 |
| SVF4N65RMJ | Silan | SVF4N65RMJ | | | 获取价格 |
| SGM100HF12A1TFD | Silan | SGM100HF12A1TFD | | | 获取价格 |
| SD20M60AC | Silan | SD20M60AC | | | 获取价格 |
| SD4871 | Silan | SD4871 | | | 获取价格 |
| SC7A20TR | Silan | ±2G/±4G/±8G/±16G三轴微机械数字加速度计 | | | 获取价格 |
| SVF7N60F | Silan | SVF7N60F | | | 获取价格 |
| SD30M60AC | Silan | SD30M60AC | | | 获取价格 |
| SDH8303 | Silan | 内置高压MOSFET的电流模式PWM控制器 | | | 获取价格 |
| SVF5N60F | Silan | N沟道 漏源电压(Vdss)：600V 连续漏极电流(Id)：5A 功率(Pd)：40W | | | 获取价格 |
| SVF7N65F | Silan | N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：7A 功率(Pd)：46W | | | 获取价格 |
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