找到“IB2405S”相关的规格书共1,792个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| S9013-TA | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):25V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):625mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):144@50mA,1V;特征频率(fT):150MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 2SD1616A | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):120V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):750mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@1A,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@100mA,2V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC546-TA | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):65V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):625mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@2mA,5V;特征频率(fT):150MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 3DD4613H-92-FJ | Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):500V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):1uA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@500mA,100mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):8@1A,5V;特征频率(fT):4MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC337 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):800mA;功率(Pd):625mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):700mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):250@100mA,1V;特征频率(fT):210MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 8550SS-TA | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):25V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@800mA,80mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):160@100mA,1V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 8050SS | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):25V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@800mA,80mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):85@100mA,1V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| 8050S | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):25V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):625mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@500mA,50mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):160@50mA,1V;特征频率(fT):150MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BC817 | Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：45V 集电极电流(Ic)：500mA 功率(Pd)：300mW 集电极截止电流(Icbo)：100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：700mV@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@100mA,1V 特征频率(fT)：100MHz 工作温度：+150℃@(Tj) NPN,Vceo=45V,Ic=0.5A,hfe=100~250 | 获取价格 | ||
| BC846B(1B) | ST(先科) | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：65V 集电极电流(Ic)：100mA 功率(Pd)：300mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：600mV@100mA,5mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：200@2mA,5V 特征频率(fT)：300MHz 工作温度：+150℃@(Tj) NPN,Vceo=-65V,Ic=-100mA,hfe=200~450 | 获取价格 | ||
| MMBT2222A | ST(先科) | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：40V 集电极电流(Ic)：600mA 功率(Pd)：350mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：1V@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：40@500mA,10V 特征频率(fT)：300MHz 工作温度：+150℃@(Tj) NPN | 获取价格 | ||
| MMBTSC945P(CR) | ST(先科) | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极电流(Ic)：150mA 功率(Pd)：200mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：300mV@100mA,10mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：200@1mA,6V 特征频率(fT)：300MHz 工作温度：+150℃@(Tj) NPN,Vceo=50V,Ic=150mA,hfe=200~400 | 获取价格 | ||
| BC846B | Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：65V 集电极电流(Ic)：100mA 功率(Pd)：200mW 集电极截止电流(Icbo)：100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：500mV@100mA,5mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：200@2mA,5V 特征频率(fT)：100MHz 工作温度：+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| 2SD1624 | Taiwan shike Electronics co.,ltd | 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：32 100mA,2V 集电极截止电流(Icbo)：1μA 功率(Pd)：2.5W 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：500mV 2A,0.2A 集射极击穿电压(Vceo)：30V 特征频率(fT)：50MHz 工作温度(最大值)：+150℃ (Tj) 集电极电流(Ic)：3A 工作温度(最小值)：- 晶体管类型：NPN | 获取价格 | ||
| MMBT2222A | TWGMC | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：40V 集电极电流(Ic)：600mA 功率(Pd)：300mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：300mV@150mA,15mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@150mA,10V 特征频率(fT)：300MHz 工作温度：+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| 2SC1623 L5 | Guangdong Hottech Co. Ltd. | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极电流(Ic)：100mA 功率(Pd)：200mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：300mV@100mA,10mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：135@1mA,6V 特征频率(fT)：250MHz 工作温度：+150℃@(Tj) L5(135~270) | 获取价格 | ||
| MMBT2907A | CHINA BASE ELECTRONIC TECHNOLOGY LIMITED | 晶体管类型：- 集电极电流(Ic)：600mA 集射极击穿电压(Vceo)：60V 功率(Pd)：350mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：1.6V@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@150mA,10V 特征频率(fT)：200MHz 工作温度(最小值)：- 工作温度(最大值)：+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| BC807-40 | Guangdong Hottech Co. Ltd. | 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：45V 集电极电流(Ic)：500mA 功率(Pd)：300mW 集电极截止电流(Icbo)：100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：700mV@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：250@100mA,1V 特征频率(fT)：100MHz 工作温度：+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| MMBTA92,215 | Nexperia | 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：300V 集电极电流(Ic)：100mA 功率(Pd)：250mW 集电极截止电流(Icbo)：250nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：500mV@20mA,2mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：25@1mA,10V 特征频率(fT)：50MHz 工作温度：+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| BC858BW | Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):200mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):650mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):220@2mA,5V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 |
