找到“ID8155B”相关的规格书共8,200个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| FDMT800152DC | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):150V;连续漏极电流(Id):72A;功率(Pd):113W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.9mΩ@10V,13A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.9V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):38nC@0~6V;输入电容(Ciss@Vds):4.196nF@75V;反向传输电容(Crss@Vds):16pF@75V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FQA9N90-F109 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):900V;连续漏极电流(Id):8.6A;功率(Pd):240W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1Ω@10V,4.3A;阈值电压(Vgs(th)@Id):5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):55nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):2.7nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):25pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FDWS86368-F085 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):214W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.7mΩ@10V,80A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):57nC@0~10V;输入电容(Ciss@Vds):4.35nF@40V;反向传输电容(Crss@Vds):20pF@40V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FCP25N60N-F102 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):25A;功率(Pd):216W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):107mΩ@10V,12.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):57nC@10v;输入电容(Ciss@Vds):2.52nF@100V;反向传输电容(Crss@Vds):3.2pF@100V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FDPF51N25RDTU | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):250V;连续漏极电流(Id):51A;功率(Pd):38W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):48mΩ@10V,25.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):55nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):2.62nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):63pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FDPC3D5N025X9D | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:2个N沟道;漏源电压(Vdss):25V;连续漏极电流(Id):74A;功率(Pd):26W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2mΩ@10V,18A；2.5mΩ@10V,18A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):17nC@0~4.5V;输入电容(Ciss@Vds):2.385nF@13V;反向传输电容(Crss@Vds):78pF@13V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FDB86563-F085 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):110A;功率(Pd):333W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.6mΩ@10V,80A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.9V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):126nC@0~10V;输入电容(Ciss@Vds):10.6nF@30V;反向传输电容(Crss@Vds):186pF@30V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FDB8443 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):182A;功率(Pd):188W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.3mΩ@10V,80A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.8V@500uA;栅极电荷(Qg@Vgs):142nC@0~10V;输入电容(Ciss@Vds):9.31nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):510pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FQA44N30 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):300V;连续漏极电流(Id):43.5A;功率(Pd):310W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):55mΩ@10V,21.75A;阈值电压(Vgs(th)@Id):5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):120nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):4.35nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):75pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FDWS9511L-F085 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):9.1A;功率(Pd):3W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):17mΩ@10V,30A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.8V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):8nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):1.2nF@20V;反向传输电容(Crss@Vds):26pF@20V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FDMS86152 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):45A;功率(Pd):125W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.2mΩ@10V,14A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):36nC@0~10V;输入电容(Ciss@Vds):2.53nF@50V;反向传输电容(Crss@Vds):22pF@50V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FDB0260N1007L | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):200A;功率(Pd):250W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.3mΩ@10V,27A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.8V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):84nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):6.101nF@50V;反向传输电容(Crss@Vds):46pF@50V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FDZ1416NZ | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:双N沟道(半桥);漏源电压(Vdss):24V;连续漏极电流(Id):7A;功率(Pd):1.7W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):16mΩ@4.5V,1A;阈值电压(Vgs(th)@Id):900mV@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):12nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):1.14nF@12V;反向传输电容(Crss@Vds):129pF@12V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FDMS8880 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):51A;功率(Pd):42W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.3mΩ@10V,13.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.9V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):13nC@0~5V;输入电容(Ciss@Vds):1.195nF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):161pF@15V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| FCP850N80Z | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):800V;连续漏极电流(Id):8A;功率(Pd):136W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):710mΩ@10V,3A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@600uA;栅极电荷(Qg@Vgs):22nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):990pF@100V;反向传输电容(Crss@Vds):0.74pF@100V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| SL10N06A | SLKORMICRO Electronics Co., Ltd | 类型 N VDSS(V) 60 ID@TC=82?C(A) 10 PD@TC=82?C(W) 1.2 VGS(V) ±20 RDS(on)(m?)Max.@TC=25?C VGS=4.62V 45 | 获取价格 | ||
| J109-D26Z | Murata Manufacturing Co., Ltd. | FET类型:-;栅源击穿电压(V(BR)GSS):-;栅源截止电压(VGS(off)@ID):-;饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):-;漏源导通电阻(RDS(on)):-;输入电容(Ciss@Vds):-;功率(Pd):-; | 获取价格 | ||
| J176-D74Z | Murata Manufacturing Co., Ltd. | FET类型:-;栅源击穿电压(V(BR)GSS):-;栅源截止电压(VGS(off)@ID):-;饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0):-;漏源导通电阻(RDS(on)):-;输入电容(Ciss@Vds):-;功率(Pd):-; | 获取价格 | ||
| DMX1015E | ARK Microelectronics Co., Ltd. | MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±30V ID=100mA RDS(ON)=30Ω@100mA SOT89 | 获取价格 | ||
| DMZ0622E | ARK Microelectronics Co., Ltd. | MOS管 N-Channel VDS=70V VGS=±30V ID=100mA RDS(ON)=15Ω@100mA SOT23 | 获取价格 |
