找到“ID8156B”相关的规格书共8,216个
| 型号 | 厂商 | 描述 | 数据手册 | 替代料 | 参考价格 |
|---|---|---|---|---|---|
| ZXMN10A07ZTA-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):4.2A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):102mΩ@10V,4.2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | 获取价格 | ||
| 2N7002EM3T5G | Tech Public Electronics Co.,Ltd. | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：350mA 功率(Pd)：150mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.5Ω@4.5V,200mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.85V@250uA 输入电容(Ciss@Vds)：42pF@10V 工作温度：+150℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| AO7407 | Tech Public Electronics Co.,Ltd. | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：290mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：100mΩ@4.5V,2.3A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：700mV@250uA 输入电容(Ciss@Vds)：640pF@8V 反向传输电容(Crss@Vds)：82pF@8V 工作温度：+125℃@(Tj) | 获取价格 | ||
| CS4N80FA9HD | Wuxi China Resources Microelectronics Limited | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):800V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):35W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.2Ω@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):865pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):7.5pF@25V;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| BSS123-7-VB | VBsemi Electronics Co. Ltd | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):260mA;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.8Ω@10V,0.26A;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | 获取价格 | ||
| BUK78150-55A--CUF | Rubycon Corporation | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):55V;连续漏极电流(Id):5.5A;功率(Pd):8W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):128mΩ@10V,5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@1mA;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):170pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):37pF@25V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| EFC8811R-TF | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:2个N沟道(共漏);漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-;工作温度:+150℃@(Tj); | 获取价格 | ||
| TSD18N20M | Shenzhen Truesemi Semiconductor Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):200V;连续漏极电流(Id):18A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):170mΩ;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | 获取价格 | ||
| PMV65XPER | Rubycon Corporation | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):2.8A;功率(Pd):480mW；6.25W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):78mΩ@2.8A,4.5V; | 获取价格 | ||
| PMN30UNEX | Rubycon Corporation | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):4.8A;功率(Pd):530mW；4.46W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):36mΩ@4.8A,4.5V; | 获取价格 | ||
| FDD6637 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):35V;连续漏极电流(Id):13A；55A;功率(Pd):3.1W；57W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):11.6mΩ@10V,14A; | 获取价格 | ||
| FDD86110 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):12.5A；50A;功率(Pd):3.1W；127W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):10.2mΩ@10V,12.5A; | 获取价格 | ||
| L2N7002FLT1G | Leshan Radio Co., Ltd. | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 功率(Pd)：225mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8Ω@4V,10mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA 停产 | 获取价格 | ||
| KIA50N06BD | KIA | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：88W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：12.5mΩ@10V,30A N沟道,60V,50A,10.5mΩ@10V | 获取价格 | ||
| BSH114,215 | Rubycon Corporation | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):850mA;功率(Pd):830mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):400mΩ@10V,500mA; | 获取价格 | ||
| FDMC8327L-L701 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):12A；14A;功率(Pd):2.3W；30W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9.7mΩ@12A,10V; | 获取价格 | ||
| FDMC15N06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):55V;连续漏极电流(Id):15A；2.4A;功率(Pd):2.3W；35W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):900mΩ@15A,10V; | 获取价格 | ||
| FDD86540 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):21.5A；50A;功率(Pd):3.1W；127W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.1mΩ@21.5A,10V; | 获取价格 | ||
| FDD86113LZ | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):4.2A；5.5A;功率(Pd):3.1W；29W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):104mΩ@4.2A,10V; | 获取价格 | ||
| FDD5353 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):11.5A；50A;功率(Pd):3.1W；69W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):12.3mΩ@10V,10.7A; | 获取价格 |
